KR100405194B1 - 다공성 산화 실리콘층의 선택적 형성 방법, 이를 이용한 멀티칩 패키지 및 반도체 기판 - Google Patents
다공성 산화 실리콘층의 선택적 형성 방법, 이를 이용한 멀티칩 패키지 및 반도체 기판 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100405194B1 KR100405194B1 KR10-2000-0072012A KR20000072012A KR100405194B1 KR 100405194 B1 KR100405194 B1 KR 100405194B1 KR 20000072012 A KR20000072012 A KR 20000072012A KR 100405194 B1 KR100405194 B1 KR 100405194B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- silicon substrate
- porous silicon
- impurity
- oxide layer
- type
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02203—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being porous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Description
Claims (8)
- (정정) 제1 불순물이 주입되어 있는 실리콘 기판 위에 감광막 패턴을 형성하는 제1 단계,상기 감광막 패턴을 마스크로 하여 노출되어 있는 상기 실리콘 기판에 제2 불순물 이온을 주입하여 불순물 주입 영역을 형성하는 제2 단계,상기 감광막 패턴을 제거하는 제3 단계,상기 불순물 주입 영역이 노출되어 있는 상태로 실리콘 기판을 양극화 반응시켜 소정 두께의 다공성 실리콘층을 형성하는 제4 단계,상기 다공성 실리콘층을 산화시키는 제5단계를 포함하는 다공성 산화 실리콘층의 선택적 형성 방법.
- (정정) 제1항에서,상기 제1 불순물 이온은 P형 불순물 이온이고, 상기 제2 불순물 이온은 N형 불순물 이온인 다공성 산화 실리콘층의 선택적 형성 방법.
- (정정) 제1 불순물 이온이 주입되어 있는 실리콘 기판,상기 실리콘 기판의 표면부에 특정한 패턴으로 형성되어 있는 제2 불순물 이온이 주입되어 있는 영역,상기 실리콘 기판 표면부의 상기 제2 불순물 이온이 주입되어 있는 영역 이외의 영역에 형성되어 있는 다공성 산화 실리콘층을 포함하는 멀티칩 패키지
- (정정) 제3항에서,상기 제1 불순물 이온은 P형 불순몰 이온이고, 상기 제2 불순물 이온은 N형 불순물 이온인 멀티칩 패키지.
- 제3항 또는 제4항에서,상기 실리콘 기판 위에 형성되어 있는 범퍼,상기 범퍼 위에 놓여 있는 플립칩을 더 포함하는 멀티칩 패키지.
- 제3항 또는 제4항에서,상기 실리콘 기판 위에 형성되어 있는 도금 전극,상기 실리콘 기판 위에 형성되어 있으며 수동 소자와 능동 소자 중의 적어도 하나를 포함하는 전기 소자,상기 도금 전극 위에 형성되어 있는 베어칩,상기 베어칩과 상기 실리콘 기판 위에 형성되어 있는 전기 소자를 연결하는 본딩 와이어를 더 포함하는 멀티칩 패키지.
- (신설) P형 실리콘 기판,상기 P형 실리콘 기판 표면의 소정 영역에 형성되어 있는 N형 불순물 이온 주입 영역,상기 N형 불순물 주입 영역 이외의 부분에 20㎛ 이상의 두께로 선택적으로 형성되어 있는 산화된 다공성 실리콘층을 포함하고, 상기 N형 불순물 이온 주입 영역의 하부는 상기 P형 실리콘 기판과 접촉하고 있는 반도체 기판.
- (신설) 제1항에서,상기 제2 단계에서 주입하는 제2 불순물 이온의 농도는 5E13/cm2이상인 다공성 산화 실리콘층의 선택적 형성 방법.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2000-0072012A KR100405194B1 (ko) | 2000-11-30 | 2000-11-30 | 다공성 산화 실리콘층의 선택적 형성 방법, 이를 이용한 멀티칩 패키지 및 반도체 기판 |
PCT/KR2001/000473 WO2002045146A1 (en) | 2000-11-30 | 2001-03-23 | Fabrication method of selectively oxidized porous silicon (sops) layer and multi-chip package using the same |
AU2001248861A AU2001248861A1 (en) | 2000-11-30 | 2001-03-23 | Fabrication method of selectively oxidized porous silicon (sops) layer and multi-chip package using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2000-0072012A KR100405194B1 (ko) | 2000-11-30 | 2000-11-30 | 다공성 산화 실리콘층의 선택적 형성 방법, 이를 이용한 멀티칩 패키지 및 반도체 기판 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020042215A KR20020042215A (ko) | 2002-06-05 |
KR100405194B1 true KR100405194B1 (ko) | 2003-11-10 |
Family
ID=27678712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2000-0072012A KR100405194B1 (ko) | 2000-11-30 | 2000-11-30 | 다공성 산화 실리콘층의 선택적 형성 방법, 이를 이용한 멀티칩 패키지 및 반도체 기판 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100405194B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4677331B2 (ja) | 2005-11-30 | 2011-04-27 | エルピーダメモリ株式会社 | 島状の分散構造を備えた半導体チップおよびその製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100221543B1 (ko) * | 1994-10-14 | 1999-09-15 | 정선종 | 다공질 실리콘을 이용한 mmic기판의 제조방법 |
-
2000
- 2000-11-30 KR KR10-2000-0072012A patent/KR100405194B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100221543B1 (ko) * | 1994-10-14 | 1999-09-15 | 정선종 | 다공질 실리콘을 이용한 mmic기판의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020042215A (ko) | 2002-06-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100552551B1 (ko) | 플립 칩을 위한 고성능 실리콘 접점 | |
US6709978B2 (en) | Method for forming integrated circuits using high aspect ratio vias through a semiconductor wafer | |
TWI247563B (en) | Interposer and method of making same | |
US5608264A (en) | Surface mountable integrated circuit with conductive vias | |
US7075133B1 (en) | Semiconductor die with heat and electrical pipes | |
CA2406054A1 (en) | Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits | |
KR100713121B1 (ko) | 칩과 이를 이용한 칩 스택 및 그 제조방법 | |
US6187611B1 (en) | Monolithic surface mount semiconductor device and method for fabricating same | |
US6638688B2 (en) | Selective electroplating method employing annular edge ring cathode electrode contact | |
KR100405194B1 (ko) | 다공성 산화 실리콘층의 선택적 형성 방법, 이를 이용한 멀티칩 패키지 및 반도체 기판 | |
KR100466224B1 (ko) | 반도체 칩 실장용 베이스 기판의 제조 방법 | |
KR100280068B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR100235181B1 (ko) | 선택적 산화막 다공성 실리콘층을 이용한 패키징 방법 | |
KR100450243B1 (ko) | 반도체 소자의 범프 제조 방법 | |
KR940007290B1 (ko) | 와이어 본딩 패드 형성방법 | |
KR970003730B1 (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조방법 | |
KR20030050179A (ko) | 듀얼 게이트 산화막의 형성 방법 | |
WO2002045146A1 (en) | Fabrication method of selectively oxidized porous silicon (sops) layer and multi-chip package using the same | |
KR100248150B1 (ko) | 반도체소자의 콘택홀형성방법 | |
KR100186297B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 구조 | |
JP2601640B2 (ja) | 電気的導体構造を作成する方法と大規模集積回路 | |
KR20010075962A (ko) | 재배열 금속배선기술을 적용한 패키징 제조방법 | |
KR100596826B1 (ko) | 반도체소자의 패드 형성방법 | |
KR100591128B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
KR100702119B1 (ko) | 반도체소자의 본딩패드 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121002 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130916 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141001 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160714 Year of fee payment: 13 |
|
R401 | Registration of restoration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161004 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171011 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181002 Year of fee payment: 16 |