KR970008160A - 가변플레이트전압 발생회로를 구비하는 반도체 메모리장치 - Google Patents

가변플레이트전압 발생회로를 구비하는 반도체 메모리장치 Download PDF

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Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야
본 발명은 플레이트 전압 발생회로를 구비하는 반도체 메모리장치에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
반도체 메모리장치가 점점 고집적화됨에 따라 동작전원전압이 낮아지게 되었고 이에 따라 액세스동작시 비트라인의 센싱속도가 느려졌다.
3. 발명의 해결방법의 요지
이러한 저전원전압에서 센싱속도를 빠르게 하기 위하여 비트라인쌍을 전원전압 VCC레벨로 프리차아지하고, 지정된 메모리셀의 스토리지노드전압을 강제적으로 부스팅하므로써 달성하였다. 상기 스토리지노드전압의 부스팅은 상기 플레이트전압발생회로에서 공급되는 플레이트전압을 가변적으로 공급하여 구현된다.
4. 발명의 중요한 용도
액세스동작시 비트라인의 고속센싱을 수행할 수 있게 된다.

Description

가변플레이트접압 발생회로를 구비하는 반도체 메모리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 실시예에 따른 플레이트전압 발생회로의 회로도.

Claims (5)

  1. 반도체 메모리장치에 있어서, 비활성화시 전원전압레벨로 프리차아지되는 비트라인쌍과, 프리차아지상태에서 제1레벨의 전압이 메모리셀의 플레이트노드로 인가되고 메모리셀과 비트라인과의 차아지셰어링이 수행되기 이전에 제2레벨의 전압이 플레이트노드로 인가되도록 플레이트전압을 가변적으로 공급하는 플레이트전압 발생회로를 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플레이트전압이 활성화상태에서 가변적인 전압레벨로 공급되게 하므로써 상기 메모리셀의 스토리지노드전압을 부스팅함을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  3. 제1항에 있어서 상기 플레이트전압 발생회로가 활성화신호 Vpe와 제어신호 LND의 논리조합된 출력에 응답하여 제1전압레벨의 출력을 제어하는 제1스위칭수단과, 활성화신호 Vpe와 제어신호 LND의 논리조합된 출력을 반전시키는 반전수단과, 상기 반전수단의 출력에 응답하여 제2전압레벨의 출력을 제어하는 제2스위칭수단으로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2스위칭수단이 피모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 반전수단이 인버터임을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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