KR960026235A - 반도체 소자의 금속층 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속층 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960026235A KR960026235A KR1019940039484A KR19940039484A KR960026235A KR 960026235 A KR960026235 A KR 960026235A KR 1019940039484 A KR1019940039484 A KR 1019940039484A KR 19940039484 A KR19940039484 A KR 19940039484A KR 960026235 A KR960026235 A KR 960026235A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- metal layer
- forming
- semiconductor device
- film
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속층 형성방법에 관한 것으로, 콘택홀(Contact hole)에서의 금속층 덮힘(Metal Step Coverage)특성을 향상시키기 위하여 콘택홀 형성 후 티타늄(Ti)층 및 도프산화막을 순차적으로 형성하고 상기 도프산화막을 평탄화식각한 다음 티타늄나이트라이드(TiN)층 및 금속층을 순차적으로 형성시키므로써 고집적 반도체 소자의 미세콘택홀에서의 금속층덮힘특성을 향상시킬 수 있도록 한 반도체 소자의 금속층 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 제1D도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속층 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (5)
- 반도체소자의 금속층 형성방법 있어서, 실리콘기판상에 절연막을 형성하고 상기 절연막을 패터닝하여 콘택홀을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 전체면에 티타늄층을 형성하고 도프산화막을 증착한 후 플로우시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 도프산화막을 평탄화식각하는 단계와, 상기 단계로부터 티타늄나이트라이드층 및 금속층을 순차적으로 형성시키는 단게로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 티타늄층의 두께는 600 내지 800Å 정도이며, 상기 티타늄나이트라이드층의 두께는 150 내지 250Å 정도인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도프산화막은 플로우특성이 양호한 PSG막 또는 BPSG막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성방법.
- 제1 또는 제3항에 있어서, 상기 도프산화막은 상기 콘택홀내부가 완전히 매립되도록 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 평탄화식각은 상기 도프산화막 상부에 감광막을 도포하고 전면식각한 후 잔류된 감광막을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039484A KR960026235A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자의 금속층 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039484A KR960026235A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자의 금속층 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026235A true KR960026235A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039484A KR960026235A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자의 금속층 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026235A (ko) |
-
1994
- 1994-12-30 KR KR1019940039484A patent/KR960026235A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950034678A (ko) | 집적 회로내에 전도성 접속부 형성 방법 및, 그 회로내의 전도성 부재 | |
| KR940020531A (ko) | 콘택홀에 금속플러그 제조방법 | |
| KR950015610A (ko) | 집적 회로 제조 방법 | |
| US6204096B1 (en) | Method for reducing critical dimension of dual damascene process using spin-on-glass process | |
| US5804514A (en) | Method of planarizing a film of a semiconductor device | |
| KR0124144B1 (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조방법 | |
| KR960026235A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성방법 | |
| KR970054033A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR950025868A (ko) | 반도체 소자의 비트라인 형성방법 | |
| JPS63269535A (ja) | 半導体素子表面の平坦化法 | |
| KR100324020B1 (ko) | 반도체소자의금속배선형성방법 | |
| KR100289653B1 (ko) | 반도체소자의배선구조및그의형성방법 | |
| KR0167251B1 (ko) | 반도체 소자의 배선구조 및 그 제조방법 | |
| KR960026205A (ko) | 금속 배선 콘택 제조방법 | |
| KR970008351A (ko) | 반도체 소자의 비아콘택홀 제조방법 | |
| KR970053522A (ko) | 반도체 장치의 다층배선 형성방법 | |
| KR960005957A (ko) | 다층배선 형성방법 | |
| KR950009965A (ko) | 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 | |
| KR960002644A (ko) | 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 | |
| KR960026264A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성방법 | |
| KR970052280A (ko) | 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법 | |
| KR970052814A (ko) | 평탄화된 비트라인 형성방법 | |
| KR950021285A (ko) | 금속배선층 형성방법 | |
| KR960026292A (ko) | 반도체 소자의 스텝커버리지 특성 개선방법 | |
| KR970053538A (ko) | 반도체 소자의 다층 금속배선 구조 및 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |