KR950002066A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
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- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
Abstract
본 발명은 박막 트랜지스터 및 포토다이오드의 제조방법에 관한 것으로, 소자의 신뢰성을 향상시키기 위하여 소자를 보호하기 위한 상부 보호막을 다이아몬드박막으로 형성하는 방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3 도는 본 발명의 박막 트랜지스터 구조도, 제 4 도는 본 발명의 포토다이오드 구조도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 소자를 보호하기 위한 상부의 보호막을 다이아몬드 박막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 소자가 박막 트랜지스터일 경우 상기 다이아몬드 박막은 광투과도가 낮은 것을 사용하여 보호막(27)을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 소자가 포토다이오드일 경우 상기 다이아몬드 박막은 광투과도가 높은 것을 사용하여 보호막(37)을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Publications (2)
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| KR960012584B1 KR960012584B1 (ko) | 1996-09-23 |
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ID=19357752
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|---|---|---|---|---|
| US6163055A (en) * | 1997-03-24 | 2000-12-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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1993
- 1993-06-21 KR KR1019930011325A patent/KR960012584B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|
| KR960012584B1 (ko) | 1996-09-23 |
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