KR970008351A - 반도체 소자의 비아콘택홀 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 비아콘택홀 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 비아 콘택홀 제조방법에 관한 것으로, 비아 콘택 형성후 블랭킷 건식식각 공정을 실시하여 비아콘택홀 형성시 습식 식각과 건식식각에 의해 형성된 돌출부위를 완만하게 하는 비아 콘택홀의 개선된 프로파일을 얻음과 동시에, 후속공정으로 추가공정없이도 금속층간 절연막을 평탄화시켜 공정의 단순화와 비아콘택저항의 안정된 특성을 확보할 수 있으며, 아울러, 블랭킷 식각에 의하여 비아 콘택홀의 기저부에 남는 이물질 및 부산물등을 확실히 제거하여 비아 콘택의 오픈성 불량발생을 방지할 수 있어 반도체 소자 제조 수율을 높일 수 있으며, 동시에 비아콘택 특성의 안정화로 반도체 소자의 성능 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체 소자의 비아콘택홀 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도와 제2B도는 본 발명의 제1실시예에 따른 비아 콘택홀 제조 공정도.

Claims (3)

  1. 반도체 소자의 비아 콘택홀 제조방법에 있어서, 실리콘 기판상에 소자들을 형성한 후, 제1금속층을 이용 상기 소자들을 연결시키는 단계와, 상기 제1금속층의 상부에 층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 층간 절연막의 상부에 감광막을 증착한 후 포토 마스크 공정을 통하여 비아 콘택홀 형성 콘택 마스크를 형성하는 단계와, 상기 콘택 마스크를이용하여 콘택홀 형성을 위한 하부 층간 절연막을 습식식각으로 1차 식각하는 단계와, 습식식각한 후, 하부 층간 절연막을 건식식각으로 2차 식각하여 하부면이 제1금속층의 상부가 되는 비아 콘택홀을 형성하는 단계와, 상부의 감광막을 제거하는 단계와, 블랭킷 건식식각방법으로 비아 콘택홀 및 노출된 층간 절연막 표면전체를 식각하는 단계와, 전체 상부에 제2금속층을 증착하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 비아 콘택홀 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 층간 절연막은 PETEOS, O3TEOS, 과실리콘 산화막, SOG 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 비아 콘택홀 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2금속층은 베리어 금속을 갖는 층으로 Ti, TiN, TiW, Al, W 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 비아 콘택홀 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950021235A 1995-07-19 1995-07-19 반도체 소자의 비아콘택홀 제조방법 KR0166503B1 (ko)

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