KR960008979A - 반도체 소자의 정렬마크 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 정렬마크 형성방법 Download PDF

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KR960008979A
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황준
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김주용
현대전자산업 주식회사
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 정렬마크 형성방법에 관한 것으로, 포트 마스크를 정렬시 발생되는 정렬 오차를 방지하기 위해 금속 콘택(Metal Cantact)형성시 정렬마크 영역의 기판 표면을 요철(凹凸)형상이 되도록 하므로써 평탄화후에도 포트 마스크의 정렬을 정확히 할수 있도록 한 반도체 소자의 정렬 마크 형성 방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 정렬마크 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a 내지 2c도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 정렬마크 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 소자의 정렬 마크 형성방법에 있어서, 실리콘 기간(1)의 정렬마크영역(A)을 부분적으로 산화시켜 다수의 필드 산화막(2)을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 전체 상부면에 절연층(5)을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 소정의 마스크를 사용하여 회로영역(B)의 소정부 위에 콘택홀(7)을 형성시키는 동시에 정렬마크영역(A)의 실리콘 기판(1)의 표면에 요형상을 갖는 정렬마크(6)가 형성되도륵 상기 절연층(5) 및 필드 산학막(2)을 제거시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 정렬 마크 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연층(5)은 IMO 또는 SOG인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 정렬 마크 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 정렬마크(6)는 오버레이 표시 체크용 버니어인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 정렬 마크 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940019061A 1994-08-02 1994-08-02 반도체 소자의 정렬마크 형성방법 KR960008979A (ko)

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