KR960026444A - 반도체 소자의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조 방법 중 핫 캐리어를 방지하기 위한 LDD 구조의 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 저농도 불순물의 이온 주입을 두 번 진행함으로써 구성되는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 종래에는 저농도 불순물을 한 번에 걸쳐 주입함으로 인하여 반도체 소자의 집적도가 현저히 증가함에 따라 핫 캐리어에 의한 문턱전압의 불안정과 디바이스의 치명적인 손상은 여전히 존재하여 소자의 특성 및 신뢰성에 악영향을 미치게 되는 문제점이있었다. 따라서 본 발명에서는 저농도 불순물을 두 단계에 걸쳐 도펀트의 종류와 농도를 달리하여 주입하여 단채널에서의 접합 영역의 핫 캐리어의 발생을 억제시킴으로써, 소자의 전기적 특성을 향상시키고 소자의 신뢰성을 개선시킬 수 있다.

Description

반도체 소자의 제조 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도 및 제3도는 본 발명의 일 실시예의 제조방법을 설명하기 위한 각 제조공정에 있어서의 반도체 장치의 요부 단면도.

Claims (8)

1. LDD 구조를 구비한 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 반도체 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 1차 저농도 불순물을 접합 영역에 주입하는 단계와, 2차 저농도 불순물을 접합 영역에 주입하는 단계와, 고온의 열 공정 단계와, 스페이서를 형성하는 단계와, 고농도 이온을 상기 스페이서 양 측부의 접합 영역에 주입하는 단계 및 고온의 열 공정을 수행하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 1차 저농도 불순물은 인이온인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 1차 저농도 불순물의 농도는 5×10¹³cm^-2이고, 이온 주입시의 에너지는 100 내지 150KeV로 하여 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
4. 제1항 도는 제2항에 있어서, 상기 2차 저농도 불순물은 비소 이온인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 2차 저농도 불순물의 농도는 1×10¹³cm^-2이고, 이온 주입시의 에너지는 50 내지 70KeV로 하여 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고농도 불순물 이온은 비소로 5×10¹³cm^-2의 농도로, 이온 주입시의 에너지는 50 내지 80KeV로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
7. 제2항에 있어서, 상기의 모든 이온 주입 공정전에 기판 보호를 위한 쉐도우 산화막을 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
8. 제1항에 있어서, 상기 스페이서는 산화막 상부에 폴리 실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.