KR960025742A - 비트라인 프리차아지전압 발생회로 - Google Patents
비트라인 프리차아지전압 발생회로 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 대기동작시 등화된 한쌍의 비트라인에 프리차아지전압을 공급하여 프리차아지시키는 프리차아지전압 발생회로에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래의 프리차아지전압 발생회로에서 등화된 비트라인전압을 감지한 뒤 프리차아지전압을 출력하는 동작이느려, 짧은 RAS사이클에서 프리차아지되기 전에 다음 사이클의 활성화동작이 수행되어 취약한 데이타마진을 개선하지 못했다.
3. 발명의 해결방법의 요지
종래의 프리차아지전압 발생회로에 프리차아지 제어회로를 구비하여 프리차아지전압 발생기가 감지동작을 수행하는 소정의 시간동안 신속하게 비트라인을 프리차아지전압레벨로 만들어 종래의 문제점인 짧은 RAS서 적응적인 프리차아지전압 발생회로를 구현하였다.
4. 발명의 중요한 용도
신속하게 프리차아지전압을 공급하는 프리차아지전압 발생회로가 구현되므로서 고속동작하는 반도체 메모리의 다른 소자들과 속도면에서 매칭을 이루어 빠르게 동작하면서 오동작이 줄어들어 안정적인 반도체 메모리를 제공받게 되었다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일실시예에 의한 비트라인 프리차아지전압 발생회로도.
Claims (5)
- 다수의 메모리셀들이 접속된 한쌍의 비트라인과 대기동작시 상기 비트 라인쌍의 전압을 전원전압의 반의 전압레벨로 만들어주는 등화회로와, 상기 전원전압의 반의 전압레벨의 입력에 응답하여 다른 전압레벨을 발생하여 상기 비트라인쌍으로 공급하여 상기 비트라인쌍을 프리차아지하기 위한 프리차아지전압 발생기를 가지는 반도체 메모리에 있어서, 상기 프리차아지전압 발생기와 등화회로사이에 접속되고 대기동작시 상기 한쌍의 비트라인이 등화됨과 거의 동시에 상기 비트라인쌍을 다른 전압레벨로 프리차아지하고 짧은 로우 어드레스 스트로브 사이클에서도 고속으로 프리차아지하고 짧은 로우 어드레스 스트로브 사이클에서도 고속으로 프리차아지동작을 수행하는 프리차아지 제어회로를 더 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리의 프리차아지전압 발생회로.
- 제1항에 있어서, 상기 다른 전압은 상기 전원전압의 반의 전압레벨보다 소정레벨 높거나 낮음을 특징으로 하는 프리차아지전압 발생회로.
- 제2항에 있어서, 상기 소정레벨은 0.1,0.2볼트임을 특징으로 하는 프리차아지전압 발생회로.
- 제1항에 있어서, 상기 프리차아지 제어회로는 상기 등화신호에 응답하여 소전시간 지연된 짧은 펄스를 발생하는 펄스신호발생기와 상기 펄스신호발생기로부터의 상기 짧은 펄스에 응답하여 상기 프리차아지전압 발생기로부터의 상기 다른 전압을 상기 한쌍의 비트라인으로 제공하는 제어기로 구성됨을 특징으로 하는 프리차아지전압 발생회로
- 제4항에 있어서, 상기 젱회로는 상기 프리차아지전압 발생기로부터의 공급전압을 소정시간 차단하는 제1트랜지스터와 상기 소정시간동안 상기 다른 전압을 한쌍의 비트라인에 공급하도록 도통되는 제2트랜지스터로 구성됨을 특징으로 하는 프리차아지전압 발생회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940033252A KR0139493B1 (ko) | 1994-12-08 | 1994-12-08 | 비트라인 프리차아지전압 발생회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940033252A KR0139493B1 (ko) | 1994-12-08 | 1994-12-08 | 비트라인 프리차아지전압 발생회로 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960025742A true KR960025742A (ko) | 1996-07-20 |
| KR0139493B1 KR0139493B1 (ko) | 1998-07-15 |
Family
ID=19400677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940033252A KR0139493B1 (ko) | 1994-12-08 | 1994-12-08 | 비트라인 프리차아지전압 발생회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0139493B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100557570B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2006-04-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 기억소자의 선충전전압 발생회로 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030050742A (ko) * | 2001-12-19 | 2003-06-25 | 삼성전자주식회사 | 자동 프리차아지 기능을 위한 ｔＲＡＳ 프로그래밍 방법및 이를 구현한 반도체 메모리 장치 |
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1994
- 1994-12-08 KR KR1019940033252A patent/KR0139493B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100557570B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2006-04-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 기억소자의 선충전전압 발생회로 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0139493B1 (ko) | 1998-07-15 |
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