KR950001885A - 충실도가 향상된 정렬 측정마크 구조 - Google Patents

충실도가 향상된 정렬 측정마크 구조 Download PDF

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KR950001885A
KR950001885A KR1019930010205A KR930010205A KR950001885A KR 950001885 A KR950001885 A KR 950001885A KR 1019930010205 A KR1019930010205 A KR 1019930010205A KR 930010205 A KR930010205 A KR 930010205A KR 950001885 A KR950001885 A KR 950001885A
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Abstract

본 발명은 충실도가 향상된 정렬 측정마크 구조에 관한 것으로, 종래에는 마크 레이어 검출 신호의 위치가 측정마크의 구조에 따라 변화하므로, 마크 레이어의 경계부위가 수직이 되지 않으면 정렬의 정도를 측정 하기에 어려운 문제점이 있었다.
본 발명은 이와같은 종래의 문제점을 감안하여, 마크 레이어의 구조를 마름모꼴로 변형시켜 마크 레이어의 수직 정도가 떨어져도 항상 마크 레이어 검출 신호의 위치가 일정하게 측정 오차를 중심으로써, 정렬 충실도를 향상시킬 수 있게 한 것이다.

Description

충실도가 향상된 정렬 측정마크 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명 충실도가 향상된 정렬 측정마크 구조의 평면도, 제4도의 (a) 및 (b)는 제3도에 대한 충실도 측정방법 설명도이다.

Claims (2)

  1. 반도체 제조 공정중 포토 마스킹 공정후 보조 레이어와 중첩되는 정도를 측정하는데 사용되는 정렬 측정마크에 있어서, 보조 레이어(1)상에 마름모꼴의 마크 레이어(2)를 정렬시켜 구성함을 특징으로 하는 충실도가 향상된 정렬측정 마크 구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 마크 레이어(2)는 경계부위(2A)의 수직 정동 관계없이 마크 레이어(2) 검출신호의 위치가 일정하도록 마름모꼴로 변형하여 구성함을 특징으로 하는 충실도가 향상된 정렬 측정마크 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930010205A 1993-06-07 1993-06-07 충실도가 향상된 정렬 측정마크 구조 KR960006685B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100244453B1 (ko) * 1997-02-06 2000-03-02 김영환 반도체 웨이퍼의 포커스 패턴 형성구조
KR100271125B1 (ko) * 1996-09-16 2000-12-01 김충환 정렬마크를 갖는 마스크 및 이를 이용한 마스크간 정렬도 측정방법

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KR100271125B1 (ko) * 1996-09-16 2000-12-01 김충환 정렬마크를 갖는 마스크 및 이를 이용한 마스크간 정렬도 측정방법
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