KR960008978A - 반도체 소자의 정렬 마크 보호방법 - Google Patents

반도체 소자의 정렬 마크 보호방법 Download PDF

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KR960008978A
KR960008978A KR1019940019059A KR19940019059A KR960008978A KR 960008978 A KR960008978 A KR 960008978A KR 1019940019059 A KR1019940019059 A KR 1019940019059A KR 19940019059 A KR19940019059 A KR 19940019059A KR 960008978 A KR960008978 A KR 960008978A
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KR1019940019059A
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황준
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 정렬 마크 보호방법에 관한 것으로, 정렬 마크 형성후의 소자제조공정중 발생되는 정렬 마크의 손상을 방지하기 위해 정렬 마크(Alignment Mark) 상부에 보호막을 형성시키므로써 정렬 마크의 형태를 양호하게 유지시킬 수 있도록 한 반도체 소자의 정렬 마크 보호방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 정렬 마크 보호방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3a 및 제3b도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 정렬 마크 보호방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 소자 제조공정중 포트마스크 정렬시 기준점으로 사용하기 위해 형성된 다수의 정렬마크(2)가 후공정시 손상되는 것을 방지하기 위하여, 상기 정렬마크(2)가 형성된 영역의 전체상부면에 보호막(3)을 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 정렬마크 보호방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 정렬마크(2) 및 보호막(3)은 도전물인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 정렬마크 보호방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 보호막(3) 형성은 반도체 소자 제조공정중 폴리실리콘 증착공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 정렬마크 보호방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940019059A 1994-08-02 1994-08-02 반도체 소자의 정렬 마크 보호방법 KR960008978A (ko)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100419054B1 (ko) * 1996-10-25 2004-05-22 주식회사 하이닉스반도체 반도체메모리소자의제조방법
KR100660893B1 (ko) * 2005-11-22 2006-12-26 삼성전자주식회사 정렬 마크막을 구비하는 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR100850144B1 (ko) * 2006-08-31 2008-08-04 동부일렉트로닉스 주식회사 얼라인먼트 마크 보호 방법

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