KR960026142A - 반도체 소자의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조 방법 중 핫 캐리어를 방지하기 위한 LDD형성 방법에 관한 것으로, 특히 저농도 불순물의 이온 주입을 두번진행함으로써 구성되는 반도체 소자의 LDD형성방법에 관한 것이다. 종래에는 저농도 불순물을 한 번에 걸쳐 주입함으로 인하여 반도체 소자의 집적도가 현저히 증가함에 따라 핫캐리어에 의한 문턱전압의 불안정과 디바이스의 치명적인 손상은 여전히 상존하고 있어, 소자의 특성 및 신뢰성에 악영향을 미치게 되어서 LDD 구조의 보다 개선된 소오스 드레인 형성방법의 개발이 요구되었다. 따라서, 본 발명에서는 접합부의 구조가 트리플로 구성되고, 그중 저농도 불순물을 두 단계에서 걸쳐 도펀트의 극성을 달리하여 주입함으로 단채널에서의 접합 영역의 핫캐리어의 발생을 억제시킴으로써, 소자의 전기적 특성을 향상시키고 소자의 신뢰성을 개선시킬수 있다.

Description

반도체 소자의 제조 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제3도 내지 4도는 본 발명에 따른 LDD구조의 단면도

Claims (14)

1. 접합 구조를 형성하는 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 반도체 기판에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극 양측부의 소오스 및 드레인 영역 전체에 걸쳐 제1차 저농도 이온을 주입하는 단계와, 상기 제1차 이온 주입 영역에 제2차 저농도의 이온을 주입하는 단계와, 상기 게이트 전극의 양 측벽에 스페이서를 제조하는 단계 및 고농도 이온을 스페이서 측부의 소오스 및 드레인 영역에 주입하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
2. 제1항에 있어서, 제1차 저농도 이온의 에너지가 50 내지 70KeV이고, 제2차 저농도 이온의 에너지가 20 내지 40KeV임을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
3. 제1항에 있어서, 제1차 저농도 이온의 에너지가 70 내지 90KeV이고, 제2차 저농도 이온의 에너지가 50 내지 70KeV임을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 제1차 저농도 이온을 P형의 저농도 이온인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 P형의 저농도 이온이 보통 이온인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1차 저농도 이온의 농도는 1.3×10¹³㎝^-2인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
7. 제4항에 있어서, 상기 P형의 저농도 이온의 농도는 1.3×10¹³㎝^-2인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
8. 제5항에 있어서, 상기 보론 이온의 농도는 1.3×10¹³㎝^-2인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2차 저농도 이온이 N형의 인 이온인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
10. 제4항에 있어서, 상기 제2차 저농도 이온이 N형의 인 이온인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
11. 제9항에 있어서, 상기 제2차 저농도 이온의 농도는 7.5×10¹²㎝^-2정도로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
12. 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 고농도 이온이 불소인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
13. 제4항에 있어서, 상기 고농도 이온인 불소인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
14. 제9항에 있어서, 상기 고농도 이온인 불소인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.