KR970017940A - 반도체소자의 마스크 정렬 측정방법 - Google Patents

반도체소자의 마스크 정렬 측정방법 Download PDF

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체소자의 마스크 정렬 측정방법에 관한 것으로서, 블럭에 대하여 사선 방향의 변을 갖는 마스크 정렬 측정마크를 형성하고, 마스크 공정 후, 상기 측정마크의 변간의 거리를 측정하여 두 마스크간의 X, Y축 방향은 물론 사선 방향 정렬 마스크 정렬을 측정하였으므로, 마스크 정렬 측정의 신뢰성이 향상되어 소자 동작의 신뢰성 및 공정수율을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체소자의 마스크 정렬 측정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자의 마스크 정렬 측정마크의 평면도,
제5도는 제4도에서의 선 I - I에 따른 단면도,
제6도는 제4도의 측정마크들이 형성되어 있는 반도체소자의 평면도.

Claims (5)

  1. 반도체소자의 스크라이브 라인으로 예정되어있는 부분상에 형성되는 내·외측 측정마크로 구성되는 마스크 정렬 측정마크를 이용한 반도체소자의 마스크 정렬 측정방법에 있어서, 상기 반도체소자의 셀 경계와 사선방향의 변을 갖도록 형성된 마스크 정렬 측정마크를 구비하는 마스크 정렬 측정마크를 형성하는 공정과, 상기 마스크 정렬 측정마크의 나란한 변 사이의 거리를 측정하여 사선 방향의 오정렬도를 측정하는 반도체소자의 마스크 정렬 측정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 마스크 정렬 측정마크를 마름모 형상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 마스크 정렬 측정방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 마스크 정렬 측정마크를 정팔각형상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 마스크 정렬 측정방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 외측 측정마크가 소자분리 산화막, 다결정실리콘층, 층간절연막 및 금속층으로 이루어지는 군에서의 임의로 선택되는 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 중첩정밀도 측정 마크.
  5. 제1항에 있어서, 상기 내측 측정마크가 다결정실리콘층, 층간절연막, 금속층 및 감광막패턴으로 이루어지는 군에서의 임의로 선택되는 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 중첩정밀도 측정마크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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