KR960015942A - 다공질 실리콘을 이용한 mmic 기판의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 초고주파 회로(MMIC) 기판의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 다공질 실리콘(Porous Silicon Layer) 또는 산화 다공질 실리콘층(Oxidized PSL)을 이용하여 제작단가가 저렴하면서도 절연특성이 우수한 MMlC 기판을 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.
소정의 실리콘 기판에 소정 도전형의 불순물을 주입하여 활성영역을 형성한 후, 활성영역의 적보호를 위하여 활성영역 상부에 보호막을 형성하는 단계; 상기 활성영역을 구비한 실리콘 기판을 불산(HF)의 수용액에서 양극반응시켜 상기 활성영역이 완전 고립되고 충분히 전기적 절연이 확보될 수 있을 정도의 두께를 갖는 다공질 실리콘층(Porous Silicon Layer)을 형성하는 단계; 상기 보호막 제거한 후 상기 다공질 실리콘층의 전면에 절연충을 형성하고, 절연층 상부에 비활성 소자 및 전송선을 형성하는 단계; 및 상기 다공질 실리콘층으로 변형되지 않은 실리콘 기판을 제거한 후, 다공질 실리콘층의 후면에 전극을 형성하는 단계로 구성된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 다공질 실리콘을 이용한MMIC 기판의 구조단면도,
제3도(가)∼(바)는 본 발명의 다공질실리콘 MMIC 기판의 제조방법을 각 단계별로 도시한 공정 단면도이다.
Claims (4)
- 초고주파 회로(MMlC) 기판의 제조방법에 있어서, 소정의 실리콘 기판(]0')에 소정 도전형의 불순물을 주입하여 활성영역(15)을 형성한 후, 활성영역(15)의 표면보호를 위하여 활성영역(15) 상부에 보호막(13)을 형성하는 단계; 상기 활성영역(15)을 구비한 실리콘 기판(10')을 소정의 수용액에서 양극반응시켜 상기 활성영역(15)이 완전 고립되고 충분한 전기적 절연이 확보될 수 있을 정도의 두께를 갖는 다공질 실리콘층(Porous Silicon Layer)(10)을 형성하는 단계; 상기 보호막(13) 제거 후 상기 다공질 실리콘층(10)의 전면에 절연층(23)을 형성하고, 절연층(23) 상부에 비활성 소자(19) 및 전송선을 형성하고 활성영역(15)에 합성소자를 형성하는 단계; 및 상기 다공길 실리콘층(l0)으로 변형되지 않은 실리콘 기판(10')을 제거한 후, 다공질 실리콘층(l0)의 후면에 전극(16)을 형성하는 단계로 이루어진 특징으로 하는 다공질 실리콘을 이용한 MMIC 기판의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연층(23) 형성공정을 배제하고 절연특성을 향상시키기 위하여 상기 다공질 실리콘층(10) 형성 후 고온의 열산화 공정을 부가하여 산화 다공질 실리콘층(Oxidized PSL)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공질 실리콘을 이용한 MMIC 기판의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다공질 실리콘층(I0)의 두께(t)가 상기 불산(HF) 수용액의 농도 및 반응전류 일도에 의해 제어됨을 특징으로 하는 다공질 실리콘을 이용한 MMIC 기판의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다골징 실리콘층(10)으로 변형되지 않은 실리콘 기판(10')을 상기 활성영역(15)과 비활성 소자(19)간의 전기적 간섭을 막고 기계적 지지를 위하여 제거하지 않고 그대로 사용하여, 이 실리콘기판(10') 후면에 전극을 형성시키는 것을 특징으로 하는 다공질 실리콘을 이용간 MMlC 기판의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019940026395A KR100221543B1 (ko) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | 다공질 실리콘을 이용한 mmic기판의 제조방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940026395A KR100221543B1 (ko) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | 다공질 실리콘을 이용한 mmic기판의 제조방법 |
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| KR960015942A true KR960015942A (ko) | 1996-05-22 |
| KR100221543B1 KR100221543B1 (ko) | 1999-09-15 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940026395A KR100221543B1 (ko) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | 다공질 실리콘을 이용한 mmic기판의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100221543B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100451554B1 (ko) * | 2002-08-30 | 2004-10-08 | 삼성전자주식회사 | 멀티미디어용 시스템온칩 프로세서 |
| KR101654044B1 (ko) | 2015-11-30 | 2016-09-05 | (주)천지인 | 녹화용 식생 조성물을 이용한 비탈면 녹화 공법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100405194B1 (ko) * | 2000-11-30 | 2003-11-10 | 텔레포스 주식회사 | 다공성 산화 실리콘층의 선택적 형성 방법, 이를 이용한 멀티칩 패키지 및 반도체 기판 |
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1994
- 1994-10-14 KR KR1019940026395A patent/KR100221543B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100451554B1 (ko) * | 2002-08-30 | 2004-10-08 | 삼성전자주식회사 | 멀티미디어용 시스템온칩 프로세서 |
| KR101654044B1 (ko) | 2015-11-30 | 2016-09-05 | (주)천지인 | 녹화용 식생 조성물을 이용한 비탈면 녹화 공법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100221543B1 (ko) | 1999-09-15 |
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