KR960005996A - 갈륨비소집적회로장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

[목적] 칩사이즈를 증대시키지 않고 큰 용량치의 MIM용량을 형성하는 것이 가능하고, 게다가 회로특성을 향상시킨 갈륨비소집적회로를 제공한다.
[구성]갈륨비소기판의 이면에 이 갈륨비소판을 관통하는 모놀리식집적회로의 전극단자 및 접지단자에 각각 도달하는 복수의 세로홈을 설치하고, 상기 전극단자 및 상기 접지단자에 접속하도록 상기 각 세로홈의 표면 및 상기 갈륨비소기판의 이면측 외부표면에 따라 상기 제1전극층을 형성한 후, 적어도 상기 전극단자에 도달하는 세로홈에 상기 제1전극층에 따라 상기 절연막 및 상기 제2전극층을 순차 형성하여 상기 MIM용량을 구성한 것이다.

Description

갈륨비소집적회로장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 제1실시예에 따른 GaAs모놀리식 마이크로파집적회로의 구조를 나타낸 도면.
제2도는 제1도에 나타낸 GaAs모놀리식 마이크로파집적회로의 일례를 나타낸 회로도.
제3도는 제1도에 나타낸 GaAs모놀리식 마이크로파집적회로의 제조방법을 나타낸 도면.
제4도는 제2실시예의 GaAs모놀리식 마이크로파집적회로의 일례를 나타낸 회로도.
제5도는 제2실시예의 효과를 설명하기 위한 도면.

Claims (14)

  1. 표면상에 모놀리식집적회로가 설치되고, 이면에 세로홈(21,22,23)이 설치된 갈륨비소기판(1)과, 이 갈륨비소기판(1)의 이면측 외부표면에 따라 형성된 제1전극층(24a,57a)과, 이 제1전극층(24a,57a)에 따라 형성된 절연막 (24b,57b)과, 이 절연막(24b,57b)을 매개로 상기 제1전극층(24a, 57a)에 대향하여 형성된 제2전극층(24c, 57c)으로 이루어진 MIM용량(24A, 24B ; 57,62,68)을 구비한 것을 특징으로 하는 갈륨비소집적회로장치.
  2. 표면상에 모놀리식집적회로가 설치된 갈륨비소기판(1)에 형성된 제1전극층(24a,57a)과, 이 제1전극층(24a,57a)에 따라 형성된 절연막(24b,57b)과, 이절연막(24b,57b)을 매개로 상기 제1전극층(24a,57a)을 대향하여 형성된 제2전극층(24c,57c)으로 이루어진 MIM용량(24A, 24B; 57,62,68)을 갖추고, 상기 갈륨비소기판(1)의 이면에 이 갈륨비소기판(1)을 관통하여 상기 모놀리식집적회로의 전극단자(7,11 ;56b)에 도달하는 세로홈(21,22,23)을 설치하고, 상기 전극단자 (7,11 ; 56b)에 전속하도록 상기 세로홈의 표면 및 상기 갈륨비소기판(1)의 이면측 외부표면에 따라 상기 제1전극층(24a, 57a)을 형성한 후, 이 제1전극층(24a,57a)에 따라 상기 절연막(24b, 57b) 및 상기 제2전극층(24c, 57c)을 순차 형성하여 상기MIM 용량(24A, 24B)을 구성한 것을 특징으로 하는 갈륨비소집적회로장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 갈륨비소기판의 이면에 그 갈륨비소기판(1)을 관통하여 상기 모놀리식집적회로의 전극단자(7) 및 접지단자(11)에 각각 도달하는 복수의 세로홈이 설치된 것을 특징으로 하는 갈륨비소집적회로장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1전극층은 상기 갈륨비소기판의 이면 전면에 형성된 것을 특징으로 하는 갈륨비소집적회로장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 제1전극층은 상기 갈륨비소기판의 이면 전면에 형성된 것을 특징으로 하는 갈륨비소집적회로장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 제1전극층은 상기 갈륨비소기판의 이면 전면에 형성된 것을 특징으로 하는 갈륨비소집적회로장치.
  7. 갈륨비소기판의 표면상에 모놀리식집적회로를 형성하는 공정과, 상기 갈륨비소기판의 이면측으로부터 상기 모놀리식집적회로의 상기 전극단자에 도달하는 세로홈을 형성하는 공정과, 상기 전극단자에 접속되도록 상기 세로홈의 표면 및 상기 갈륨비소기판의 이면측 외부표면에따라 제1전극층을 형성하는 공정과, 상기 제1전극층에 따라 절연막을 형성하는 공정 및, 상기 절연막을 매개로 상기 제1전극층에 대향하여 제2전극층을 형성하는 공정을 갖춘 것을 특징으로 하는 갈륨비소집적회로장치의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 세로홈은, 그 소정의 깊이로부터 저면에 이르기까지의 측면과, 상기 저면과 연장선의 이루는 각이 예각인 것을 특징으로 하는 갈륨비소집적회로장치.
  9. 제2항에 있어서, 상기 세로홈은, 그 소정의 깊이로부터 저면에 이르기까지의 측면과, 상기 저면과 연장선의 이루는 각이 예각인 것을 특징으로 하는 갈륨비소집적회로장치.
  10. 제3항에 있어서, 상기 세로홈은, 그 소정의 깊이로부터 저면에 이르기까지의 측면과, 상기 저면과 연장선의 이루는 각이 예각인 것을 특징으로 하는 갈륨비소집적회로장치.
  11. 제8항에 있어서, 상기 측면과 상기 연장선과의 이루는 각은 30°인 것을 특징으로 하는 갈륨비소집적회로장치.
  12. 제9항에 있어서, 상기 측면과 상기 연장선과의 이루는 각은 30°인 것을 특징으로 하는 갈륨비소집적회로장치.
  13. 제10항에 있어서, 상기 측면과 상기 연장선과의 이루는 각은 30°인 것을 특징으로 하는 갈륨비소집적회로장치.
  14. 제7항에 있어서, 상기 세로홈은, 소정의 깊이까지는 선택적 이방성에칭으로 형성하고, 그 후는 주석산소 습식 에칭으로 형성하는 것을 특징으로하는 갈륨비소집적회로장치 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950023158A 1994-07-26 1995-07-26 갈륨비소집적회로장치 및 그 제조방법 KR0159024B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220131040A (ko) 2021-03-19 2022-09-27 (주)컨트롤웍스 차량용 페달 구동장치
KR20220145702A (ko) 2021-04-22 2022-10-31 (주)컨트롤웍스 차량용 페달 구동장치

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