KR960026084A - 반도체 소자의 측정마크 보호방법 - Google Patents

반도체 소자의 측정마크 보호방법 Download PDF

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황준
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김주용
현대전자산업 주식회사
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 소정의 오버레이나 정렬정도를 측정하기 위한 측정마크(13,22)를 소자분리층 상부에 형성하는 제1단계; 및 상기 측정마크 상부에 보호층(14,23)을 형성하는 제2단계를 포함하는 것을 특징으로 하여, 오버레이나 정렬도를 향상시키고, 이에 따라 제품 특성 및 수율을 향상시킬 수 있는 특유의 효과가 있는 반도체 소자의 측정마크 보호방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 측정마크 보호방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제3도는 본 발명의 측정마크 보호방법에 따라 패턴 형성과정을 도시한 단면도.

Claims (3)

  1. 소정의 오버레이나 정렬정도를 측정하기 위한 측정마크를 소자분리층 상부에 형성하는 제1단계; 및 상기 측정마크 상부에 보호층을 형성하는 제2단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 측정마크 보호방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보호층은 전도층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 측정 마크 보호방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전도층은 금속층이나 폴리실리콘층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 측정마크 보호방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940034741A 1994-12-16 1994-12-16 반도체 소자의 측정마크 보호방법 KR960026084A (ko)

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