CN111399613B - 一种存储装置以及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种存储装置以及电子设备,该存储装置包括:控制芯片;存储芯片;电源接口,被配置为接收外部的第一电压;第一变压电路,其输入端耦接电源接口,其输出端耦接控制芯片,被配置为将第一电压转换为第二电压,并将第二电压提供给控制芯片;第二变压电路,其输入端耦接电源接口,其输出端耦接控制芯片和存储芯片,被配置为将第一电压转换为第三电压,并将第三电压提供给控制芯片和存储芯片。通过上述方式只需要外部提供一路电源就可以进行工作,提高了兼容性。
Description
技术领域
本申请涉及存储技术领域,特别是涉及一种存储装置以及电子设备。
背景技术
存储卡,是用于手机、数码相机、便携式电脑、MP3和其他数码产品上的独立存储介质,一般是卡片的形态,故统称为“存储卡”,又称为“数码存储卡”、“数字存储卡”、“储存卡”等。
存储卡一般包括SD系列、MMC系列、PCIe系列。其中的一些存储卡需要外部提供两路电源(不同电压)进行驱动才能工作,需配置专用的卡槽与其配合,在与其他存储卡槽兼容时比较难。
发明内容
为了解决上述问题,本申请提供了一种存储装置以及电子设备,只需要外部提供一路电源就可以进行工作,提高了兼容性。
本申请采用的一个技术方案是:提供一种存储装置,该存储装置包括:控制芯片;存储芯片;电源接口,被配置为接收外部的第一电压;第一变压电路,其输入端耦接电源接口,其输出端耦接控制芯片,被配置为将第一电压转换为第二电压,并将第二电压提供给控制芯片;第二变压电路,其输入端耦接电源接口,其输出端耦接控制芯片和存储芯片,被配置为将第一电压转换为第三电压,并将第三电压提供给控制芯片和存储芯片。
其中,第一电压为3.3V,第二电压为1.2V。
其中,控制芯片包括第一电源引脚,耦接第一变压电路的输出端,以对控制芯片的内核提供第二电压。
其中,第一电压为3.3V,第三电压为1.8V。
其中,存储装置为基于EMMC协议的存储装置;控制芯片包括:EMMC IO引脚,耦接第二变压电路的输出端;第一Flash IO引脚,通过选择电路分别耦接第二变压电路的输出端和电源接口,以根据需要选择输入第一电压或第三电压;存储芯片包括:第二Flash IO引脚,通过选择电路分别耦接第二变压电路的输出端和电源接口,以根据需要选择输入第一电压或第三电压。
其中,选择电路的第一输入端耦接第二变压电路的输出端,其第二输入端耦接电源接口,其输出端耦接第一Flash IO引脚和第二Flash IO引脚。
其中,第一电压为3.3V;存储芯片还包括第二电源引脚,耦接电源接口,以对存储芯片的内核提供第一电压。
其中,第一变压电路和/或第二变压电路集成于控制芯片内。
其中,存储装置还包括:基板,包括相对的第一侧面和第二侧面;其中,存储芯片设置于第一侧面,控制芯片设置于存储芯片远离基板的一侧;多个触片,设置于第二侧面;其中,电源接口为多个触片中的一个。
本申请采用的另一个技术方案是:提供一种电子设备,该电子设备包括:电源;处理器,耦接电源;存储装置,耦接处理器,存储装置是如上述的存储装置。
本申请提供的存储装置包括:控制芯片;存储芯片;电源接口,被配置为接收外部的第一电压;第一变压电路,其输入端耦接电源接口,其输出端耦接控制芯片,被配置为将第一电压转换为第二电压,并将第二电压提供给控制芯片;第二变压电路,其输入端耦接电源接口,其输出端耦接控制芯片和存储芯片,被配置为将第一电压转换为第三电压,并将第三电压提供给控制芯片和存储芯片。通过上述方式,能够在外部只提供一路电压的情况下,通过两个变压电路向控制芯片和存储芯片提供三种不同的电压,进一步能够存储装置应用于更多的场景,提高了兼容性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。其中:
图1是本申请提供的存储装置第一实施例的结构示意图;
图2是本申请提供的存储装置第一实施例的电路结构示意图;
图3是本申请提供的存储装置第二实施例的电路结构示意图;
图4是本申请提供的电子设备一实施例的结构示意图;
图5是本申请提供的电子设备一实施例中卡托的结构示意图。
具体实施方式
在本文中提及“实施例”意味着,结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例,也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是,本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
参阅图1,图1是本申请提供的存储装置第一实施例的结构示意图,该存储装置10包括基板11以及设置于基板11上的控制芯片12、存储芯片13、接口触片14。
可选的,基板11上还可以设置被动元件15,其中,被动元件15可以包括电阻、电容、电感等常用的电路元器件。
在本实施例中,控制芯片12、存储芯片13以及被动元件15上覆盖有封装层16。在本实施例中,控制芯片12、存储芯片13是未经封装的裸芯片(die),一般,存储芯片13为NandFlash芯片,数量可以根据实际的需求来设置,分层次叠放在基板11的表面。例如,一个Flash的存储容量为64GB,那么,若叠放两个Flash,整个存储装置10的存储容量为128G,若叠放四个Flash,整个存储装置10的存储容量为256GB。
另外,在其他实施例中,控制芯片12、存储芯片13也可以是已经封装好的芯片。
在一可选的实施例中,控制芯片12、存储芯片13以及被动元件15设置在基板11的一侧面上,而接口触片14设置于基板11上相对的另一侧面上。
另外,在其他实施例中,考虑到存储芯片13的面积比较大,也可以将控制芯片12设置在存储芯片13上,进行叠置。
结合图2,图2是本申请提供的存储装置第一实施例的电路结构示意图,该存储装置10还包括电源接口17、第一变压电路18和第二变压电路19。
其中,电源接口17被配置为接收外部的第一电压V1;第一变压电路18的输入端耦接电源接口17,其输出端耦接控制芯片12,被配置为将第一电压V1转换为第二电压V2,并将第二电压提供给控制芯片12;第二变压电路19的输入端耦接电源接口17,其输出端耦接控制芯片12和存储芯片13,被配置为将第一电压V1转换为第三电压V3,并将第三电压V3提供给控制芯片12和存储芯片13。
通过上述的方式可以通过两个变压电路分别将第一电压V1转化为第二电压V2和第三电压V3,加上本身提供的第一电压V1,这样就可以给控制芯片12和存储芯片13提供第一电压V1、第二电压V2和第三电压V3三种不同的电压,以驱动两个芯片的工作。
在上述的实施例中,第一变压电路18和第二变压电路19可以设置在基板11上,也可以集成于控制芯片12内部。
本申请提供的存储装置包括:控制芯片;存储芯片;电源接口,被配置为接收外部的第一电压;第一变压电路,其输入端耦接电源接口,其输出端耦接控制芯片,被配置为将第一电压转换为第二电压,并将第二电压提供给控制芯片;第二变压电路,其输入端耦接电源接口,其输出端耦接控制芯片和存储芯片,被配置为将第一电压转换为第三电压,并将第三电压提供给控制芯片和存储芯片。通过上述方式,能够在外部只提供一路电压的情况下,通过两个变压电路向控制芯片和存储芯片提供三种不同的电压,进一步能够存储装置应用于更多的场景,提高了兼容性。
下面通过一采用EMMC((Embedded Multi Media Card))协议的存储装置进行举例说明,如NM卡(多媒体存储卡)。
NM卡包括八个触片,八个子触片分别用1-8个数字表示,八个子触片以NM卡的长边为行、短边为列,以4行2列的方式进行排布。接口触片包括依次顺序排列在第一列的第一子触片、第二子触片、第三子触片、第四子触片,以及依次倒序排列在第二列的第五子触片、第六子触片、第七子触片、第八子触片。
可以理解的,各个子触片之间是相互绝缘的。
在本实施例中,所述接口触片14用于建立存储装置10与外部设备的电连接,外部接口走eMMC协议,本实施例中,接口触片14包括3.3V电源触片(VCC)、接地触片(GND)、时钟触片(CLK)、命令触片(CMD)和4个数据触片(D0-D3),在本实施例中,8个接口触片的设置如下:
子触片号 | 定义 | 子触片号 | 定义 |
1 | D1 | 5 | D2 |
2 | CMD | 6 | VCC |
3 | GND | 7 | D0 |
4 | D3 | 8 | CLK |
其中的VCC引脚用于接收外部提供的第一电压,相当于上述实施例中的电源接口。
标准的eMMC协议需要提供VCC(3.3V)和VCCQ(3.3V或1.8V)两路电源输入,以及8个数据管脚,本实施例提供的NM卡为了减小存储卡的面积,设置8个接口触片,其中只有VCC引脚,因此只保留了3.3V电源输入,并只设置了4个数据接口触片,本实施例的存储装置支持以下几种速率模式:
参阅图3,图3是本申请提供的存储装置第二实施例的电路结构示意图。
在本实施例中,该存储装置10包括控制芯片12、存储芯片13、电源接口17、第一变压电路18、第二变压电路19、选择电路20。
其中,电源接口17被配置为接收外部的第一电压V1;第一变压电路18的输入端耦接电源接口17,其输出端耦接控制芯片12,被配置为将第一电压V1转换为第二电压V2,并将第二电压提供给控制芯片12;第二变压电路19的输入端耦接电源接口17,其输出端耦接控制芯片12和存储芯片13,被配置为将第一电压V1转换为第三电压V3,并将第三电压V3提供给控制芯片12和存储芯片13。
进一步的,在本实施例中,第一电压为3.3V,第二电压为1.2V,第三电压为1.8V。
可以理解的,控制芯片12的内核的工作电压为1.2V,具体地,控制芯片12包括第一电源引脚(图未示),耦接第一变压电路18的输出端,以对控制芯片12的内核提供第二电压V2。
另外,控制芯片12还包括EMMC IO引脚(未标示)和第一Flash IO引脚(未标示),存储芯片13包括第二Flash IO引脚(未标示)。其中,第一Flash IO引脚和第二Flash IO引脚耦接,用于使控制芯片12与存储芯片13之间传输指令或者数据。
可以理解的,EMMC IO引脚的工作电压为1.8V,而第一Flash IO引脚和第二FlashIO引脚的工作电压为1.8V或3.3V。
具体地,EMMC IO引脚耦接第二变压电路19的输出端;第一Flash IO引脚通过选择电路20分别耦接第二变压电路19的输出端和电源接口17,以根据需要选择输入第一电压V1或第三电压V3;第二Flash IO引脚通过选择电路20分别耦接第二变压电路19的输出端和电源接口17,以根据需要选择输入第一电压V1或第三电压V3。其中,选择电路20的第一输入端耦接第二变压电路19的输出端,其第二输入端耦接电源接口17,其输出端耦接第一FlashIO引脚和第二Flash IO引脚。
可以理解的,存储芯片13的内核的工作电压为3.3V,在上述的实施例中,存储芯片13还包括第二电源引脚(图未示),耦接电源接口17,以对存储芯片13的内核提供第一电压V1。
由于本实施例提供的存储装置10只设置了3.3V电源接口,只支持3.3V电源输入,那么通过增加的第一变压电路18和第二变压电路19,用于将输入的3.3V电源转化为1.8V和1.2V电源输出,并为主控芯片12和/或存储芯片13提供1.8V和1.2V电源输入。
可以理解的,在本实施例,第一变压电路18和第二变压电路19均集成于控制芯片12内部。
参阅图4,图4是本申请提供的电子设备一实施例的结构示意图,该电子设备包括设备主体41和可嵌入设备主体41内部的卡托42。另外还包括处理器43和电源44,处理器43分别耦接电源44和卡槽,卡托中的存储卡可以通过卡槽进一步耦接到处理器43。
其中,如图5所示,图5是本申请提供的电子设备一实施例中卡托的结构示意图,该卡托42包括SIM卡槽42a和存储卡槽42b,SIM卡槽42a和存储卡槽42b的形状相同,其中,存储卡槽42b用于容置上述实施例中提供的存储装置。
以上所述仅为本申请的实施方式,并非因此限制本申请的专利范围,凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (7)
1.一种基于EMMC协议的存储装置,其特征在于,包括:
控制芯片;
存储芯片;
选择电路;
电源接口,被配置为接收外部的第一电压;
第一变压电路,其输入端耦接所述电源接口,其输出端耦接所述控制芯片的电源引脚,被配置为将所述第一电压转换为第二电压,将所述第二电压提供给所述控制芯片的电源引脚;
第二变压电路,其输入端耦接所述电源接口,被配置为将第一电压转换为第三电压;
其中,所述存储芯片的电源引脚耦接所述电源接口,以接收所述第一电压;
所述控制芯片包括EMMC IO引脚和第一Flash IO引脚;
所述存储芯片包括第二Flash IO引脚,其中,所述第一Flash IO引脚和所述第二FlashIO引脚耦接;
所述选择电路的第一输入端耦接所述第二变压电路的输出端,所述选择电路的第二输入端耦接所述电源接口,所述选择电路的输出端耦接所述第一Flash IO引脚和所述第二Flash IO引脚;
所述EMMC IO引脚,耦接所述第二变压电路的输出端。
2.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,
所述第一电压为3.3V,所述第二电压为1.2V。
3.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,
所述第一电压为3.3V,所述第三电压为1.8V。
4.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,
所述第一电压为3.3V;
所述存储芯片还包括第二电源引脚,耦接所述电源接口,以对所述存储芯片的内核提供所述第一电压。
5.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,
所述第一变压电路和/或所述第二变压电路集成于所述控制芯片内。
6.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,
所述存储装置还包括:
基板,包括相对的第一侧面和第二侧面;其中,所述存储芯片设置于所述第一侧面,所述控制芯片设置于所述存储芯片远离所述基板的一侧;
多个触片,设置于所述第二侧面;其中,所述电源接口为所述多个触片中的一个。
7.一种电子设备,其特征在于,包括:
电源;
处理器,耦接所述电源;
存储装置,耦接所述处理器,所述存储装置是如权利要求1-6任一项所述的存储装置。
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KR (1) | KR102645504B1 (zh) |
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WO (1) | WO2020119123A1 (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1713112A (zh) * | 2005-07-26 | 2005-12-28 | 威盛电子股份有限公司 | 支持多电压提供的存储卡及内存控制芯片及电压提供方法 |
CN2886681Y (zh) * | 2006-01-20 | 2007-04-04 | 骆建军 | 集成电压转换器的存储控制器 |
CN101271725A (zh) * | 2007-03-19 | 2008-09-24 | 深圳市劲升迪龙科技发展有限公司 | 闪存存储卡 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5316540A (en) | 1976-07-30 | 1978-02-15 | Hitachi Ltd | Bus switching unit for electronic computer |
KR0154755B1 (ko) | 1995-07-07 | 1998-12-01 | 김광호 | 가변플레이트전압 발생회로를 구비하는 반도체 메모리장치 |
US7483329B2 (en) * | 2000-01-06 | 2009-01-27 | Super Talent Electronics, Inc. | Flash card and controller with integrated voltage converter for attachment to a bus that can operate at either of two power-supply voltages |
US6563339B2 (en) * | 2001-01-31 | 2003-05-13 | Micron Technology, Inc. | Multiple voltage supply switch |
US6434044B1 (en) * | 2001-02-16 | 2002-08-13 | Sandisk Corporation | Method and system for generation and distribution of supply voltages in memory systems |
US6432330B1 (en) | 2001-03-28 | 2002-08-13 | Ball Semiconductor, Inc. | Jet system for spherical shape devices |
EP1447809A1 (fr) | 2003-02-14 | 2004-08-18 | SCHLUMBERGER Systèmes | Carte à multi-puce |
JP2004355163A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Renesas Technology Corp | データ処理装置および電子機器 |
TW200639873A (en) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Silicon Power Comp & Comm Inc | System for converting input voltage in memory card |
JP4896450B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2012-03-14 | 株式会社東芝 | 記憶装置 |
TWI319160B (en) * | 2005-07-11 | 2010-01-01 | Via Tech Inc | Memory card capable of supporting various voltage supply and control chip and method of supporting voltage thereof |
KR20070038798A (ko) * | 2005-10-07 | 2007-04-11 | 삼성전자주식회사 | 확장형 적층 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 |
US7656735B2 (en) | 2006-09-29 | 2010-02-02 | Sandisk Corporation | Dual voltage flash memory methods |
KR101040569B1 (ko) * | 2008-05-29 | 2011-06-16 | 삼성전자주식회사 | 적층형 심카드 커넥터 장치 및 이를 구비한 이동 단말기 |
EP2224376B1 (en) | 2009-02-25 | 2014-12-31 | Vodafone Holding GmbH | Power supply for a chip card |
US8286009B2 (en) | 2009-08-31 | 2012-10-09 | GE Intelligent Platforms Embedded Systems, Inc. | Computer including a carrier board and methods of assembly |
US8868826B2 (en) * | 2010-05-20 | 2014-10-21 | Cisco Technology, Inc. | Facilitating communication between memory devices and CPUs |
JP5596143B2 (ja) | 2010-06-29 | 2014-09-24 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶システム、メモリシステム用の電源回路、フラッシュメモリ、フラッシュメモリコントローラ、および不揮発性半導体記憶装置 |
US9431083B2 (en) | 2014-03-25 | 2016-08-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device and storage device having the same |
KR102308782B1 (ko) * | 2014-08-19 | 2021-10-05 | 삼성전자주식회사 | 메모리 컨트롤러, 스토리지 디바이스, 서버 가상화 시스템 및 서버 가상화 시스템에서의 스토리지 디바이스 인식 방법 |
US10162762B2 (en) * | 2015-04-22 | 2018-12-25 | Arm Limited | Managing memory based on hint data generated from mapping data entries |
KR102374841B1 (ko) * | 2015-05-28 | 2022-03-16 | 삼성전자주식회사 | 가변 전압 발생 회로 및 이를 포함하는 메모리 장치 |
CN105205514A (zh) | 2015-09-21 | 2015-12-30 | 北京握奇智能科技有限公司 | 一种ic卡高速读卡器 |
US10387690B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-08-20 | Texas Instruments Incorporated | Integrated power supply scheme for powering memory card host interface |
-
2018
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-
2019
- 2019-07-17 US US17/413,209 patent/US11699061B2/en active Active
- 2019-07-17 WO PCT/CN2019/096430 patent/WO2020119123A1/zh unknown
- 2019-07-17 EP EP19896011.4A patent/EP3869298A4/en active Pending
- 2019-07-17 KR KR1020217017885A patent/KR102645504B1/ko active IP Right Grant
- 2019-07-17 JP JP2021526601A patent/JP7207812B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1713112A (zh) * | 2005-07-26 | 2005-12-28 | 威盛电子股份有限公司 | 支持多电压提供的存储卡及内存控制芯片及电压提供方法 |
CN2886681Y (zh) * | 2006-01-20 | 2007-04-04 | 骆建军 | 集成电压转换器的存储控制器 |
CN101271725A (zh) * | 2007-03-19 | 2008-09-24 | 深圳市劲升迪龙科技发展有限公司 | 闪存存储卡 |
Also Published As
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