CN101271725A - 闪存存储卡 - Google Patents
闪存存储卡 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101271725A CN101271725A CNA2007100735826A CN200710073582A CN101271725A CN 101271725 A CN101271725 A CN 101271725A CN A2007100735826 A CNA2007100735826 A CN A2007100735826A CN 200710073582 A CN200710073582 A CN 200710073582A CN 101271725 A CN101271725 A CN 101271725A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- flash memory
- flash
- integration module
- boosts
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Credit Cards Or The Like (AREA)
Abstract
本发明涉及一种闪存存储卡，包括外壳、电路板，存储卡电路，所述存储卡电路还包括升压电路，所述升压电路包括输入端、输出端和接地端，其输入端连接在所述连接器的电源端，其输出连接在主控芯片和闪存存储芯片的电源供给端，其接地端与连接器的接地端相连，所述升压电路将所述连接器电源端上的输入电压升高到所述闪存存储芯片所要求的电压后供给所述主控芯片和闪存存储芯片。本发明的有益效果是，使较高的工作电压的主控芯片和闪存存储芯片可以在用于较低输入电压环境中的闪存存储卡中使用，从而降低闪存存储卡的成本。
Description
技术领域
本发明涉及数码产品中使用的数据存储装置，更具体地说，涉及闪存存储卡，特别是RS-MMC卡。
背景技术
随着数码产品的发展，手机(移动电话)的功能也越来越多，很多新款手机都具有拍照、游戏、上网、处理office文件等功能，这使得手机内置的存储器越来越不能满足需求。解决的办法是通过外部设备来增加手机的存储容量，特别是可插拔的闪存(FLASH)存储卡。由于手机本身体积较小，通常不能采用SD卡、MMC卡这样体积较大的存储卡，而是使用RS-MMC卡或Mini SD卡。
另一方面，手机提供给扩展的闪存(FLASH)存储卡的电压并不相同，有的手机提供的电压较高，如3.3V，有的手机所能提供给扩展的闪存(FLASH)存储卡(例如RS-MMC卡)的电压较低，如1.8V，虽然RS-MMC卡内的主控芯片在1.8V和3.3V均可以工作，但绝大多数标准TSOP封装的闪存(FLASH)存储芯片之工作电压均较高，例如3.3V；虽然也有少量的1.8V工作电压的标准TSOP封装的闪存(FLASH)存储芯片可以在上述较低电压环境使用的闪存(FLASH)存储卡中使用，但其价格高、采购周期长，从而使整个闪存(FLASH)存储卡的成本加高。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术低电压供电环境下使用的闪存存储卡成本较高的缺陷，提供一种在低电压环境中使用的较低成本的闪存存储卡。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种闪存存储卡，包括外壳、位于所述外壳内的电路板，位于所述电路板上的主控芯片、闪存存储芯片、与外界相连的连接器和多个电子元件通过所述电路板上的预制铜箔相连而形成的存储卡电路，所述连接器包括连接器电源端和连接器接地端，所述主控芯片和存储芯片分别包括至少一个电源供给端和至少一个接地端，所述连接器接地端和上述芯片接地端相互连接，上述存储卡电路还包括升压电路，所述升压电路包括输入端、输出端和接地端，其输入端连接在所述连接器的电源端，其输出连接在所述主控芯片和闪存存储芯片的电源供给端，其接地端与所述连接器的接地端相连，所述升压电路将所述连接器电源端上的输入电压升高到所述闪存存储芯片所要求的电压后供给所述主控芯片和闪存存储芯片。
在本发明所述的闪存存储卡中，所述升压电路包括升压集成模块、电感、电容和二极管；所述升压集成模块包括升压集成模块输入端、升压集成模块输出端和升压集成模块接地端，所述连接器的电源端连接在所述电感的一端，所述电感的另一端连接在所述升压集成电路的输入端，所述升压集成电路的输出端连接到所述升压电路的输出端；所述电容连接在所述升压集成模块输出端和升压集成模块接地端之间；所述二极管连接在所述升压集成模块输入端和升压集成模块输出端之间，其正极与所述升压集成模块输入端连接；所述升压集成模块的接地端和所述升压电路的接地端相互连接。
在本发明所述的闪存存储卡中，所述升压电路的输入电压包括1.8伏，输出电压包括3.3伏。
在本发明所述的闪存存储卡中，所述闪存存储芯片的封装包括标准TSOP封装，其工作电压为3.3伏，所述闪存存储芯片的引脚和电路板接触部分与所述闪存存储芯片的底面在同一水平面上。
在本发明所述的闪存存储卡中，所述闪存存储芯片的容量包括32M、64M、128M、256M、512M、1G、2G或4G中的任意一种。
在本发明所述的闪存存储卡中，所述主控芯片包括工作电压为3.3伏的、LGA封装的SK66X2或SMI26X。
在本发明所述的闪存存储卡中，所述升压集成电路包括型号为AME8805的集成电路。
在本发明所述的闪存存储卡中，所述外壳和所述电路板通过热熔胶粘合为一体，所述热熔胶包括3M公司的615S或SONY公司的NP605。
在本发明所述的闪存存储卡中，所述与外界相连的连接器包括所述电路板上铜箔形成的插脚。
本发明的有益效果是，由于在本发明的闪存存储卡中加入了升压电路，使输入到闪存存储卡的较低输入电压上升到闪存存储芯片所需要的工作电压，使较高的工作电压的闪存存储芯片可以在用于较低输入电压环境中使用，从而减少整个闪存存储卡的成本。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
图1是本发明闪存存储卡实施例的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，在本发明闪存存储卡的实施例中，所述闪存存储卡包括外壳(图中未示出)、位于所述外壳内的电路板(图中未示出)，在所述电路板上，设置有主控芯片、闪存存储芯片、与外界相连的连接器和多个电子元件，所述主控芯片、闪存存储芯片、连接器和多个电子元件通过所述电路板上的预制铜箔相连而组成存储卡电路；该存储卡电路还包括升压电路，该电路包括输入端、输出端和接地端，其输入端连接在所述连接器的电源端，其输出连接在所述主控芯片和闪存存储芯片的电源供给端，其接地端与所述连接器的接地端相连，所述升压电路将所述连接器上的输入电压升高到闪存存储芯片所要求的电压后供给所述主控芯片和闪存存储芯片。其中，所述主控芯片和所述闪存存储芯片均为标准封装，分别包括至少一个电源供给端和至少一个接地端，且所述主控芯片工作电压可为1.8V也可以为3.3V，所述闪存存储芯片工作电压为3.3V；所述连接器包括电源端和接地端，所述连接器电源端由外界提供输入电压，通过所述升压电路将输入电压提高后输出，为所述存储卡电路中各部分提供电源电压；所述连接器接地端与所述存储卡电路中各部分的接地端相连，与上述各电源端一起，形成所述存储卡的电源回路；在本实施例中，所述连接器电源端输入的电压为1.8V，所述升压电路将其升为3.3V后输出。更进一步地，上述升压电路具体包括升压集成模块、电感、电容和二极管，该升压集成模块的型号为AME8805，包括三个端子：升压集成模块输入端、升压集成模块输出端和升压集成模块接地端；所述连接器电源端连接在所述电感的一端，该电感的另一端连接在所述升压集成电路AME8805的输入端，而所述升压集成电路AME8805的输出端连接到所述升压电路本身的输出端，即与主控芯片和闪存存储芯片的电源供给端相连；在升压集成模块AME8805的输出端和升压集成模块AME8805的接地端之间，还连接有一个电容，该电容的主要作用是滤波及储能；在升压集成模块AME8805的输入端和升压集成模块AME8805的输出端之间，还并接有一个二极管，该二极管的正极连接于所述升压集成模块AME8805的输入端，负极连接于所述升压集成模块AME8805的输出端；同时，所述连接器接地端与所述升压集成模块AME8805的接地端相连(即升压集成模块AME8805的接地端与所述升压电路的接地端相连)，并同时连接到所述主控芯片和闪存存储芯片的接地端，形成完整的电源回路。
在本实施例中，使用标准封装闪存存储芯片，所述标准封装包括TSOP封装，所述标准封装的TSOP的闪存存储芯片的引脚和电路板接触的部分与该芯片的底面处于同一水平面上。在本实施例中，需要对所述标准封装TSOP的闪存存储芯片进行修整，使其引脚与其底面处于同一水平面上，使得在贴片的时候不会增加厚度；将所述主控芯片、修整过的标准TSOP封装的闪存存储芯片以及其余的外围元件，通过SMT贴片、焊接，得到半成品；该半成品通过开卡程序，得到确认的良好的半成品；将上述良好的半成品放入外壳，注入热熔胶，并将所述外壳进行封装压合得到初步的成品。上述的成品在其将要使用的软件环境下进行测试，得到最后的成品。
在本实施例中，由于使用标准TSOP封装的闪存存储芯片来构成闪存存储卡，所以在所述电路板上，所述闪存存储芯片的安装脚位是固定的，可以安装不同容量的闪存芯片，如32M、64M、128M、256M、512M、1G、2G或4G等。由于所述电路板上的空间限制，所以可将主控芯片和所述闪存存储芯片放在所述电路板的同一面上，并以所述电路板上的铜箔相连；在本实施例中，所述存储卡只包括一个标准封装的闪存存储芯片，且与所述主控芯片在所述电路板的同一面。
在本实施例中，所述主控芯片包括LGA封装，该主控芯片的尺寸与现有技术中的主控芯片相比，其尺寸较小，以保证有足够的空间安放所需要的元件。在本实施例中，所述主控芯片的型号包括SK66X2或SMI26X，其封装都为LGA(Land Grid Array)。
在本实施例中，当所述电路板完成装配后，要装入由所述外壳中，采用了利用热溶胶将所述电路板固定在所述外壳内并压合在一起，从而使上述组件形成一个完整的存储卡。为粘合牢固，在本实施例中选用3M公司的热熔胶，其产品型号为615S。当然，在实际应用中，也可以选用别的公司的热溶胶，如SONY公司的NP605等。
在本实施例中，所述连接器包括电路板上的铜箔形成的插脚，所述闪存存储卡通过这些插脚与外界实现连接，以便取得电源和传输数据；这些插脚即通常所说的电路板上的“金手指”，这样做的好处是成本低廉。
本发明适用的范围包括但不限于RS-MMC卡，还包括使用闪存存储芯片的其他存储卡或存储设备，如MMC卡、MiniSD卡、SD卡以及数字硬盘等等。
Claims (9)
1. 一种闪存存储卡，包括外壳、位于所述外壳内的电路板，位于所述电路板上的主控芯片、闪存存储芯片、与外界相连的连接器和多个电子元件通过所述电路板上的预制铜箔相连而形成的存储卡电路，所述连接器包括连接器电源端和连接器接地端，所述主控芯片和存储芯片分别包括一个电源供给端和一个接地端，所述连接器接地端和上述芯片接地端相互连接，其特征在于，所述存储卡电路还包括升压电路，所述升压电路包括输入端、输出端和接地端，其输入端连接在所述连接器的电源端，其输出连接在所述主控芯片和闪存存储芯片的电源供给端，其接地端与所述连接器的接地端相连，所述升压电路将所述连接器电源端上的输入电压升高到所述闪存存储芯片所要求的电压后供给所述主控芯片和闪存存储芯片。
2. 根据权利要求1所述的闪存存储卡，其特征在于，所述升压电路包括升压集成模块、电感、电容和二极管；所述升压集成模块包括升压集成模块输入端、升压集成模块输出端和升压集成模块接地端，所述连接器的电源端连接在所述电感的一端，所述电感的另一端连接在所述升压集成电路输入端，所述升压集成电路输出端连接到所述升压电路的输出端；所述电容连接在所述升压集成模块输出端和升压集成模块接地端之间；所述二极管连接在所述升压集成模块输入端和升压集成模块输出端之间，其正极与所述升压集成模块输入端连接；所述升压集成模块的接地端和所述升压电路接地端相互连接。
3. 根据权利要求2所述的闪存存储卡，其特征在于，所述升压电路的输入电压包括1.8伏、输出电压包括3.3伏。
4. 根据权利要求3所述的闪存存储卡，其特征在于，所述闪存存储芯片的封装包括标准TSOP封装，其工作电压为3.3伏，所述闪存存储芯片的引脚和电路板接触部分与所述闪存存储芯片的底面在同一水平面上。
5. 根据权利要求4所述的闪存存储卡，其特征在于，所述闪存存储芯片的容量包括32M、64M、128M、256M、512M、1G、2G或4G中的任意一种。
6. 根据权利要求5所述的闪存存储卡，其特征在于，所述主控芯片包括工作电压为3.3伏的、LGA封装的SK66X2或SMI26X。
7. 根据权利要求6所述的闪存存储卡，其特征在于，所述升压集成模块包括型号为AME8805的集成模块。
8. 根据权利要求7所述的闪存存储卡，其特征在于，所述外壳和所述电路板通过热熔胶粘合为一体，所述热熔胶包括3M公司的615S或SONY公司的NP605。
9. 根据权利要求1-8任意一项所述的闪存存储卡，其特征在于，所述连接器包括所述电路板上铜箔形成的插脚。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2007100735826A CN101271725A (zh) | 2007-03-19 | 2007-03-19 | 闪存存储卡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2007100735826A CN101271725A (zh) | 2007-03-19 | 2007-03-19 | 闪存存储卡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101271725A true CN101271725A (zh) | 2008-09-24 |
Family
ID=40005619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2007100735826A Pending CN101271725A (zh) | 2007-03-19 | 2007-03-19 | 闪存存储卡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101271725A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105280234A (zh) * | 2015-10-29 | 2016-01-27 | 深圳芯邦科技股份有限公司 | 一种闪存控制芯片 |
| CN108304905A (zh) * | 2017-01-11 | 2018-07-20 | 厦门雅迅网络股份有限公司 | 一种存储卡电路 |
| CN109284808A (zh) * | 2018-09-13 | 2019-01-29 | 深圳市江波龙电子股份有限公司 | 一种多媒体存储卡以及移动电子设备 |
| CN111399613A (zh) * | 2018-12-14 | 2020-07-10 | 华为技术有限公司 | 一种存储装置以及电子设备 |
-
2007
- 2007-03-19 CN CNA2007100735826A patent/CN101271725A/zh active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105280234A (zh) * | 2015-10-29 | 2016-01-27 | 深圳芯邦科技股份有限公司 | 一种闪存控制芯片 |
| CN105280234B (zh) * | 2015-10-29 | 2019-07-30 | 深圳芯邦科技股份有限公司 | 一种闪存控制芯片 |
| CN108304905A (zh) * | 2017-01-11 | 2018-07-20 | 厦门雅迅网络股份有限公司 | 一种存储卡电路 |
| CN109284808A (zh) * | 2018-09-13 | 2019-01-29 | 深圳市江波龙电子股份有限公司 | 一种多媒体存储卡以及移动电子设备 |
| CN111399613A (zh) * | 2018-12-14 | 2020-07-10 | 华为技术有限公司 | 一种存储装置以及电子设备 |
| CN111399613B (zh) * | 2018-12-14 | 2023-03-03 | 华为技术有限公司 | 一种存储装置以及电子设备 |
| US11699061B2 (en) | 2018-12-14 | 2023-07-11 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Storage apparatus and electronic device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101470770B (zh) | 集成电路及构造集成电路的方法 | |
| CN100424721C (zh) | 采用塑封工艺将芯片和元件组合封装成智能卡的方法 | |
| CN103107171B (zh) | 一种倒装芯片的半导体器件 | |
| CN101271725A (zh) | 闪存存储卡 | |
| CN1904913A (zh) | 一种在内部实现电源管理的智能卡及电源管理的方法 | |
| US7358600B1 (en) | Interposer for interconnecting components in a memory card | |
| CN101257767B (zh) | 印刷电路板及其制造方法 | |
| CN204465503U (zh) | 通用数字逻辑集成电路代换模块 | |
| CN103348471B (zh) | 半导体芯片、存储设备 | |
| CN204516361U (zh) | 嵌入式存储芯片、嵌入式电子设备 | |
| CN201898232U (zh) | 连接器的结构 | |
| CN201584171U (zh) | 用于电子储存装置的封装结构 | |
| KR101080386B1 (ko) | 태양 충전형 ｕｓｂ 메모리 장치 | |
| CN201166856Y (zh) | 使用标准封装闪存芯片制造的存储卡 | |
| CN102347063B (zh) | 储存装置及制造储存装置的方法 | |
| CN203103284U (zh) | Tsop存储装置 | |
| CN103107173B (zh) | 储存装置及其制造方法 | |
| CN201477623U (zh) | 一种智能卡及非接触式天线 | |
| KR20210090682A (ko) | 저장 장치 및 전자 장치 | |
| CN205429359U (zh) | 一种type-c接口与USB接口一体封装存储盘结构 | |
| CN213303076U (zh) | 一种Micro SD存储卡 | |
| CN114582811B (zh) | 一种存储器集成微系统 | |
| CN204167636U (zh) | 一种手机u盘用黑胶体 | |
| CN212660378U (zh) | 一种基于智能机芯片的组合板卡 | |
| CN101694697B (zh) | 一种智能卡及其制作方法及非接触式天线 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Open date: 20080924 |