KR960009410A - 레벨변환회로 - Google Patents

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KR960009410A
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하루미 가와노
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진구지 준
오끼덴끼고오교 가부시끼가이샤
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
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    • H03K19/018521—Interface arrangements of complementary type, e.g. CMOS

Abstract

[목적] 종래 보다 정지시 전류의 발생이 적은 레벨변환회로를 제공하는 데에 있다.
[구성] 제1전원(110)과 이것 보다 낮은 전압을 나타내는 제2전원(120)의 사이에 C-MOS 인버터회로(25)를 구비한다. 입력신호 VIN에 있어서의 최대전압에 P-MOS (21)의 문턱치 전압을 가한 전압 보다 낮은 전압이면서 제2전원(120)이 나타내는 전압 이상의 제3전압을 발생하는 적어도 1개의 전압 발생부(130)를 구비한다. 또한, 제1전원(110)을 C-MOS 인버터회로(25)를 구성하는 P-MOS(21)가 만들어진 기판에 접속하기 위한 제1회로(29)와, 전압 발생부(130)를 상기 기판에 접속하기 위한 제2회로(31)와, 입력신호 VIN에 따라 제1회로(29)및 제2회로(31)의 어느 일방을 유효하게 하는 회로 전환부(140)를 구비한다.

Description

레벨변환회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 제1발명의 실시예1 회로의 구성의 설명도.

Claims (6)

  1. 제1전원과 이것 보다 낮은 전압을 나타내는 제2전원과의 사이에 C-MOS 인버터회로를 구비하고, 입력신호의 레벨을 변환하여 출력하는 레벨 변환회로에 있어서, 제1전원이 나타내는 전압 보다 낮으면서 제2전원이 나타내는 전압이상의 제3전압을 발생하는 1개 이상의 전압 발생부와, 상기 제1전원을 C-MOS 인버터회로를 구성하는 P-MOS가 만들어진 기판에 접속하기 위한 제1회로와, 상기 전압 발생부를 상기 기판에 접속하기 위한 제2회로와, 입력신호에 따라 이들 제1회로 및 제2회로의 어느 한쪽을 유효하게 하는 회로 전환부를 구비한 것을 특징으로 하는 레벨변환회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제3전압이, 상기 입력신호에 있어서 최대전압에 상기 P-MOS의 문턱치 전압을 가한 전압 보다 낮은 전압인 것을 특징으로 하는 레벨변환회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 P-MOS의 소스를 접속하고 있으며, 또 이접속점에 상기 제1회로및 제2회로의 일단을 접속하고 있는 것을 특징으로 하는 레벨변환회로.
  4. 제1전원과 이것 보다 낮은 전압을 나타내는 제2전원과의 사이에 C-MOS 인버터회로를 구비하고, 입력신호의 레벨을 변환하여 출력하는 레벨 변환회로에 있어서, 제1전원이 나타내는 전압 이하이면서 제2전원이 나타내는 전압보다 높은 제3전압을 발생하는 1개 이상의 전압 발생부와, 상기 제2전원을 C-MOS 인버터회로를 구성하는 N-MOS가 만들어진 기판에 접속하기 위한 제1회로와, 상기 전압 발생부를 상기 기판에 접속하기 위한 제2회로와, 입력신호에 따라 이들 제1회로 및 제2회로의 어느 한쪽을 유효하게 하는 회로 전환부를 구비한 것을 특징으로 하는 레벨변환회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제3전압이, 상기 입력신호에 있어서 최저전압으로부터 상기 N-MOS의 문턱치전압을 뺀 전압 보다 높은 전압인 것을 특징으로 하는 레벨 변환회로.
  6. 제4항에 있어서, 상기 기판과 상기 N-MOS의 소스를 접속하고 있으며, 또 이 접속점에 상기 제1회로 및 제2회로의 일단을 접속하고 있는 것을 특징으로 하는 레벨변환회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950015908A 1994-08-16 1995-06-15 레벨변환회로 KR100329250B1 (ko)

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