KR960035761A - 중첩마크가 구비된 반도체 장치 - Google Patents

중첩마크가 구비된 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 중첩 마크가 구비된 반도체 장치에 관한 것으로, 웨이퍼상에 형성되는 각 층마다 웨이퍼의 스크라이브 라인상에 중첩마크를 형성하되, 일정비율로 그 크기가 작아지는 정사각형의 박스 형태로 적층하여 원하는 임의의 중첩마크간에 중첩도를 직접적으로 확인할 수 있게 하여 반도체 소자 제조공정수율 및 소자 동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

중첩마크가 구비된 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명의 일실시예에 따른 중첩마크가 구비된 반도체 장치의 평면도.

Claims (8)

  1. 웨이퍼의 스크라인브 라인에 정사각형으로 돌출되는 제1박스와, 상기 제1박스에 오버랩되어 상기 제1박스보다 작은 정사각형을 돌출되는 제2박스와, 상기 제2박스에 오버랩되며 제2박스보다 작은 정사각형으로 돌출되는 제3박스로 형성되어, 상기 제1박스와 제2박스 또는 제2박스와 제3박스 또는 제1박스와 제3박스간의 중첩도를 측정할 수 있는 것을 특징으로 하는 중첩마크가 구비된 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1박스와 제2박스와 제3박스 또는 제2박스 또는 제1박스와 제3박스는 서로 다른 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 중첩마크가 구비된 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1박스와 제2박스 및 제3박스는 반도체소자의 스크라이브라인상에 형성되는 것을 특징으로하는 중첩마크가 구비된 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, 제3박스의 상부로 제4박스 및 제5박스가 형성되는 것을 특징으로 하는 중첩마크가 구비된 반도체 장치.
  5. 웨이퍼의 스크라이브 라인에 정사각형의 중앙부를 제외한 측면부가 돌출되는 제1박스와, 상기 제1박스에 오버랩되며 상기 제1박스보다 큰 정사각형의 중앙부를 제외한 측면부가 돌출되는 제2박스와, 상기 제2박스에 오버랩되며 제2박스보다 큰 정사각형의 중앙부를 제외한 측면부가 돌출되는 제3박스로 형성되어, 상기 제1박스와 제2박스 또는 제2박스와 제3박스 또는 제1박스와 제3박스간의 중첩도를 측정할 수 있는 것을 특징으로 하는 중첩마크가 구비된 반도체 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1박스와 제2박스 또는 제2박스와 제3박스 또는 제1박스와 제3박스는 서로 다른 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 중첩마크가 구비된 반도체 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1박스와 제2박스 및 제3박스는 반도체소자의 스크라이브 라인상에 형성되는 것을 특징으로 하는 중첩마크가 구비된 반도체 장치.
  8. 제6항에 있어서, 제3박스의 상부로 제4박스 및 제5박스가 형성되는 것을 특징으로 하는 중첩마크가 구비된 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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