KR960036093A - 플래쉬 이이피롬 셀 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 이이피롬셀 및 그 제조방법에 관한 것으로, 플로팅게이트(Floating gate)를 공유하는 N-채널 셀 P-채널 셀에 의한 인버터(Inverter)형의 플래쉬 이이피롬셀 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 및 제1C도는 본 발명에 따른 플래쉬 이이피롬(PLASH EEPROM)셀 제조방법을 설명하기 위한 소자의단면도, 제2도는 본 발명에 따른 플래쉬 이이피롬셀을 설명하기 위한 소자의 레이아웃도 제 3A내지 3C도는 본 발명에 따른 플래쉬 이이피롬셀의 바이어서(Bias)인가조건을 나타낸 단면도, 제 4A내지 4B도는 본 발명에 따른 플래쉬 이이피롬셀의 독출(Read)동작을 설명하기 위한 회로도.
Claims (5)
- 전원 및 접지간 P-채널 셀 및 N-채널 셀이 직렬로 접속되며, 상기 P-채널 셀 및 N-채널 셀의 콘트롤게이트가 서로 접속되고, 상기 P-채널 셀 및 N-채널 셀의 플로팅게이트가 서로 공유하여 인버터 형태로 취하도록 구성되는것을 특징으로 하는 플래쉬 이이피롬셀
- 제1항에 있어서, 상기 P-채널 셀 및 N-채널 셀에서 발생되는 핫-일렉트론 및 핫-홀에 의해 프로그램 및 소거가 가능하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 이이피롬셀
- 플래쉬 이이피롬셀 제조방법에 있어서, P형 실리콘기판상에 N형불순물 이온을 주입하여 N-웰을 형성한 후 소자분리를 위한 필드산화막을 형성하는 단계와, 상기 P형 실리콘기판 및 필드산화막 전체구조상부에 제1절연막, 제1폴리실리콘, 제2절연막 및 제2폴리실리콘을 순차적으로 형성하는 단계와, 게이트 전극용 마스크를 사용한 리소그라피 공정 및 식각공정으로 상기 제2폴리실리콘, 제2절연막, 제1폴리실리콘 및 제1절연막을 식각하여 N-채널 셀 및 P-채널 셀의 콘트롤게이트 및 플로팅게이트를 형성하는 단계와 상기 N-채널 셀을 형성하기 위해 N형 불순물을 주입하기 위한 이온주입마스크를 사용하여 N-채널의 소오스 및 드레인영역과 상기 N-웰에 픽업영역을 형성하고, 상기 P-채널 셀을 형성하기 위해 P형불순물을 주입하기 위한 이온주입마스크를 사용하여 P-채널의 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 이이피롬셀 제조방법
- 제3항에 있어서, 상기 N-채널 셀 및 P- 채널 셀의 플로팅게이트가 서로 공유하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 이이피롬셀 제조방법
- 제3항에 있어서, 상기 N-채널 셀 및P-채널 셀의 콘트롤게이트가 서로 접속되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 이이피롬셀 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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