KR960030366A - 반도체 소자 격리 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 반도체 소자 격리 방법으로서 1) 실리콘 기판 위에 패드옥사이드를 형성시킨 후 실리콘나이트라이드를 데포지션하는 공정; 2) 사진식각공정으로 활성영역이외의 영역인 필드영역의 실리콘나이트라이드를 제거하는 공정; 3) 필드산화공정으로 필드영역에 필드산화막을 형성하는 공정; 4) NH3 분위기에서 열처리하여 필드산화막 표면에 옥시나이트라이드를 형성하는 공정; 5) 상기 나이트라이드를 제거하고, 희생산화막을 성장 시킨 후 이 희생산화막을 습식으로 제거하는 공정을 포함하여 이루어진다.
구체적으로는 1)단계에서 패드옥사이드는 산화하여 약 100∼200옹그스트롬 정도로 성장시키고, 1)단계에서 실리콘나이트라이드는 화학기상증착방식으로 약 2000옹그스트롬정도로 형성시키며, 2)단계에서 실리콘나이트라이드는 건식식각방식으로 비등방성식각하고, 3)단계의 필드산화공정은 약 950℃로 약2시간 정도로 습식산화시켜서 약 4000옹그스트롬 이상의 필드산화막을 성장시키며, 4)단계에서 NH3분위기에서의 열처리는 약 900℃내지 1000℃, 약 5분 내지 60분 정도로 실시하고, 5)단계에서 나이트라이드는 인산용액으로 습식식각하고 희생산화막은 약 100∼200옹그스트롬 정도로 성장시킨 후 ㅗㅗHF용액으로 식각시킨다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 반도체 소자 격리 방법을 설명하기 위한 부분 단면도.
Claims (5)
- 반도체 소자 격리 방법으로서, 1) 실리콘 기판 위에 패드옥사이드를 형성시킨 후 실리콘나이트라이드를 데포지션하는 공정; 2) 사진식각공정으로 활성영역이외의 영역인 필드영역의 실리콘나이트라이드를 제거하는 공정; 3) 필드산화공정으로 필드영역에 필드산화막을 형성하는 공정; 4) NH3 분위기에서 열처리하여 필드산화막 표면에 옥시나이트라이드를 형성하는 공정; 5) 상기 나이트라이드를 제거하고, 희생산화막을 성장시킨 후 이 희생산화막을 습식으로 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는 반도체 소자 격리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 1)단계에서 패드옥사이드는 산화하여 성장시키고 실리콘나이트라이드는 화학기상중착방식으로 형성하며, 상기 2)단계에서 실리콘나이트라이드는 건식식각방식으로 식각하며, 상기 5)단계에서 나이트라이드와 희생산화막은 습식방식으로 식각하는 것이 특징인 반도체 소자 격리 방법.
- 제2항에 있어서, 패드옥사이드는 약 100∼200옹그스트롬 정도로 성장시키고, 실리콘나이트라이드는 약 2000옹그스트롬 정도로 형성시키며 필드산화공정은 약 950℃로 약 2시간 정도로 습식산화시켜서 약 4000옹그스트롬 이상의 필드 산화막을 성장시키며 희생산화막은 약 100∼200옹그스트롬 정도로 성장시키는 것이 특징인 반도체 소자 격리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 4)단계에서 NH3분위기에서의 열처리는 약 900℃ 내지 1000℃, 약 5분 내지 60분 정도로 실시하는 것이 특징인 반도체 소자 격리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 1)단계에서 패드옥사이드는 산화하여 약 100∼200옹그스트롬 정도로 성장시키고, 상기 1)단계에서 실리콘나이트라이드는 화학기상중착방식으로 약 2000옹그스트롬정도로 형성시키며 상기 2)단계에서 실리콘나이트라이드는 건식식각방식으로 비등방성식각하고, 상기 3)단계의 필드산화공정은 약 950℃ 약 2시간 정도로 습식산화시켜서 약 4000옹그스트롬 이상의 필드산화막을 성장시키며 상기 4)단계에서 NH3분위기에서의 열처리는 약 900℃ 내지 1000℃, 약 5분 내지 60분 정도로 실시하고, 상기 5)단계에서 나이트라이드는 인산용액으로 습식식각하고 회생산화막은 약 100∼200옹그스트롬 정도로 성장시킨 후 HF용액으로 식각시키는 것이 특징인 반도체 소자 격리 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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