JP5023798B2 - スイッチング電源装置 - Google Patents

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本発明は、第1の電圧振幅で変化する入力信号を入力し、第2の電圧振幅で変化する出力信号を出力するレベルシフト回路を用いたスイッチング電源装置に関する。
従来のレベルシフト回路としては、例えば特許文献1に記載されたものがある。図2は、その特許文献1に記載された従来のレベルシフト回路の回路図である。その図2を参照して、特許文献1に記載された従来のレベルシフト回路について具体的に説明する。そのレベルシフト回路は、入力端子INに入力する信号のレベルがLレベルVl(0V)からHレベルVh(例えば3V)の間で変化したときに、出力端子OUTから出力される信号のレベルがLレベルVL(0V)からHレベルVH(例えば5V)の間で変化するものである。
入力端子INは、トランジスタTr15、Tr13、Tr18、Tr19の各ゲートと接続されている。トランジスタTr15及びTr13、並びにTr18及びTr19はそれぞれインバータを構成し、前者はトランジスタTr13のソース、後者はトランジスタTr19のソースがそれぞれグランドと接続されている。ここでは便宜的に、前者は第1のインバータ、後者は第2のインバータ、とそれぞれ呼ぶことにする。
第1のインバータには、トランジスタTr14を介して電源電圧VCCH(≒VH)が印加され、第2のインバータには電源電圧VCCL(≒Vh)が印加される。それらの間の電圧レベルは、VCCH>VCCLの関係にある。出力段は、トランジスタTr11及びTr12により構成され、上記出力端子OUTは、トランジスタTr11(Tr12)のドレインと接続されている。トランジスタTr11のゲートは第1のインバータのトランジスタTr15のドレインと接続され、トランジスタTr12のゲートは第2のインバータのトランジスタTr18のドレインと接続されている。第1のインバータを構成するトランジスタTr15及びTr13と直列に接続されたトランジスタTr14のゲートは、上記出力端子OUTと接続されている。
以上の構成において動作を説明する。
入力端子INの電位がLレベルVlになると、第2のインバータのトランジスタTr18がオンし、それによって出力段のトランジスタTr12がオンする。その結果、出力端子OUTの電位はLレベルVLとなる。
出力端子OUTの電位がLレベルVLとなることで、トランジスタTr14はオンする。それにより、電源電圧VCCHがトランジスタTr14及びTr15を介してトランジスタTr11のゲートに印加される。このため、そのゲートの電位は高く維持される。
一方、入力端子INの電位がHレベルVhになると、第1のインバータのトランジスタTr13がオンし、それによって出力段のトランジスタTr11がオンする。その結果、トランジスタTr11を介して電源電圧VCCHが印加され、出力端子OUTの電位はHレベルVHとなる。出力端子OUTの電位がHレベルVHとなることで、トランジスタTr14はオフする。
HレベルVh、VHの間には、Vh<VHの関係がある。それにより、電源電圧VCCHをトランジスタTr15のソースに印加すると、そのゲート電位がVhではトランジスタTr15をオフさせるには不十分な大きさであるために、トランジスタTr15に貫通電
流が流れることとなる。それを回避するために、トランジスタTr14を介して電源電圧VCCHをトランジスタTr15のソースに印加するよう構成し、そのトランジスタTr14のゲートには出力端子OUTの十分な大きさの電圧を印加させるようになっている。第2のインバータに電源電圧VCCHではなく電源電圧VCCLを印加するのは、入力端子INの電位がLレベルVlのときに、トランジスタTr12を確実にオンさせるためである。すなわち、もし第2のインバータの電源電圧をVCCHとすると、入力端子INの電位がHレベルVhのときの第2のインバータの貫通電流を防ぐために、第1のインバータにおけるトランジスタTr14と同様のトランジスタを第2のインバータに設ける必要があり、結局第1のインバータと同じ構成となってしまう。第1のインバータもしくは上記のような構成の第2のインバータの出力をトランジスタTr12のゲートに接続すると、一旦入力端子INおよび出力端子OUTの電位がHレベルになってトランジスタTr14(または第2のインバータにおける同様の役割を果たすトランジスタ)がオフすると、その後に入力端子INの電位がLレベルになってもトランジスタTr12のゲートにHレベルを印加することができないため、出力端子の電位をLレベルに戻せなくなるからである。第2のインバータを図2のように構成してその電源電圧をVCCLとすれば、入力端子INの電位がLレベルVlのとき、トランジスタTr18を介してトランジスタTr12のゲートにHレベルVhを印加して、トランジスタTr12をオンさせることができる。また、入力端子の電位がHレベルVhであっても第2のインバータに貫通電流が流れることはない。上記のように貫通電流が流れることを回避することにより、消費電流の増加を回避することができる。
特開平6−350412号公報
上記特許文献1に記載された従来のレベルシフト回路は、上記貫通電流が流れることを回避することにより、消費電流(電力)はより低減させることができる。しかし、そのために別の電源電圧(VCCL)を用意することは望ましくない。それは以下のような理由からである。
レベルシフト回路(ここでは、それを用いた回路(装置)を含む)は、半導体チップ(IC)上に形成(集積)されるのが普通である。別の電源電圧を必要とする場合、その電圧を発生させる電源回路(装置)を半導体チップ上に形成しなければならない。その内部電源回路の形成により、消費電流、及び半導体チップ上に占める面積(レベルシフト回路、電源回路等を合計した面積)が共に増大する。
入力端子INに入力される信号の電圧レベルによっては、内部電源回路は余計なものとなる。例えばその電圧レベルが電源電圧VCCH以上であれば、内部電源回路は完全に余計なものとなる。その電圧レベルが電源電圧VCCLより小さければ、貫通電流が流れるのを回避できなくなり、内部電源回路を実装する意味は薄れることとなる。このようなことも考慮するならば、内部電源回路を半導体チップ上に形成することは回避すべきと云える。
上記別の電源電圧は、内部電源回路を半導体チップ上に形成する代わりに、外部から入力することも考えられる。しかし、そのためには入力端子を増やさなければならない。入力端子を増やすことには、ICパッケージの大型化、配線設計の複雑化、といった不具合を生じさせる可能性がある。それらは何れも、パッケージの大型化だけでなく、製造コストの増大をまねく原因となる。このようなことから、端子を増加させることは非常に望ましくない。
上述したようなことから、用いる電源電圧を増やすことは、内部電源回路を実装する、外部から入力する、の何れの方法を採用するとしても、別の不具合を発生させる原因とな
る可能性がある。それにより消費電流の低減は、用いる電源電圧を増やすことなく実現させることが重要と考えられる。これは、レベルシフト回路を用いたDC−DCコンバータ等のスイッチング電源回路にも云えることである。
携帯機器では、バッテリーから様々な電源電圧を生成するために、DC−DCコンバータが広く用いられている。バッテリー電圧よりも低い電源電圧で動作するロジック系から直接、DC−DCコンバータの起動/停止を制御可能にするためには、DC−DCコンバータ側の論理入力の閾値を或る程度、低い値とする必要がある。このようなことから、図2に示す特許文献1に記載された従来のレベルシフト回路では、Vh<VCCH、の関係となっている。
携帯機器用のDC−DCコンバータでは、無負荷時の消費電流の削減を求められることが多く、このために現在では、負荷電流に応じて周波数を変えるPFM(Pulse Frequency Modulation)制御等を組み合わせ、無負荷時、或いは低負荷時にはPFM制御を用いてスイッチングをほぼ停止するとともに、そのスイッチング用の制御回路は小さな電流で動作可能なように工夫がなされている。このように特に携帯機器では、消費電流をより低減することが重視されている。
本発明は、用いる電源電圧を増やすことなく、消費電流をより低減させたレベルシフト回路を用いたスイッチング電源装置を提供することを目的とする。
本発明のスイッチング電源装置は、出力段に配置されたスイッチング素子をオン/オフするスイッチングにより該出力段に所定電圧を発生させることを前提とし、第1の電圧振幅で変化する入力信号を入力し、第2の電圧振幅で変化する出力信号を出力するレベルシフト回路と、前記レベルシフト回路からの前記出力信号を入力し、前記出力段に配置されたスイッチング素子をオン/オフするスイッチング信号を生成する制御回路と、を備え前記レベルシフト回路は、前記入力信号によりオン/オフされる第1のスイッチ素子と、前記入力信号によりオン/オフされる第2のスイッチ素子または抵抗素子とが直列に接続されて構成され、前記入力信号の入力により前記出力信号を出力する入力回路と、前記入力回路と直列に接続され、前記入力回路と前記入力回路の電源との閉回路の形成を制御するための閉回路形成制御用スイッチ素子と、前記入力回路から出力される前記出力信号、及び前記制御回路が生成する前記スイッチング信号から前記閉回路形成制御用スイッチ素子をオン/オフするための駆動用信号を生成する信号生成手段と、を具備する。
なお、上記信号生成手段は、出力信号、及びスイッチング信号を直接、或いは反転させて入力し論理積を取ることにより、駆動用信号を生成する、ことが望ましい
本発明では、入力回路に直列に閉回路形成制御用スイッチ素子を接続し、そのスイッチ素子を、その入力回路から出力される出力信号、及び他の入力信号を用いてオン/オフさせる。そのようにして、入力回路と当該入力回路の電源との閉回路の形成を制御することにより、用いる電源電圧を増やすことなく、入力回路に電流が流れることで生じる消費電流を他の入力信号に応じて低減させることができる。その他の入力信号として、スイッチング電源装置が出力段のスイッチ素子をオン/オフするスイッチング信号を用いることができる。それにより、スイッチング電源装置に搭載した場合には、より小さい消費電流のスイッチング電源装置を実現できることとなる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は、本実施の形態によるスイッチング電源装置の回路図である。そのスイッチング電源装置20は、DC−DCコンバータであり、本実施の形態によるレベルシフト回路を用いて構成されている。入力端子INに入力される制御信号CEにより、起動/停止するようになっている。その制御信号CEは、例えばマイクロプロセッサなどから出力される、例えば1.5V系の信号である。その場合、電源電圧VDDが例えば3.3Vであれば、本実施の形態によるシフトレベル回路は電圧レベル(振幅)を1.5Vから3.3Vにシフトする。
入力端子INに入力された制御信号CEは、入力段である論理入力回路10を構成するトランジスタM1及びM2の各ゲートに入力される。その論理入力回路10は、3つのトランジスタM1〜M3を直列に接続した構成であり、電源電圧VDDはトランジスタM3のソースに印加されている。グランドは、トランジスタM1のソースに接続されており、トランジスタM2はそのソースがトランジスタM3のドレイン、そのドレインがトランジスタM1のドレインとそれぞれ接続されている。トランジスタM2(M1)のドレイン電位が論理入力回路10の出力信号OUTとして出力される。ここで、例えば、トランジスタM2及びM3は、Pチャネル形MOSFETであり、トランジスタM1はNチャネル形MOSFETである。
トランジスタM2のドレイン電位は、制御信号CEがHレベルのときはトランジスタM1がオンしてLレベルとなり、その制御信号CEがLレベルのときはトランジスタM1はオフし、トランジスタM2がオンすることでHレベルとなる。このため出力信号OUTは、制御信号CEとは逆相となる。すなわち、トランジスタM1,M2がインバータを構成し、制御信号CEに対する入力回路となっている。また、トランジスタM3は、当該入力回路とグランド電位および電源電圧VDDを供給する図示しない電源との閉回路の形成を制御するものである。すなわち、トランジスタM3がオンすれば入力回路と電源との閉回路が形成され、トランジスタM3がオフすれば閉回路は形成されなくなる。
一方、スイッチング電源装置20の出力段は、ソースに電源電圧VDDが印加されているトランジスタM0、そのドレインにカソードが接続されたダイオードD、そのドレインに一端が接続されたインダクタL、及びその他端に一端が接続されたコンデンサCoutにより構成されている。ダイオードDのアノード、及びコンデンサCoutの他端はそれぞれグランドと接続されている。コンデンサCoutの両端電圧が出力電圧Voutである。
上記出力信号OUTは、インバータIV1を介して制御回路21の端子ENに入力される。その制御回路21は、端子ENに入力した信号により動作/停止するものである。具体的には、その信号がHレベルのときに動作し、Lレベルのときに停止するものである。その信号は、制御信号CEと同相で変化する信号である。このため、制御信号CEにより制御回路21の動作/停止を制御できるようになっている。
制御回路21には、端子FBを介して出力電圧Voutが入力される。それにより制御回路21は、その出力電圧Voutが所定のレベル(所定電圧)となるように、トランジスタM0をオン/オフするスイッチングのためのスイッチング信号を生成して出力する。その生成は、通常時はPWM制御で行い、軽負荷時はPFM制御で行う。PFM制御時では、例えばオン時間を固定したスイッチング信号を生成する。PFM制御では、負荷電流が小さくなるとオフ時間が長くなる。なお、PWM制御だけに限ると、負荷電流が小さくなるとオン時間が短くなる。そのオン時間時の信号レベルは、インバータIV2を介してトランジスタM0のゲートに入力するので、Hレベルである。そのようにして生成されたスイッチング信号は、インバータ(ドライバー)IV2を介してトランジスタM0のゲー
トに入力される。また、インバータIV3を介してANDゲートA0にも入力される。
特には図示していないが、ANDゲートA0、各インバータIV1〜3および制御回路21にはそれぞれ、電源電圧VDDが印加され、これらに用いられる電源電圧は、電源電圧VDDの一つのみとなっている。
ANDゲートA0は、インバータIV1及びIV3から信号を入力し、それらの論理積を出力する。論理入力回路10のトランジスタM3のゲートには、その論理積が入力される。その論理積のHレベル(論理値が1のときの電圧レベル)は、電源電圧VDDレベルである。このため、論理積がHレベルとなった場合には、トランジスタM3に貫通電流が流れることが回避される。
本実施の形態によるスイッチング電源装置20は、上述したような構成となっている。本実施の形態によるレベルシフト回路は、論理入力回路10、2つのインバータIV1及びIV3、及びANDゲートA0によって構成されている。以降は、制御信号CEのレベル毎に、動作を具体的に説明する。ここでは制御信号CEのHレベルは、電源電圧VDDよりも低いと想定する。
先ず、制御信号CEがHレベルのときの動作について説明する。
制御信号CEがHレベルとなると、制御回路21の端子ENに入力される信号もHレベルとなり、制御回路21は動作を開始する。それにより制御回路21は、パルス信号であるスイッチング信号を生成して出力する。
制御信号CEのHレベルは電源電圧VDDよりも低いため、トランジスタM2では貫通電流が流れる。しかし、インバータIV1からANDゲートA0に入力される信号がHレベルであるため、トランジスタM3のゲートに入力される論理積の電圧レベルは、インバータIV3を介してANDゲートA0に入力されるスイッチング信号に応じて変化する。その結果、トランジスタM3及びM2を介してトランジスタM1へと流れる貫通電流は、トランジスタM3がオンしているとき(すなわち上記閉回路が形成されるとき)のみ流れるようになる。そのように間欠的に貫通電流が流れるため、スイッチング電源装置20が動作時の消費電流はより低減することになる。
ANDゲートA0へのスイッチング信号の入力は、インバータIV3を介して行うようにしている。それにより、制御回路21から出力されるスイッチング信号がHレベルのときのみ、言い換えれば出力段のトランジスタM0をオンさせている期間のみ、トランジスタM3をオンさせるようにしている。これは、スイッチング信号のデューティ比(スイッチング周期に対するオン期間の比)は50%以下であることが多いからである。そのようにトランジスタM3をオンさせることにより、消費電流をより抑えられるようにしている。負荷電流が小さくなると、スイッチング信号のデューティ比が0%に近づくため、本発明の効果はより顕著になる。
上記貫通電流は、トランジスタM3のオン抵抗をより大きくすることで低減することができる。その貫通電流をより低減するために、トランジスタM2に直列に抵抗を接続しても良い。その貫通電流の流れはトランジスタM3により制御されることから、トランジスタM2のゲートは接地(グランドと接続)させても良いし、トランジスタM2を抵抗に置き換えても良い。
一方、制御信号CEがLレベルとなると、制御回路21の端子ENに入力される信号もLレベルとなり、制御回路21は動作を停止する。その停止によって制御回路21から出力されるスイッチング信号はLレベル固定となる。端子ENに入力される信号がLレベル
であるため、ANDゲートA0が出力する論理積はLレベル(論理値が0のときの電圧レベル)となり、トランジスタM3はトランジスタM2と共にオン状態となる。しかし、トランジスタM1はオフ状態となるため、トランジスタM1〜M3を貫通電流は流れない。
なお、本実施の形態によるレベルシフト回路は、スイッチング電源装置の一つであるDC−DCコンバータ(本実施の形態によるスイッチング電源装置)に適用させたものであるが、トランジスタ等のスイッチ素子のスイッチングに用いるスイッチング信号など、他の用途用に生成されたパルス信号を(他の入力信号として)用いて消費電流を低減させるものであることから、そのようなパルス信号を生成する装置に幅広く適用させることができる。特にスイッチング電源装置では、パルス信号であるスイッチング信号を生成することから、適用が容易である。そのスイッチング信号が利用可能であることから、本発明に係るスイッチング電源装置は、図1に示す降圧型DC−DCコンバータに限定されるものではなく、昇圧型DC−DCコンバータや反転型DC−DCコンバータを含む他のスイッチング電源装置も本発明に係るスイッチング電源装置とすることができる。また、消費電流の低減に用いる信号については、本実施の形態の制御信号CEとスイッチング信号で例示する2つに限らず、3つ以上としても良い。
また、トランジスタM3もしくはそれに替わる素子の位置は図1に示すものに限らず、トランジスタM2と出力端子OUTの間でもよい。
本実施の形態によるスイッチング電源装置の回路図である。 特許文献1に記載された従来のレベルシフト回路の回路図である。
符号の説明
10 論理入力回路
20 スイッチング電源装置
21 制御回路
A0 ANDゲート
Cout コンデンサ
D ダイオード
L インダクタ
M0〜M3 トランジスタ(MOSFET)
IV1〜3 インバータ

Claims (2)

  1. 出力段に配置されたスイッチング素子をオン/オフするスイッチングにより該出力段に所定電圧を発生させるスイッチング電源装置において、
    第1の電圧振幅で変化する入力信号を入力し、第2の電圧振幅で変化する出力信号を出力するレベルシフト回路と、
    前記レベルシフト回路からの前記出力信号を入力し、前記出力段に配置されたスイッチング素子をオン/オフするスイッチング信号を生成する制御回路と、を備え、
    前記レベルシフト回路は、
    前記入力信号によりオン/オフされる第1のスイッチ素子と、前記入力信号によりオン/オフされる第2のスイッチ素子または抵抗素子とが直列に接続されて構成され、前記入力信号の入力により前記出力信号を出力する入力回路と、
    前記入力回路と直列に接続され、前記入力回路と前記入力回路の電源との閉回路の形成を制御するための閉回路形成制御用スイッチ素子と、
    前記入力回路から出力される前記出力信号、及び前記制御回路が生成する前記スイッチング信号から前記閉回路形成制御用スイッチ素子をオン/オフするための駆動用信号を生成する信号生成手段と、
    を具備することを特徴とするスイッチング電源装置
  2. 前記信号生成手段は、前記出力信号、及び前記スイッチング信号を直接、或いは反転させて入力し論理積を取ることにより、前記駆動用信号を生成する、
    ことを特徴とする請求項1記載のスイッチング電源装置
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