KR960005929A - 자기 플럭스 처리용 정전 척 - Google Patents

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에프. 카메론 존
데스판데이 챤드라
수 유-지아
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Abstract

자기 플럭스(43)를 포함하는 처리챔버(40)에서 기판(42) 고정용 정전척(20)은 받침대상에 기판(42)을 받치기에 적합한 상부 표면을 갖는 받침대(22)를 포함한다. 내부에 전극(24)을 갖는 절연체(26)는 받침대(22)상에 있다. 강자성 물질을 포함하는 자기 분류기(34)는 (ⅰ) 받침대(22)상에, 또는 (ⅱ) 절연체(26) 내에, 또는 (ⅲ) 받침대(22) 바로 아래 및 인접한 곳에 위치된다.

Description

자기 플럭스 처리용 정전 척
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 정전 척을 포함하는 처리 챔버의 횡단면의 측면입면도이다.

Claims (35)

  1. 자기 플럭스를 포함하는 처리 챔버에서 사용된 정전 척에 있어서, 상기 척은 (a) 기판을 받치기에 적합한 상부 표면을 갖는 받침대; (b) 내부에 전극을 갖는 받침대상의 절연체; 및 (c) 받침대 위에 강자성체 자기 분류기를 포함하며, 척이 처리 챔버내에서 기판을 정전기적으로 고정하기 위하여 사용되는 경우, 받침대 위의 자기 분류기는 챔버내에서 자기 척에 가까운 기판의 부분위에 감소될 자기 플럭스를 야기하는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  2. 자기 플럭스를 포함하는 처리 챔버에서 사용되는 정전 척에 있어서, 상기 척은 (a) 기판을 제공하기 적당한 상부 표면을 갖는 받침대; (b) 내부에 전극을 갖는 받침대상의 절연체; 및 (c) 받침대와 절연체 사이에 있으며 받침대와 직접 접촉된 강자성체 자기 분류기를 포함하며, 척이 처리 챔버내에서 기판을 정전기적으로 고정하기 위하여 사용되는 경우, 받침대 위의 자기 분류기는 챔버내에서 자기 척에 가까운 기판의 부분위에 감소될 자기 플럭스를 야기하는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  3. 자기 플럭스를 포함하는 처리 챔버에서 사용되는 정전 척에 있어서, 상기 척은 (a) 기판을 제공하기 적당한 상부 표면을 갖는 받침대; (b) 내부에 (ⅰ)전극, 및 (ⅱ) 강자성체 자기 분류기를 갖는 받침대상의 절연체를 포함하며, 척이 처리 챔버내에서 기판을 정전기적으로 고정하기 위하여 사용되는 경우, 절연체 내의 자기 분류기는 챔버내의 자기 플럭스가 전극에 인접한 기판의 부분위에서 감소될 것을 특징으로 하는 정전 척.
  4. 자기 플럭스를 포함하는 처리 챔버에서 사용되는 정전 척에 있어서, 상기 척은 a) 기판을 제공하기 적당한 상부 표면을 갖는 받침대; b) 받침대상의 절연체; 및 c) 자기 분류기로 동작하기 위한 강자성체 물질을 포함하는 전극의 적어도 하나의 부분인 절연체 내의 전극을 포함하며, 척이 처리 챔버내에서 기판을 정전기적으로 고정하기 위하여 사용되는 경우, 전극내의 강자성체 물질은 챔버내에 자기 플럭스가 전극에 인접한 기판의 부분위에서 감소될 것을 특징으로 하는 정전 척.
  5. 자기 플럭스를 포함하는 처리 챔버에서 사용되는 정전 척에 있어서, 상기 척은 (a) 하나의 받침대; (b) 기판을 받치기에 적당하고 그 내부에 공동을 가지는 받침대상의 기판 받침; (c) 기판 받침상의 절연된 전극; 및 (d) 기판 받침의 공동내의 강자성체 물질을 포함하는 자기 분류기를 포함하며, 척이 자기 플럭스를 포함하는 챔버내에서 기판을 정전기적으로 고정하기 위하여 사용되는 경우, 자기 분류기는 챔버내의 자기 플럭스가 분류기에 인접한 기판의 부분위에서 감소될 것을 특징으로 하는 정전 척.
  6. 자기 플럭스를 포함하는 처리 챔버에서 사용되기 위한 정전 척에 있어서, 상기 척은 (a) 기판을 받치기에 적합한 상부 표면을 갖는 받침대; (b) 받침대상에 깊속히 묻힌 전극을 갖는 절연체; 및 (c) 강자성 물질을 포함하며, 베이스 바로 아래쪽에 배치되고, 및 받침대와 연속되는 연속적인 고리모양 자기 분류기를 포함하며, 척이 처리 챔버내에서 기판을 정전기적으로 고정하기 위하여 사용되는 경우, 자기 분류기는 챔버내의 자기플럭스가 분류기에 인접한 기판의 부분위에서 감소될 것을 특징으로 하는 정전 척.
  7. 제6항에 있어서, (a) 받침대로 부터 아래쪽으로 확장된 주변 내벽, 및 (b) 접속기 받침 및 그들 사이의 간격으로 규정되는 받침대로 부터 확장된 전기적 접속기 받침을 더 포함하는 주변 내벽, 연속적인 고리모양 분류기의 부분이 접속기 받침 및 받침대 사이의 간격으로 확장되는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  8. 자기 플럭스에서 기판을 처리하기 위한 처리 챔버에 있어서, 상기 처리 챔버는; (a) 처리 챔버내에서 자기 플럭스를 생성하기 위한 자기 플럭스 생성기; 및 (b) 제1항의 정전 척을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 처리 챔버.
  9. 제1항에 있어서, 받침대는 6 내지 10 인치의 직경을 갖는 원형 플레이트인 것을 특징으로 하는 정전 척.
  10. 제1항에 있어서, 자기 분류기는 구조면에서 실질적으로 평면인 것을 특징으로 하는 정전 척.
  11. 제1항에 있어서, 자기 분류기는 전극 주변에 원주형로 배치되는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  12. 제1항에 있어서, 자기 분류기는 고리묘양인 것을 특징으로 하는 정전 척.
  13. 제12항에 있어서, 고리모양 자기 분류기는 내부 직경이 약 100㎜인 것을 특징으로 하는 정전 척.
  14. 제12항에 있어서, 고리모양 자기 분류기는 외부 직경이 약 225㎜보다 작은 것을 특징으로 하는 정전 척.
  15. 제1항에 있어서, 자기 분류기가 약 100 내지 1000미코론 범위의 두께를 갖는 특징으로 하는 정전 척.
  16. 제1항에 있어서, 자기 분류기는 연속적인 것을 특징으로 하는 정전 척.
  17. 제1항에 있어서, 자기 분류기는 세그먼트를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  18. 제17항에 있어서, 자기 분류기내의 세그먼트들은 두께들을 갖는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  19. 제1항에 있어서, 자기 분류기는 적어도 약 1000의 상관 자기 도자율을 갖는것을 특징으로 하는 정전 척.
  20. 제1항에 있어서, 자기 분류기는 철, 니켈, 코발트, 및 그들의 합금으로 구성된 그룹으로 부터 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  21. 자기 플럭스를 얻을 수 있는 처리 챔버에서 사용되는 정전 척에 있어서, 상기 척은 (a) 상부 받침 표면을 갖는 비-강자성 물질의 받침대; (b) 내부에 전극 및 그 위에 기판을 받치기에 적합한 상부 표면을 가지는 받침대의 상부 표면상의 절연체; (c) 절연체의 상부 표면 아래의 강자성 물질로 된 자기 분류기, 상기 자기 분류기는 강자성 물질을 절연체의 둘레 방향으로 바람직하게 집중하는 구조를 갖는 것을 포함하며, 전극이 기판을 정전기적으로 고정하기 위하여 척에 사용되고, 자기 플럭스를 사용하는 기판의 처리과정이 진행중인 경우, 자기 분류기는 분류기의 강자성 물질의 분포에 따라 기판 위의 플럭스를 감소하는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  22. 제21항에 있어서, 상기 자기 분류기는 구조적으로 평면인 것을 특징으로 하는 정전 척.
  23. 제21항에 있어서, 상기 자기 분류기는 구조적으로 고리모양인 것을 특징으로 하는 정전 척.
  24. 제21항에 있어서, 상기 자기 분류기 및 전극은 하나의 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  25. 제21항에 있어서, 자기 분류기는 상기 받침대 위에 위치하는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  26. 제21항에 있어서, 자기 분류기는 받침대와 절연체 사이에 위치하고 받침대에 접촉되어 위치하는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  27. 제21항에 있어서, 자기 분류기는 절연체에 위치하는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  28. 제21항에 있어서, 자기 분류기는 받침대에 위치하는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  29. 제21항에 있어서, 자기 플럭스는 절연체의 상부 표면과 평행인 구성요소를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  30. 자기 플럭스내에서 기판을 처리하기 위한 정전 척을 형성하는 방법에 있어서, 상기 방법은; (a) 받침대 위에 기판을 받치기에 적합한 받침대를 형성하는 단계; (b) 받침대 위에 강자성 물질을 포함하는 자기 분류기를 형성하는 단계; (c) 절연체 내부, 받침대상, 및 자기 분류기에 인접한 전극을 갖는 절연체를 형성하는 단계를 포함하며, 척이 자기 플럭스를 포함하는 챔버내에 기판을 정전기적으로 고정하기 위하여 사용되는 경우, 자기 분류기는 챔버내에서 자기 척에 가까운 기판의 부분위에 감소될 자기 플럭스를 야기하는 것을 특징으로 하는 정전 척 형성 방법.
  31. 제30항에 있어서, 자기 분류기는 받침대위에 직접 형성되는 것을 특징으로 하는 정전 척 형성 방법.
  32. 제30항에 있어서, 자기 분류기는 절연체내에 형성되는 것을 특징으로 하는 정전 척 형성 방법.
  33. 제30항에 있어서, 절연체내의 전극이 자기 분류기를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 척 형성 방법.
  34. 제30항에 있어서, 자기 분류기는 도금, 화학적 증기 증착, 또는 물리적 증기 증착을 포함하는 그룹으로 부터 선택된 방법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 정전 척 형성 방법.
  35. 제30항에 있어서, 자기 분류기는 철, 니켈, 코발트, 및 그들의 합금을 포함한 그룹으로 부터 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 척 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950020961A 1994-07-18 1995-07-18 자기 플럭스 처리용 정전 척 KR960005929A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020004783A (ko) * 2000-06-21 2002-01-16 고미야 히로요시 Rf 스퍼터링 장치
KR100555236B1 (ko) * 2004-07-08 2006-03-03 주식회사 템네스트 반도체 및 lcd 제조용 정전척 구조

Families Citing this family (176)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5745331A (en) * 1994-01-31 1998-04-28 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with conformal insulator film
US5737175A (en) * 1996-06-19 1998-04-07 Lam Research Corporation Bias-tracking D.C. power circuit for an electrostatic chuck
US6026896A (en) * 1997-04-10 2000-02-22 Applied Materials, Inc. Temperature control system for semiconductor processing facilities
US6081414A (en) * 1998-05-01 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Apparatus for improved biasing and retaining of a workpiece in a workpiece processing system
US6169652B1 (en) * 1999-03-12 2001-01-02 Euv, L.L.C. Electrostatically screened, voltage-controlled electrostatic chuck
US6104161A (en) * 1999-05-10 2000-08-15 General Motors Corporation Capacitive AC isolation apparatus for electric vehicle battery charging systems
US6319102B1 (en) * 1999-07-09 2001-11-20 International Business Machines Corporation Capacitor coupled chuck for carbon dioxide snow cleaning system
US6794657B2 (en) * 2001-11-30 2004-09-21 Nikon Corporation Magnetic shunt assembly for an exposure apparatus
EP1458019A3 (de) * 2003-03-13 2005-12-28 VenTec Gesellschaft für Venturekapital und Unternehmensberatung Mobiler transportabler elektrostatischer Substrathalter
US6829056B1 (en) 2003-08-21 2004-12-07 Michael Barnes Monitoring dimensions of features at different locations in the processing of substrates
JP4847231B2 (ja) * 2006-06-29 2011-12-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電界に起因する剥離物による汚染を防止する装置
JP4879771B2 (ja) * 2007-02-05 2012-02-22 富士通セミコンダクター株式会社 静電チャック
JP2009188332A (ja) * 2008-02-08 2009-08-20 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置用基板載置台、プラズマ処理装置および絶縁皮膜の成膜方法
JP5236448B2 (ja) * 2008-12-16 2013-07-17 アドヴァンスド・ディスプレイ・プロセス・エンジニアリング・コーポレーション・リミテッド 静電チャック及びそれを備えた基板合着装置
JP2010177698A (ja) * 2010-04-12 2010-08-12 Fujitsu Semiconductor Ltd 静電チャックの製造方法
JP2010166086A (ja) * 2010-04-12 2010-07-29 Fujitsu Semiconductor Ltd 静電チャックを用いた半導体製造装置
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8349116B1 (en) 2011-11-18 2013-01-08 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
US8426227B1 (en) 2011-11-18 2013-04-23 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro light emitting diode array
US8518204B2 (en) * 2011-11-18 2013-08-27 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating and transferring a micro device and an array of micro devices utilizing an intermediate electrically conductive bonding layer
US8646505B2 (en) 2011-11-18 2014-02-11 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head
US8573469B2 (en) 2011-11-18 2013-11-05 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer
US9773750B2 (en) 2012-02-09 2017-09-26 Apple Inc. Method of transferring and bonding an array of micro devices
US9548332B2 (en) 2012-04-27 2017-01-17 Apple Inc. Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack
US9105492B2 (en) 2012-05-08 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head
US9034754B2 (en) 2012-05-25 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro device transfer head with silicon electrode
US8415771B1 (en) 2012-05-25 2013-04-09 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head with silicon electrode
US8383506B1 (en) 2012-07-06 2013-02-26 LuxVue Technology Corporation Method of forming a compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode
US8569115B1 (en) 2012-07-06 2013-10-29 LuxVue Technology Corporation Method of forming a compliant bipolar micro device transfer head with silicon electrodes
US8415768B1 (en) 2012-07-06 2013-04-09 LuxVue Technology Corporation Compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode
US8415767B1 (en) 2012-07-06 2013-04-09 LuxVue Technology Corporation Compliant bipolar micro device transfer head with silicon electrodes
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US8933433B2 (en) 2012-07-30 2015-01-13 LuxVue Technology Corporation Method and structure for receiving a micro device
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US8791530B2 (en) 2012-09-06 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head with integrated electrode leads
US9162880B2 (en) 2012-09-07 2015-10-20 LuxVue Technology Corporation Mass transfer tool
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8835940B2 (en) 2012-09-24 2014-09-16 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
US8941215B2 (en) 2012-09-24 2015-01-27 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
US9558721B2 (en) 2012-10-15 2017-01-31 Apple Inc. Content-based adaptive refresh schemes for low-power displays
US9029880B2 (en) 2012-12-10 2015-05-12 LuxVue Technology Corporation Active matrix display panel with ground tie lines
US9255001B2 (en) 2012-12-10 2016-02-09 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head array with metal electrodes
US9236815B2 (en) * 2012-12-10 2016-01-12 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head array with metal electrodes
US9178123B2 (en) 2012-12-10 2015-11-03 LuxVue Technology Corporation Light emitting device reflective bank structure
US9159700B2 (en) 2012-12-10 2015-10-13 LuxVue Technology Corporation Active matrix emissive micro LED display
US9166114B2 (en) 2012-12-11 2015-10-20 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging cavity
US9105714B2 (en) 2012-12-11 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging bollards
US9391042B2 (en) 2012-12-14 2016-07-12 Apple Inc. Micro device transfer system with pivot mount
US9314930B2 (en) 2012-12-14 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array with integrated pivot mount
US9153171B2 (en) 2012-12-17 2015-10-06 LuxVue Technology Corporation Smart pixel lighting and display microcontroller
KR101877339B1 (ko) * 2012-12-20 2018-07-11 주식회사 원익아이피에스 기판처리시스템의 기판캐리어 및 그를 가지는 기판처리시스템
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9095980B2 (en) 2013-02-25 2015-08-04 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array mount with integrated displacement sensor
US9308649B2 (en) 2013-02-25 2016-04-12 LuxVue Techonology Corporation Mass transfer tool manipulator assembly
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US9250514B2 (en) 2013-03-11 2016-02-02 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for fabricating a photomask substrate for EUV applications
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US8791474B1 (en) 2013-03-15 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme
US9252375B2 (en) 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
US9217541B2 (en) 2013-05-14 2015-12-22 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including shear release posts
US9484504B2 (en) 2013-05-14 2016-11-01 Apple Inc. Micro LED with wavelength conversion layer
US9136161B2 (en) 2013-06-04 2015-09-15 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array with compliant contact
JP6854643B2 (ja) 2013-06-12 2021-04-07 ロヒンニ リミテッド ライアビリティ カンパニー 付着された光発生源を用いたキーボードバックライティング
US8987765B2 (en) 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device
US8928021B1 (en) 2013-06-18 2015-01-06 LuxVue Technology Corporation LED light pipe
US9111464B2 (en) 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
US9035279B2 (en) 2013-07-08 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Micro device with stabilization post
US9296111B2 (en) 2013-07-22 2016-03-29 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array alignment encoder
US9087764B2 (en) 2013-07-26 2015-07-21 LuxVue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with controlled thickness variation
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US9153548B2 (en) 2013-09-16 2015-10-06 Lux Vue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with sacrificial spacers for controlled thickness variation
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9367094B2 (en) 2013-12-17 2016-06-14 Apple Inc. Display module and system applications
US9768345B2 (en) 2013-12-20 2017-09-19 Apple Inc. LED with current injection confinement trench
US9583466B2 (en) 2013-12-27 2017-02-28 Apple Inc. Etch removal of current distribution layer for LED current confinement
US9450147B2 (en) 2013-12-27 2016-09-20 Apple Inc. LED with internally confined current injection area
US9542638B2 (en) 2014-02-18 2017-01-10 Apple Inc. RFID tag and micro chip integration design
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9583533B2 (en) 2014-03-13 2017-02-28 Apple Inc. LED device with embedded nanowire LEDs
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9522468B2 (en) 2014-05-08 2016-12-20 Apple Inc. Mass transfer tool manipulator assembly with remote center of compliance
US9318475B2 (en) 2014-05-15 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Flexible display and method of formation with sacrificial release layer
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9741286B2 (en) 2014-06-03 2017-08-22 Apple Inc. Interactive display panel with emitting and sensing diodes
US9624100B2 (en) 2014-06-12 2017-04-18 Apple Inc. Micro pick up array pivot mount with integrated strain sensing elements
US9425151B2 (en) * 2014-06-17 2016-08-23 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with spring support layer
US9570002B2 (en) 2014-06-17 2017-02-14 Apple Inc. Interactive display panel with IR diodes
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9659753B2 (en) * 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9705432B2 (en) 2014-09-30 2017-07-11 Apple Inc. Micro pick up array pivot mount design for strain amplification
US9828244B2 (en) 2014-09-30 2017-11-28 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with defined cavity
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US9478583B2 (en) 2014-12-08 2016-10-25 Apple Inc. Wearable display having an array of LEDs on a conformable silicon substrate
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10629393B2 (en) 2016-01-15 2020-04-21 Rohinni, LLC Apparatus and method of backlighting through a cover on the apparatus
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
CN109860364B (zh) * 2017-08-30 2020-09-01 天津三安光电有限公司 发光二极管
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11094508B2 (en) 2018-12-14 2021-08-17 Applied Materials, Inc. Film stress control for plasma enhanced chemical vapor deposition
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3837856A (en) 1967-04-04 1974-09-24 Signetics Corp Method for removing photoresist in manufacture of semiconductor devices
FR96342E (ko) 1967-12-09 1972-06-16
US3615951A (en) 1969-06-20 1971-10-26 Ibm Method for etching copper
US3655532A (en) 1970-05-06 1972-04-11 Metalux Corp The Method for electroplating nickel
US4022947A (en) 1975-11-06 1977-05-10 Airco, Inc. Transparent panel having high reflectivity for solar radiation and a method for preparing same
US4131530A (en) 1977-07-05 1978-12-26 Airco, Inc. Sputtered chromium-alloy coating for plastic
US4184188A (en) * 1978-01-16 1980-01-15 Veeco Instruments Inc. Substrate clamping technique in IC fabrication processes
US4384918A (en) * 1980-09-30 1983-05-24 Fujitsu Limited Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein
JPS57149734A (en) * 1981-03-12 1982-09-16 Anelva Corp Plasma applying working device
US4392992A (en) 1981-06-30 1983-07-12 Motorola, Inc. Chromium-silicon-nitrogen resistor material
JPS5816078A (ja) * 1981-07-17 1983-01-29 Toshiba Corp プラズマエツチング装置
JPH0777701B2 (ja) * 1984-01-17 1995-08-23 フジ磁工株式会社 磁気チャック
DE3501675A1 (de) 1985-01-19 1986-07-24 Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt Mittel und verfahren zur entfernung von fotoresist- und stripperresten von halbleitersubstraten
JPH0669026B2 (ja) * 1985-09-26 1994-08-31 株式会社芝浦製作所 半導体処理装置
AU602673B2 (en) 1985-12-24 1990-10-25 Gould Electronics Inc Electroplating metal foil
JPH0773104B2 (ja) 1986-02-14 1995-08-02 富士通株式会社 レジスト剥離方法
JPS6328537A (ja) * 1986-07-21 1988-02-06 Fuji Jikou Kk 電磁制御型永久磁石チヤツク
JPS6372877A (ja) * 1986-09-12 1988-04-02 Tokuda Seisakusho Ltd 真空処理装置
US5215619A (en) 1986-12-19 1993-06-01 Applied Materials, Inc. Magnetic field-enhanced plasma etch reactor
JP2674995B2 (ja) * 1987-03-11 1997-11-12 株式会社日立製作所 基板処理方法およびその装置
US5079600A (en) 1987-03-06 1992-01-07 Schnur Joel M High resolution patterning on solid substrates
JP2602649B2 (ja) * 1987-04-02 1997-04-23 鐘通工業 株式会社 永久磁石式電磁チヤツク
JP2530842B2 (ja) * 1987-04-02 1996-09-04 カネテック株式会社 永久磁石式電磁チヤツク
US4780342A (en) 1987-07-20 1988-10-25 General Electric Company Electroless nickel plating composition and method for its preparation and use
US4948474A (en) 1987-09-18 1990-08-14 Pennsylvania Research Corporation Copper electroplating solutions and methods
JPH01298721A (ja) * 1988-05-27 1989-12-01 Tokuda Seisakusho Ltd 真空処理装置
US5221422A (en) 1988-06-06 1993-06-22 Digital Equipment Corporation Lithographic technique using laser scanning for fabrication of electronic components and the like
JPH01309997A (ja) 1988-06-09 1989-12-14 Kanto Kasei Kogyo Kk 耐食性に優れた銅−ニッケル−クロム光沢電気めっき方法およびそれにより得られためっき皮膜
JPH0227748A (ja) * 1988-07-16 1990-01-30 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置及びその作成方法
US5004525A (en) 1988-08-23 1991-04-02 Shipley Company Inc. Copper electroplating composition
JPH02100341A (ja) 1988-10-06 1990-04-12 Toshiba Corp 半導体装置のパターン形成方法
JPH03153896A (ja) 1989-11-09 1991-07-01 Kanto Kasei Kogyo Kk ニッケルめっき液、そのめっき液を用いた耐食性に優れた銅‐ニッケル‐クロム光沢電気めっき方法並びにそれにより得られためっき皮膜
JP2685610B2 (ja) * 1989-12-07 1997-12-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US5100499A (en) 1989-12-20 1992-03-31 Texas Instruments Incorporated Copper dry etch process using organic and amine radicals
US5167748A (en) 1990-09-06 1992-12-01 Charles Evans And Associates Plasma etching method and apparatus
US5099571A (en) * 1990-09-07 1992-03-31 International Business Machines Corporation Method for fabricating a split-ring electrostatic chuck
JPH04225525A (ja) 1990-12-27 1992-08-14 Sony Corp ドライエッチング方法
US5185058A (en) 1991-01-29 1993-02-09 Micron Technology, Inc. Process for etching semiconductor devices
JP2874367B2 (ja) * 1991-03-25 1999-03-24 株式会社日立製作所 静電吸着電極
JP3225532B2 (ja) 1991-03-29 2001-11-05 ソニー株式会社 ドライエッチング方法
US5155652A (en) * 1991-05-02 1992-10-13 International Business Machines Corporation Temperature cycling ceramic electrostatic chuck
US5201893A (en) 1991-07-25 1993-04-13 Vollrath Group, Inc. Irrigation container and syringe
US5184398A (en) * 1991-08-30 1993-02-09 Texas Instruments Incorporated In-situ real-time sheet resistance measurement method
US5252196A (en) 1991-12-05 1993-10-12 Shipley Company Inc. Copper electroplating solutions and processes
KR0164618B1 (ko) * 1992-02-13 1999-02-01 이노우에 쥰이치 플라즈마 처리방법
US5484485A (en) * 1993-10-29 1996-01-16 Chapman; Robert A. Plasma reactor with magnet for protecting an electrostatic chuck from the plasma
US5535507A (en) * 1993-12-20 1996-07-16 International Business Machines Corporation Method of making electrostatic chuck with oxide insulator
US5452510A (en) * 1993-12-20 1995-09-26 International Business Machines Corporation Method of making an electrostatic chuck with oxide insulator

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020004783A (ko) * 2000-06-21 2002-01-16 고미야 히로요시 Rf 스퍼터링 장치
KR100555236B1 (ko) * 2004-07-08 2006-03-03 주식회사 템네스트 반도체 및 lcd 제조용 정전척 구조

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