KR960002866A - 이이피롬과 이이피롬의 제조공정 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 기억소자인 이이피롬에 관한 것으로, 특히 고농도 불순물의 매몰산화막을 형성시키지 않아 셀크기 및 공정단계를 감소시킨 이이피롬에 적합하도록 한 새로운 구조의 이이피롬소자와 이의 제공공정에 관한 것이다.
이를 위하여 자기정렬LDD(Self aligning Lightly Doped Drain)공정을 도입하여 소오스영역 및 드레인영역을 형성시키고, 터널산화막에 의한 게이트산화막의 산화를 방지하였으며, 플로팅게이트와 콘트롤게이트의 위치가 반전되고 고농도 불순물의 매몰산화막(P형 반도체기판인 경우 n+매몰산화막)의 역할을 콘트롤게이트가 대신하도록 하였다.

Description

이이피롬과 이이피롬의 제조공정
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따를 이이프롬의 제조공정단계를 도시한 도면.
제3도는 본 발명에 따른 이이피롬 셀을 도시한 도면.

Claims (2)

  1. 이이피롬소자의 제조방법에 있어서, 게이트산화막과 콘트롤게이크가 형성된 반도체기판의 표면에 포토공정으로 감광제로 터널산화막이 형성될 부의를 오픈하는 포토리지스트 마스크를 형성하고, 저농도 불순물을 이온주입시켜 저농도 불순물영역을 형성시키는 공정과, 콘트롤게이트의 양측에 측면산화막을 형성시킨 공정과, 콘트롤게이트가 형성된 반도체기판의표면에 층간절연층을 형성시키는 공정과, 저농도 불순물영역위의 층간절연층을 일부를 식각하여 터널산화막을 형성시키는 공정과, 층간절연층과 터널산화막위에 콘트롤기이트 및 반도체기판과 절연되고 콘트롤게이트를 덮은 현태로 플로팅게이크를 형성하는 공정, 플로팅게이트를 마스크로 사용하여 플로팅게이트의 양쪽에 고농도 불순물을 이온상태로 반도체기판내에 주입시켜서 소스 및 드레인 영역을 형성시키는 공정을 포함하는 이이피롬소자의 제고공정.
  2. 이이피롬소자에 있어서, 반도체 기판내에 형성된 소스 및 드레인 영역과, 상기 트레인영역의 일측에 형성된 저농도 불순물영역과, 상기 저농도 불순물영역의 상측 일부에 형성된 터널산화막과, 상기 소스 및 드레인 영역사이의 채널위에 절연막으로 절연된 콘트롤게이트와, 상기 터널산화막과 콘트롤게이트위에 형성된 플로팅게이트를 포함하여 구성되어서 플로팅게이트가 코트로게이트위에 위치하는 것이 특징인 이이피롬 셀.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040006046A (ko) * 2002-07-09 2004-01-24 주식회사 엔바이오제네시스 유익한 토양 미생물을 포함하는 미생물 제제 및 제조 방법

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