KR960043083A - 정전기 척을 보호하기 위한 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 부식환경에서 기판(45)을 결착하는 정전기 척(20)의 부식방지를 향상시키기 위한 방법으로서, 전극(30)와 상기 전극(30)을 덮고 있는 절연체(35)를 포함하고 있는 정전기 부재(25)를 구성하는 정전기 척(20)을 사용하는 방법이다. 상기 정전기 부재(25)는 지지체(40) 위에 지지되어 있으며, 상기 기판(45)을 압착하도록 제1접촉면(60)을 가지는 장벽(55)은 상기 정전기 부재(25) 원주에 위치되어 있다. 기판(45)은 상기 기판(45)의 주변에 에지가 상기 장벽(55)의 접촉면에 접촉되도록 상기 정전기 부재(25)위에 놓여 있으며, 전압은 상기 기판(45)의 주변부(116)가 부식환경에서 상기 정전기 부재(25)의 노출을 감소시키기 위해 상기 기판(45)과 지지체(40) 사이에 실링을 형성하여 상기 장벽(55)의 접촉면을 압착함으로써 충분한 정전기력이 상기 기판(45)을 당기도록 작용되는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 제2도에 도시된 상기 척의 장벽을 도시한 평면도이다.
Claims (14)
- 기판을 정전기적으로 결착하는 정전기 부재와, 상기 정전기 부재를 지지하는 지지체로 형성되어 부식환경에서 상기 정전기 척의 부식방지를 향상시키기 위한 방법에 있어서, (a) 상기 기판을 누르는 접촉면을 갖는 장벽이 상기 정전기 부재 원주에 배설되도록 상기 지지체 위에 상기 장벽을 위치시키는 공정과, (b) 상기 기판의 주변부가 상기 장벽의 접촉면에 접촉되도록 상기 정전기 부재 위에 기판을 위치시키는 공정과, (c) 상기 기판의 주변 에지가 부식환경에서 상기 정전기 부재의 노출을 감소시키는 지지체와 상기 기판 사이에 실링이 배설되도록 장벽의 접촉면에 충분한 정전기력으로 압력을 가함으로써 상기 기판에 전기적인 인력을 발생시켜 상기 정전기 부재에 전압을 인가하는 공정으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 장벽은 상기 기판을 제거하지 않고 정전기적으로 결착된 기판에 대해서 제1접촉면을 압착하도록 탄성구조체를 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 장벽은 상기 기판에 탄성적으로 압착되도록 환형상 립을 갖는 링을 구성하고 있는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 (c) 공정은 환형상 립이 탄성적으로 균일하게 상기 기판을 밀봉하도록 충분한 정전기력을 가지고 상기 기판을 정전기적으로 당겨서 정전기 부재에 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 정전기 부재는 상기 기판 하측에 냉각제를 저장하도록 상기 기판의 주변 에지 가까이에 팁을 가지고 있는 냉각제 홈을 형성하고 있으며, 상기 (c) 공정은 상기 냉각제 홈팁으로부터 실질적인 냉각제의 누설없이 상기 환형상 립이 탄성적이며 균일하게 상기 기판을 밀봉하도록 충분한 정전기력을 가지고 상기 기판을 당기도록 상기 정전기 부재에 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (c) 공정은 상기 기판을 당기도록 적어도 약 5Torr 힘/면적의 정전기력을 상기 정전기 부재에 인가되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판은 중심부와, 주변부를 형성하고 있으며, 상기 장벽의 접촉면은 상기 기판이 가열될 때, 상기 기판의 중심부와 주변부 사이의 온도 차이가 약 10도 이하이며, 상기 기판 주변부에 매우 가까이 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 장벽의 접촉면의 접촉면적은 약 100㎟ 이하인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 장벽의 실질적인 전체 접촉면은 상기 기판 주변부로부터 10㎜ 이내에서 접촉되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 지제체의 주변부는 상기 기판의 주변 에지 아래까지 연장되어 있으며, 상기 장벽은 베이스와 상기 베이스로부터 연장되어 있는 암으로 구성되어 있으며, 상기 기판쪽으로 뻗어 있는 장벽의 암을 지지체 위에 있는 장벽의 상기 베이스에 위치되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 지지체는 상기 지지체 내에 채널을 구비하고 있는 주변측벽을 가지고 있으며, 상기 (a) 공정은 상기 기판쪽으로 뻗어 있는 장벽의 암을 상기 지지체의 채널내에 있는 상기 장벽의 베이스에 위치시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 장벽은 상기 기판과 지지체 사이에 실링을 형성하도록 탄성적이고 유연한 재질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 장벽은 상기 부식 공정가스에서 실질적으로 부식이 방지되도록 탄성중합체로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 장벽은 할로겐화된 탄성중합체로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US43901195A | 1995-05-11 | 1995-05-11 | |
US08/439011 | 1995-05-11 | ||
US08/439,011 | 1995-05-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960043083A true KR960043083A (ko) | 1996-12-23 |
KR100398818B1 KR100398818B1 (ko) | 2003-12-31 |
Family
ID=23742923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960015621A KR100398818B1 (ko) | 1995-05-11 | 1996-05-11 | 정전척을보호하기위한방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0742588A3 (ko) |
JP (1) | JP3837184B2 (ko) |
KR (1) | KR100398818B1 (ko) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3457477B2 (ja) * | 1995-09-06 | 2003-10-20 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック |
US6151203A (en) * | 1998-12-14 | 2000-11-21 | Applied Materials, Inc. | Connectors for an electrostatic chuck and combination thereof |
US7884925B2 (en) * | 2008-05-23 | 2011-02-08 | Lam Research Corporation | Electrical and optical system and methods for monitoring erosion of electrostatic chuck edge bead materials |
US8139340B2 (en) * | 2009-01-20 | 2012-03-20 | Plasma-Therm Llc | Conductive seal ring electrostatic chuck |
DE202018106098U1 (de) * | 2017-10-31 | 2018-11-19 | Mfc Sealing Technology Co., Ltd. | Halbleiter-Bearbeitungsvorrichtung |
KR101926726B1 (ko) | 2018-06-28 | 2018-12-07 | 주식회사 기가레인 | 부산물 증착 문제가 개선된 립실 및 이를 포함하는 반도체 공정 장치 |
CN114959600B (zh) * | 2022-05-31 | 2023-08-18 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 工艺腔室及半导体工艺设备 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2678381B2 (ja) * | 1987-05-06 | 1997-11-17 | ユニサーチ・リミテッド | 交流電界励振を利用した静電チャック |
US5292399A (en) * | 1990-04-19 | 1994-03-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching apparatus with conductive means for inhibiting arcing |
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US5539609A (en) * | 1992-12-02 | 1996-07-23 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck usable in high density plasma |
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US5484485A (en) * | 1993-10-29 | 1996-01-16 | Chapman; Robert A. | Plasma reactor with magnet for protecting an electrostatic chuck from the plasma |
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US5631803A (en) * | 1995-01-06 | 1997-05-20 | Applied Materials, Inc. | Erosion resistant electrostatic chuck with improved cooling system |
-
1996
- 1996-05-10 EP EP96303279A patent/EP0742588A3/en not_active Withdrawn
- 1996-05-11 KR KR1019960015621A patent/KR100398818B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-05-13 JP JP11808796A patent/JP3837184B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100398818B1 (ko) | 2003-12-31 |
JP3837184B2 (ja) | 2006-10-25 |
JPH09107690A (ja) | 1997-04-22 |
EP0742588A2 (en) | 1996-11-13 |
EP0742588A3 (en) | 1997-08-27 |
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