KR960026187A - 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 폴리실리콘막과 폴리실리콘막상의 실리사이드막으로 이루어지는 폴리사이드 구조의 게이트 전극 형성방법에 있어서; 기판상에 게이트용 폴리실리콘막을 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘막 상부에 이후에 형성되는 실리사이드막의 전이 금속 원자 침투방지막을 형성하는 단계; 게이트 디파인을 위한 마스크 물질을 사용하여 상기 전이 금속 원자 침투방지막 및 폴리실리콘막을 차례로 식각하는 단계; 상기 전이금속 원자 침투방지막상에 선택적으로 형성되는 실리사이드막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법에 관한 것으로, 실리사이드막에 의한 전이금속이 금속화합물인 스파이크(Spike)를 형성하여 폴리실리콘막을 통과한 후 상기 게이트 산화막내로 침투하면서 계면준위나 고정전하가 증가시키는 것을 방지하여 반도체 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키는 효과를 가져온다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 일 실시예에 따른 게이트 전극 형성 공정도.
Claims (3)
- 폴리실리콘막과 폴리실리콘막상의 실리사이드막으로 이루어지는 폴리사이드 구조의 게이트 전극 형성방법에 있어서, 기판상에 게이트용 폴리실리콘막을 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘막 상부에 이후에 형성되는 실리사이드막의 전이 금속 원자 침투방지막을 형성하는 단계; 게이트 디파인을 위한 마스크 물질을 사용하여 상기 전이 금속 원자 침투방지막 및 폴리실리콘막을 차례로 식각하는 단계; 상기 전이금속 원자 침투방지막상에 선택적으로 형성되는 실리사이드막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 게이트 디파인을 위한 마스크 물질을 사용하여 상기 전이금속 원자 침투방지막 및 폴리실리콘막을 차례로 식각하는 단계 이후에, 상기 전이금속 원자 침투방지막 및 폴리실리콘막 패턴 측벽에 섀도우용 절연막과 폴리실리콘막 스페이서를 형성하는 단계를 더 포함한 후, 전이금속 원자 침투방지막 및 스페이서 폴리실리콘막상에 실리사이드막을 형성하는 것을 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서; 상기 전이금속 원자 침투방지막은 TiN막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940037674A KR960026187A (ko) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940037674A KR960026187A (ko) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026187A true KR960026187A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66769258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940037674A KR960026187A (ko) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026187A (ko) |
-
1994
- 1994-12-28 KR KR1019940037674A patent/KR960026187A/ko not_active Application Discontinuation
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