KR960015088A - 감광성 수지조성물 및 레지스트상의 제조방법 - Google Patents

감광성 수지조성물 및 레지스트상의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960015088A
KR960015088A KR1019950034022A KR19950034022A KR960015088A KR 960015088 A KR960015088 A KR 960015088A KR 1019950034022 A KR1019950034022 A KR 1019950034022A KR 19950034022 A KR19950034022 A KR 19950034022A KR 960015088 A KR960015088 A KR 960015088A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
resin composition
compound
photosensitive resin
acid
Prior art date
Application number
KR1019950034022A
Other languages
English (en)
Inventor
고지 가또
마사히로 하시모또
미찌아끼 하시모또
도시오 사까미즈
Original Assignee
가나이 쯔또무
가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
단노 다께시
히다찌카세이고교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가나이 쯔또무, 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼, 단노 다께시, 히다찌카세이고교 가부시끼가이샤 filed Critical 가나이 쯔또무
Publication of KR960015088A publication Critical patent/KR960015088A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing
    • Y10S430/111—Polymer of unsaturated acid or ester

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

감광성 수지조성물 및 레지스트패턴의 제조방법에 관한 것으로써, 고감도, 고해상도이며, 또한 안정성이 높은 포지티브형 또는 네가티브형 패턴을 높은 정밀도로 정확하게 형성할 수 있고, γ값이 충분히 높은 양호한 포지티브형 또는 네가티브형의 미세패턴을 공업적으로 유리한 알칼리수용액을 현상액으로써 사용한 현상에 의해서 높은 정밀도로 형성할 수 있으며, 셀프라이프나 프로세스의 안정성이 우수하고, 현상중에 장해가 발생할 염려가 없게 하기 위해, 방사선의 조사에 의해서 산을 발생하는 제1의 화합물 및 산촉매반응에 의해서 알칼리 수용액에 대한 용해성을 변화시키는 제2의 화합물을 포함하는 화학증폭계 감광성 수지조성물로써, 일반식(1) 또는 (2)에 의해 표시되는 조성을 갖는 이온해리성의 화합물이 첨가된 감광성 수지조성물 및 이 조성물을 사용하였다.
(식(1)에 있어서, R2, R3및 R4는 수소 및 탄소수 1∼7의 알킬기 또는 아릴기, R1, R2, R3및 R4중 적어도 하나는 수소, Y1은 염소, 취소, 요오드, 탄소수 1∼7의 탄산염기 또는 탄소수 1∼7의 술폰산염기를 나타낸다)
(식(2)에 있어서, R5, R6및 R7은 수소, 탄소수 1∼7의 알킬기 또는 아릴기이고, Y2는 염소, 취소, 요오드 또는 탄소수 1∼7의 탄산염기를 나타낸다) 상기에 의해, 고감도, 고해상도이며, 또한 안정성이 높은 포지티브형 또는 네가티브형 패턴을 높은 정밀도로 정확하게 형성할 수 있고, r값이 충분히 높은 양호한 포지티브형 또는 네가티브형의 미세패턴을 공업적으로 유리한 알칼리수용액을 현상액으로써 사용한 현상에 의해서 높은 정밀도로 형성할 수 있으며, 셀프라이프나 프로세스의 안정성이 우수하고, 현상중에 장해가 발생할 염려가 없게 된다.

Description

감광성 수지조성물 및 레지스트상의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (16)

  1. 방사선의 조사에 의해서 산을 발생하는 제1의 화합물 및 산촉매반응에 의해 알칼리수용액에 대해서 용해성을 변화시키는 반응성을 갖는 제2의 화합물을 포함하는 화학증포계 감광성 수지조성물로써,
    (단, 식(1)에 있어서, R2, R3및 R4는 수소 및 탄소수 1∼7의 알킬기 또는 아릴기, R1, R2, R3및 R4중 적어도 하나는 수소, Y1은 염소, 취소, 요오드, 탄소수 1∼7의 탄산염기 또는 탄소수 1∼7의 술폰산염기를 나타낸다)
    (단, 식(2)에 있어서, R5, R6및 R7은 수소, 탄소수 1∼7의 알킬기 또는 아릴기이고, Y2은 염소, 취소, 요오드, 탄소수 1∼7의 탄산염기를 나타낸다) 상기 일반식(1)로 표시되는 이온해리성의 화합물 및 상기 일반식(2)로 표시되는 이온해리성의 화합물 중 적어도 한쪽을 함유해서 이루어지는 감광성 수지조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 이온해리성의 화합물의 함유량은 상기 방사선의 조사에 의해서 산을 발생하는 제1의 화합물 100중량부에 대해서 0.01중량부∼10중량부인 감광성 수지조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 일반식(1)로 표시되는 조성을 갖는 이온해리성의 화합물은 염화 트리펜틸암모늄, 초산암모늄, 안식향산암모늄, 염화 트리페닐암모늄의 1∼3급 암모늄염으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종류인 감광성 수지조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 일반식(2)로 표시되는 이온해리성의 화합물은 요오드화 트리메틸술포늄. 취화 트리페닐술포늄 및 요오드화 에틸디메틸술포늄의 1∼4급 술로늄염으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종류인 감광성 수지조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 방사선의 조사에 의해서 산을 발생하는 제1의 화합물의 함유량은 알칼리수용액에 대한 용해도를 촉매반응에 의해서 변화시키는 제2의 화합물 100중량부에 대해서 5∼30중량부인 감광성 수지조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 방사선의 조사에 의해서 산을 발생하는 제1의 화합물은 오늄염인 감광성 수지조성물.
  7. 제6항에 있어서, 상기 오늄염은 디아조늄염, 디아릴요오드늄염 및 트리아릴술포늄염등의 오늄염으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종류인 감광성 수지조성물.
  8. 제6항에 있어서, 상기 오늄염의 반대의 아니온은 테트라플루오르붕산, 헥사플루오르안티몬산, 트리플루오르메탄술폰산, 트리플루오프초산, 톨루엔술폰산염 및 페놀성 수산기를 다수 함유하는 화합물과 알킬술폰산염의 에스테르로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종류인 감광성 수지조성물.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제2의 화합물은 알칼리 가용성 페놀수지의 수산기에 테트라히드로필라닐기, t-부톡시기, 시릴기 또는 에톡시에틸기를 반응시킨 고분자화합물 및 아세탈구조를 메인사슬로 갖는 고분자화합물 및 탄산염구조를 메인사슬로 갖는 고분자화합물로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종류인 감광성 수지조성물.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제2의 화합물은 에폭시기, 메톡시에틸기 및 메티롤기로 이루어지는 군에서 적어도 1종류를 갖는 화합물과 알칼리 가용성수지인 감광성 수지조성물.
  11. 제1항에 있어서, 알칼리 가용성 수지가 또 함유되어 있는 감광성 수지조성물.
  12. 제11항에 있어서, 상기 알칼리 가용성수지는 노블락수지, 아크릴수지, 스틸렌과 아크릴산의 공중합체, 히드록시스틸렌의 중합체 및 폴리비닐페놀로 이루어지는 군에서 선택되는 감광성 수지조성물.
  13. 방사선의 조사에 의해서 산을 발생하는 제1의 화합물 및 산촉매반응에 의해 알칼리수용액에 대해서 용해성을 변화시키는 반응성을 갖는 제2의 화합물을 포함하는 화학증폭계 감광성 수지조성물을 사용한 레지스트패턴의 제조방법으로써,
    (단, 식(1)에 있어서, R2, R3및 R4는 수소 및 탄수소 1∼7의 알킬기 또는 아릴기, R1, R2, R3및 R4중 적어도 하나는 수소, Y1은 염소, 취소, 요오드, 수산기 탄소수 1∼7의 탄산염기 또는 탄소수 1∼7의 술폰산염기를 나타낸다)
    (단, 식(2)에 있어서, R5, R6및 R7은 수소, 탄수소 1∼7의 알킬기 또는 아릴기이고, Y2은 염소, 취소, 요오드 또는 탄소수 1∼7의 탄산염기를 나타낸다) 상기 일반식(1)로 표시되는 이온해리성의 화합물 및 상기 일반식(2)로 표시되는 이온해리성의 화합물중 적어도 한쪽을 함유해서 이루어지는 감광성 수지조성물을 형성하는 공정, 상기 감광성 수지조성물을 용제에 용해해서 용액으로 하는 공정, 상기 용액을 피가공물의 표면상에 도포해서 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막의 소정부분에 방사선을 조사해시 피조사부분의 알칼리수용액에 대한 용해도를 변화시키는 공정 및 상기 레지스트막을 알칼리수용액으로 현상해서 소정의 레지스트패턴을 현성하는 공정을 포함하는 레지스트패턴의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 상깅 용제는 글리콜에테르, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트, 방향족탄화수소, 케톤 및 2-히드록시프로피온산의 에스테르로 이루어지는 군에서 선택되는 레지스트패턴의 제조방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 알칼리 수용액은 무기알칼리, 제1급 아민, 제2급 아민, 제3급 아민, 알클아민, 제4급 암모늄염 및 환형상 아민류로 이루어지는 군에서 선택된 재료의 수용액인 레지스트패턴의 제조방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 방사선은 자외선, 원자외선, X선 및 전자식으로 이루어지는 군에서 선택되는 레지스트패턴의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950034022A 1994-10-13 1995-10-05 감광성 수지조성물 및 레지스트상의 제조방법 KR960015088A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP94-247656 1994-10-13
JP6247656A JPH08110638A (ja) 1994-10-13 1994-10-13 感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR960015088A true KR960015088A (ko) 1996-05-22

Family

ID=17166728

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950034022A KR960015088A (ko) 1994-10-13 1995-10-05 감광성 수지조성물 및 레지스트상의 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6319649B1 (ko)
JP (1) JPH08110638A (ko)
KR (1) KR960015088A (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100552008B1 (ko) * 1997-05-26 2006-06-01 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 포토레지스트조성물
KR20210020834A (ko) * 2019-08-14 2021-02-24 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 화학 증폭 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR20210020833A (ko) * 2019-08-14 2021-02-24 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR20210028592A (ko) * 2019-09-04 2021-03-12 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법
KR20210031842A (ko) * 2019-09-13 2021-03-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9525956D0 (en) * 1995-12-19 1996-02-21 Zeneca Ltd Manufacture of glyphosate salts
US7192681B2 (en) 2001-07-05 2007-03-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photosensitive composition
JP3790960B2 (ja) 2001-10-19 2006-06-28 富士写真フイルム株式会社 ネガ型レジスト組成物
US7070914B2 (en) 2002-01-09 2006-07-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition
US20030215736A1 (en) * 2002-01-09 2003-11-20 Oberlander Joseph E. Negative-working photoimageable bottom antireflective coating
US7108958B2 (en) * 2002-07-31 2006-09-19 Brewer Science Inc. Photosensitive bottom anti-reflective coatings
JP4346358B2 (ja) 2003-06-20 2009-10-21 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 化学増幅型レジスト組成物およびそれを用いた半導体装置の製造方法、パターン形成方法
JP4612999B2 (ja) 2003-10-08 2011-01-12 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
EP1673801B1 (en) * 2003-10-15 2014-04-09 Brewer Science, Inc. Developer-soluble materials and methods of using the same in via-first dual damascene applications
US20050255410A1 (en) 2004-04-29 2005-11-17 Guerrero Douglas J Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers
JP4524154B2 (ja) 2004-08-18 2010-08-11 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
WO2007032109A1 (ja) * 2005-09-15 2007-03-22 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. 光硬化性組成物、光硬化性インク組成物及びそれを用いる印刷方法とレジスト用組成物
US7914974B2 (en) * 2006-08-18 2011-03-29 Brewer Science Inc. Anti-reflective imaging layer for multiple patterning process
US20080241745A1 (en) 2007-03-29 2008-10-02 Fujifilm Corporation Negative resist composition and pattern forming method using the same
KR101347284B1 (ko) * 2007-09-28 2014-01-07 삼성전자주식회사 광산발생제 및 이를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물
US8236476B2 (en) * 2008-01-08 2012-08-07 International Business Machines Corporation Multiple exposure photolithography methods and photoresist compositions
US8133659B2 (en) * 2008-01-29 2012-03-13 Brewer Science Inc. On-track process for patterning hardmask by multiple dark field exposures
US9640396B2 (en) * 2009-01-07 2017-05-02 Brewer Science Inc. Spin-on spacer materials for double- and triple-patterning lithography
TW201106101A (en) * 2009-06-01 2011-02-16 Fujifilm Electronic Materials Chemically amplified positive photoresist composition
US10377692B2 (en) * 2009-09-09 2019-08-13 Sumitomo Chemical Company, Limited Photoresist composition
JP5516384B2 (ja) * 2010-01-05 2014-06-11 住友化学株式会社 レジスト組成物

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3779778A (en) 1972-02-09 1973-12-18 Minnesota Mining & Mfg Photosolubilizable compositions and elements
US4491628A (en) 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
JPH0225850A (ja) 1988-07-15 1990-01-29 Hitachi Ltd 放射線感応性組成物およびそれを用いたパターン形成法
US5403695A (en) 1991-04-30 1995-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Resist for forming patterns comprising an acid generating compound and a polymer having acid decomposable groups
US5393642A (en) 1992-12-31 1995-02-28 The University Of North Carolina At Charlotte Ionic modification of organic resins and photoresists to produce photoactive etch resistant compositions
KR100233367B1 (ko) * 1993-04-15 1999-12-01 카나가와 치히로 레지스트 재료
JP3433017B2 (ja) * 1995-08-31 2003-08-04 株式会社東芝 感光性組成物
US5879856A (en) * 1995-12-05 1999-03-09 Shipley Company, L.L.C. Chemically amplified positive photoresists

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100552008B1 (ko) * 1997-05-26 2006-06-01 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 포토레지스트조성물
KR20210020834A (ko) * 2019-08-14 2021-02-24 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 화학 증폭 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR20210020833A (ko) * 2019-08-14 2021-02-24 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR20210028592A (ko) * 2019-09-04 2021-03-12 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법
KR20210031842A (ko) * 2019-09-13 2021-03-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08110638A (ja) 1996-04-30
US6319649B1 (en) 2001-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960015088A (ko) 감광성 수지조성물 및 레지스트상의 제조방법
EP0543761B1 (en) Crosslinkable aqueous developable photoresist compositions
EP1625447B1 (en) Photoacid generators with perfluorinated multifunctional anions
US6605409B2 (en) Positive resist composition
KR100760245B1 (ko) 포지티브 레지스트 조성물
Reichmanis et al. Chemical amplification mechanisms for microlithography
KR100320773B1 (ko) 포토레지스트 조성물
EP1199603B1 (en) Positive photosensitive composition
CN109422672B (zh) 锍化合物、抗蚀剂组合物和图案化方法
JP4854023B2 (ja) 感光性組成物
JP4231622B2 (ja) ポジ型レジスト組成物
KR100233367B1 (ko) 레지스트 재료
KR20030080195A (ko) 전자선, 극자외선 또는 엑스선용 레지스트 조성물
US20160195808A1 (en) Reagent for enhancing generation of chemical species
KR100383471B1 (ko) 방사선감수성조성물
KR20140086904A (ko) 산 발생제 및 이를 포함하는 포토레지스트
KR20180025272A (ko) 술포늄 화합물, 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법
KR20120098480A (ko) 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법
KR101944585B1 (ko) 고분자 화합물, 포지티브형 레지스트 조성물, 적층체 및 레지스트 패턴 형성 방법
DE4202845A1 (de) Strahlungsempfindliches gemisch
KR101659915B1 (ko) 신규 아크릴계 단량체, 중합체 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
KR101636795B1 (ko) 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 및 그 조성물을 사용한 패턴 형성 방법
KR950032084A (ko) 신규술포늄염 및 화학증폭 포지형 레지스트 조성물
TWI497212B (zh) 感光化射線或感放射線樹脂組成物及使用該組成物之圖案形成方法
CN103930828B (zh) 杂化光致抗蚀剂组合物和使用它的图案形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application