KR950034431A - 반도체장치 제조시의 정렬도 측정을 위한 오버레이 패턴구조 - Google Patents
반도체장치 제조시의 정렬도 측정을 위한 오버레이 패턴구조 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체장치 제조시의 정렬도 측정을 위한 오버레이 패턴구조에 관한 것으로, 노이즈로 인한 신호 감지 오류를 방지하기 위한 것이다.
본 발명은 박스형태의 제1층패턴과, 상기 제1층패턴의 안쪽에 일정한 피치값을 가지며 상기 제1층패턴과 같은 형태로 형성되는 제1더미패턴, 상기 제1층패턴 외곽에 형성된 박스형태의 제2층패턴, 상기 제2층패턴의 바깥쪽에 일정한 피치값을 가지며 상기 제2층패턴과 같은 형태로 형성되는 제2더미패턴으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조시의 정렬도 측정을 위한 오버레이 패턴구조를 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 오버레이 패턴구조 및 오버레이 측정장치에서 신호를 인식하는 예를 도시한 도면, 제3도는 본 발명의 오버레이 패턴의 피치를 나타낸 도면.
Claims (1)
- 박스형태의 제1층패턴과, 상기 제1층패턴의 안쪽에 일정한 피치값을 가지며 상기 제1층패턴과 같은 형태로 형성되는 제1더미패턴, 상기 제1층패턴 외곽에 형성된 박스형태의 제2층패턴, 상기 제2층패턴의 바깥쪽에 일정한 피차값을 가지며 상기 제2층패턴과 같은 형태로 형성되는 제2더미패턴으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조시의 정렬도 측정을 위한 오버레이 패턴구조.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)
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KR100328696B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2002-03-20 | 박종섭 | 반도체 소자의 제조방법 |
KR100801726B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2008-02-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 얼라인 키 형성방법 및 반도체 소자의 제조방법 |
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- 1994-05-17 KR KR1019940010785A patent/KR100379536B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR100328696B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2002-03-20 | 박종섭 | 반도체 소자의 제조방법 |
KR100801726B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2008-02-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 얼라인 키 형성방법 및 반도체 소자의 제조방법 |
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