KR950034087A - 자성체박막과 그 제조방법 및 자기헤드 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 실질적으로 기둥형상구조를 가진 자성결정입자(4)(5)의 평균높이 d1과, 평균직경 ds가 0.3≤ds/d2≤0.9의 범위로 표시되는 형상비를 가진 자성결정입자로 이루어진 주자성층(2)과, 상기 주자성층보다 포화자속밀도가 적어도 0.1테슬라이상 작은 중간층(3)이 교호로 적층된 자성체박막(1)으로 하므로써, 연자기특성이 뛰어난 자성체박막을 제공하는 것을 목적으로 하며, 그 구성에 있어서, 주자성층(2)과,이보다 포화자속밀도가 적어도 0.1 테슬라이상 작은 중간층(3)이 교호로 적층되어 있다. 주자성층(2)의 두께는 3~100㎚의 범위가 바람직하고 중간층(3)의 두께는 0.1~10㎚의 범위가 바람직하다. 또 적층구조전체의 두께는 ,100㎚~10㎛정도의 바람직하다. 주자성층(2)은 주로 자성결정입자(4)로 형성되고, 중간층(3)을 파괴해서 성장하고 있는 것도 존재한다.

Description

자성체박막과 그 제조방법 및 자기헤드
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일실시예의 다중중간층(25)을 가진 적층구조의 자성체박막의 단면도.

Claims (33)

  1. 실질적으로 기둥형상구조를 가진 자성결정입자의 평균높이 dl과, 평균직경ds가 0.3≤ds/dl≤0.9의 범위로 표시되는 형상비를 가진 자성결정입자로 이루어진 주자성층과, 상기 준저성층보다 포화자속밀도가 적어도 0.1테슬라 이상 작은중간층이 교호로 적층된 것을 특징으로 하는 자성체박막.
  2. 제1항에 있어서, 평균직경 ds가 1≤ds≤40㎚의 범위내인 것을 특징으로 하는 자성체박막.
  3. 금속자성체합금의 결정입자로 구성된 자성체박막으로서 상기 입자내에 비자성원소, 산화물생성자유에너지가 Fe보다 낮은 원소, 및 직화물생성자유에너지가 Fe보다 낮은 원소로 부터 선택되는 적어도 1종류의 원소가 합유되어 있고, 또한 상기 원소가 상기 입자내부로 부터 표면으로 향해서 고농도가 조성구배하고 있는 것을 특징으로 하는 자성체 박막.
  4. 제3항에 있어서, 조성구배하고 있는 자성박막을 주자성층으로 하고, 상기 주자성층보다 포화자속밀도가 적어도 0.1 테슬라이상 작은 중간층이 교호로 적층된 것을 특징으로 하는 자성체박막.
  5. 제3항에 있어서, 조송구배가 막의 면방향보다도 두께방향에 큰것을 특징으로 하는 자성체박막.
  6. 제1항 또는 제4항에 있어서, 주자성층내에 산화물생성자유에너지 또는 질화물생성자유에너지가 Fe보다 낮은 물질이 적어도 1종이상 함유되는 것을 특징으로 하는 자성체박막.
  7. 제 6항에 있어서, 주자성층내의 산화물생성자유에너지 또는 질화물생성자유에너지가 Fe보다 낮은 물질이, Al, Si, Ti, Cr및 V로부터 선택되는 적어도 하나의 원소인 것을 특징으로 하는 자성체박막.
  8. 제1항 또는 제4항에 있어서, 주자성층내에 적어도 C,B,O,N,으로 부터 선택된 1종이상의 원소를 함유한 것을 특징으로 하는 자성체박막.
  9. 제1항 또는 제4항에 있어서, 주자성층의 평균막두께 dA가 3≤dA≤100㎚, 중간층의 평균막두께 dB가 0.1≤dB≤10㎚이고, 0≤dB/dA≤0.5의 범위인 것을 특징으로 하는 자성체박막.
  10. 제1항 또는 제4항에 있어서, 중간층이 산화물생성자유에너지 또는 질소화물생성자유에너지 Fe보다 낮은 원소가 적어도 1종류와 C,B,O,N으로부터 선택된 1종이상의 원소를 함유한 것을 특징으로 하는 자성체박막.
  11. 제1항 또는 제4항에 있어서 중간층이 Fe, Al, Si, Ta, Ti, Mg, Zr,Mn, Ca, Cr, B, V, Nb, W, Zn, C, Mo, Ce, Hf,로부터 선택된 질화물, 산화물 및 탄화물로부터 선택되는 적어도 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 자성체박막.
  12. 제1항 또는 제4항에 있어서, 중간층이 금속자성원소를 함유한 것을 특징으로 하는 자성체박막.
  13. 제1항 또는 제4항에 있어서, 중간층이 평균막두께 5㎚이하의 자성층 A와 평균막두께 5㎚이하의 분리층B가 적어도 1층씩 교호로 적층된 다중구조를 가진 다중중간층이고, 자성층의 평균막두께 DM과, 상기 다중중간층의 평균막두께DI가 DI≤DM 의 범위인 것을 특징으로 하는 자성체박막.
  14. 제13항에 있어서, 주자성층의 평균막두께 DM이 3㎚이상 100㎚이하이고, 다중중간층이 평균막두께 DI가 0.2㎚이상 15㎚이하, 또한 상기 다중중간층은, 평균막두께 5㎚이하의 분리층B와, 평균막 두께5㎚이하의 자성층A로 구성되는 것을 특징으로 하는 자성체박막.
  15. 제13항에 있어서, 자성층A내에, 산화물생성자유에너지 또는 질화물생성 자유에너지가 Fe보다 낮은 물질이 적어도 1종 함유되는 것을 특징으로 하는 자성체박막.
  16. 제13항에 있어서, 자성층A내에, 적어도 C, B, O, N,으로부터 선택된 1종이상의 원소를 함유한 것을 특징으로 하는 자성체박막.
  17. 제13항에 있어서, 분리층B내에 산화물생성자유에너지 또는 질소화물생성자유에너지가 Fe보다 낮은 원소가 적어도 1종류와 C, B, O, N부터 선택된 1종이상이 원소를 함유한 것을 특징으로 하는자성체박막.
  18. 제13항에 있어서, 분리층B내에 금속자성원소가 함유되는 것을 특징으로 하는 자성체박막.
  19. 제1항 또는 제4항에 있어서, 중간층이 실질적으로 대략 구상 또는 대략 타원체의 자성결정입자로 이루어진 자성층인 것을 특징으로 하는 자성체박막.
  20. 제19항에 있어서, 주자성층의 평균막 두께 3~15㎚, 중간층의 평균막두께 3~15㎚인 것을 특징으로 하는 자성체박막.
  21. 제1항 또는 제4항에있어서, 중간층내에 산화물생성자유에너지 또는 질소화물생성자유에너지가 Fe보자 낮은원소 MB가 적어도 1종류이상과, C, B, O, N의 가운데 선택된 적어도 1종류이상의 원소 XB가 함유되고, 주자성층내에 산화물생성자유에너지 또는 질화물생성자유에너지가 Fe보다 낮은 원소인 MA가 함유될때,상기 원소 Xa의 화합물생성자유에너지G(MA,XB),상기원소, MB,와 상기원소 XB의 화합물생성자유에너지를 G(MB,XB)라하면, G(MA,XB≥G(MBXB)인 관계를 만족시키는 원소가 함유되는 것을 특징으로 하는 자성체박막.
  22. 제1항 또는제4항에 있어서 중간층내에 산화물생성자유에너지 또는 질화물생성자유에너지가 Fe보다 낮은 원소 MB가 적어도 1종류이상과, C, B, O, N의 가운데 선택된 적어도 1종류이상의 원소 XB가 함유되고, 주자성층내에 산화물생성자유에너지 또는 질화물생성자유에너지가 Fe보다 낮은 원소인 MA가 적어도 1종류 이상과, C, B, O, N중에서 선택된 적어도 1종류이상의 원소가 XA가 함유될때, 상기 원소MA와 상기 원소XA의 화합물생성자유에너지를 G(MA,XA),상기 MB와 상기 원소 XB의 화합물생성자유에너지를 G(MB,XB)라하면, G(MA,XB ≥G(M B,XB)인 관계를 만족시키는 원소가 함유되는 것을 특징으로 하는 자성체박막.
  23. 제22항에 있어서, 원소 MB와 원소XA의 화합물생성자유에너지를 G(MB,XA), 원소 MA와 원소XB의 화합물생성자유에너지를 G(MA,XB)라하면, G(MB,XA≥G(MB,XB) G(MA,XB≥G(MB,XB)인 관계를 만족시키는 원소가 함유되는 것을 특징으로 하는 자성체박막.
  24. 제1항 또는 4항에 있어서, 주자성층과 중간층이 적어도 1종의 원소를 공유하고 있고,상기 원소가 주자성층, 중간층에서 대략 연속적으로 조성구배를 가진 것을 특징으로 하는 자성체박막.
  25. 제24항에 있어서, 주자성층과 중간층이 적어도 1종의 원소를 공유하고, 상기 주자성층과 상기 중간층의 계면에서의 상기 주자성층내의 상기 원소농도 a 원자량%와,상기 중간층내의 상기 원소농도 b 원자량%가, 0＜a/b＜5.0의 범위에서 대략 연속적으로 조성구배를 가진 것을 특징으로 하는 자성체박막.
  26. 기판상에 상화물 또는 질소물생성자유에너지가 Fe보다 낮은 적어도 1종의 원소와, Fe, Co 및 Ni로부터 선택되는 적어도 1종류의 원소를 함유한 주자성전구체 층과, 중간전구체층을 교호로 적어도 1층씩 형성하고 이어서 열처리해서, 실질적으로 기둥형상구조를 가진 자성결정입자의 평균높이 dl과, 평균직경 ds가 0.3≤ds/dl≤0.9의 범위로 표시되는 형상비를 가진 자성결정입자로 이루어진 주저성층과, 상기 주자성층보다 포화자속밀도가 적어도 0.1테슬라이상 작은 중간층이 교호로 적층된 자성체박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 자성체박막의 제조방법.
  27. 제26항에 있어서, 주자성전구체층을 형성할때에, 도퍼트로서, 산소, 질소, 붕소, 탄소로부터 선택되는 적어도 1종류의 원소를 첨가하고, 금속자성체합금의 결정입자내에 비자성원소, 산화물생성자유에너지가Fe보다 낯은 원소 및 잘화물생성자유에너지가 Fe보다 낮은 원소로부터 선택되는 적어도 1종류의 원소가 함유되고 있고, 또한 상기 원소가 상기 입자내부로부터 표면을 향해서 고농도가 되도록 조성구배하고 있는 자성박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 자성체박막의 제조 방법.
  28. 제26항에 있어서, 중간전구체층이 주자성전구체층에 함유되는 산화물 또는 질화물생성자유에너지가 Fe 보다 낮은 적어도 1종의 원소보다 산화물 또는 질화물생성자유에너지가 높은 원소가 1종류이상 함유되는 것을 특징으로 하는 자성박막의제조방법.
  29. 제28항에 있어서, 중간정구체층이 비정질 또는 2㎚이하의 자성결정입자를 모상으로 하는 층이고, 열처리함으로써 자성층 A와 분리층 B를 형성하고, 다중구조의 중간층을 형성하는 것을 특징으로 하는 자성체박막의 제조방법.
  30. 제26항에 있어서, 주자성전구체층과, 중간전구체층을, 동일 중착원을 사용한 증착법에 의해 각각 형성하고, 중간전구체층은 상소 또는 질소를 함유한 가스의 분위기에서 증착하는 것을 특징으로 하는 자성체박막의제조방법.
  31. 제27항에 있어서, 도펀트의 첨가량이 1ppm~10atm%인 것을 특징으로 하는 자성체박막의 제조방법.
  32. 제26항에 있어서, 열처리의 온도가 400~700℃의 범위, 처리 시간 0.5~5 시간의 범위인 것을 특징으로 하는 자성체박막의 제조방법.
  33. 제1항~제25항의 어느 하나에 기재한 자성체박막을 자기헤드의 자성체부분에 사용한 것을 특징으로 하는 자기헤드.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5796560A (en) * 1995-03-13 1998-08-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive head
EP0872569B1 (en) * 1997-04-18 2003-12-17 Plasma Metal S.A. Nitriding process and nitriding furnace thereof
US6072671A (en) * 1998-07-31 2000-06-06 International Business Machines Corporation Write head with high thermal stability material
KR100348920B1 (ko) * 1998-09-03 2002-08-14 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 자성막과 그 제조 방법
US6233116B1 (en) 1998-11-13 2001-05-15 Read-Rite Corporation Thin film write head with improved laminated flux carrying structure and method of fabrication
US6410170B1 (en) * 1999-05-20 2002-06-25 Read-Rite Corporation High resistivity FeXN sputtered films for magnetic storage devices and method of fabrication
JP3396455B2 (ja) * 1999-06-22 2003-04-14 アルプス電気株式会社 軟磁性膜及びその製造方法、ならびにこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド
US20040206300A1 (en) * 1999-07-28 2004-10-21 Sapozhnikov Victor B. Method for forming thin films with lateral composition modulations
US6473960B1 (en) * 2000-01-07 2002-11-05 Storage Technology Corporation Method of making nitrided active elements
JP2001236643A (ja) * 2000-02-23 2001-08-31 Fuji Electric Co Ltd 磁気記録媒体製造用スパッタリングターゲット、それを用いた磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体
WO2002058086A1 (en) * 2001-01-18 2002-07-25 Taiyo Yuden Co. Ltd. Granular thin magnetic film and method of manufacturing the film, laminated magnetic film, magnetic part, and electronic device
JP2004284241A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Tdk Corp 光記録媒体及び光記録媒体用スパッタリングターゲット
JP4286792B2 (ja) * 2003-04-30 2009-07-01 富士通株式会社 磁気ヘッド
US20070242395A1 (en) * 2004-10-15 2007-10-18 Bailey William E Methods of manipulating the relaxation rate in magnetic materials and devices for using the same
JP2007220850A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Fujitsu Ltd 積層磁性膜および磁気ヘッド
JP4719109B2 (ja) * 2006-04-21 2011-07-06 株式会社東芝 磁性材料およびアンテナデバイス
CN102758183A (zh) * 2011-04-27 2012-10-31 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 镀膜件及其制备方法
US10609843B2 (en) * 2012-10-04 2020-03-31 Compass Datacenters, Llc Magnetic blocking tiles for a datacenter facility
KR102611463B1 (ko) * 2016-08-02 2023-12-08 삼성전자주식회사 자기 기억 소자 및 그 제조방법
CN110607503B (zh) * 2019-10-18 2021-11-05 西南应用磁学研究所 一种高频磁芯用软磁复合膜及其制备方法
JP7456363B2 (ja) * 2020-12-09 2024-03-27 Tdk株式会社 積層コイル部品
CN114395753B (zh) * 2022-01-06 2022-11-15 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种多层结构的Fe-Cr-Al基防护涂层及其制备方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS599905A (ja) * 1982-07-09 1984-01-19 Hitachi Ltd 磁性体膜およびそれを用いた磁気ヘッド
JPS61233409A (ja) * 1985-04-08 1986-10-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波用積層型磁気ヘツドコアの製造方法及び磁気ヘツドコア
JPS62154212A (ja) * 1985-12-27 1987-07-09 Hitachi Ltd 鉄一酸素系積層磁性体膜
JPS62210607A (ja) * 1986-03-12 1987-09-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 軟磁性合金膜及びその形成法
JPS6357758A (ja) * 1986-08-26 1988-03-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化磁性合金膜及びその形成法
JP2790451B2 (ja) * 1987-04-10 1998-08-27 松下電器産業株式会社 窒素を含む軟磁性合金膜
JPH01238106A (ja) * 1988-03-18 1989-09-22 Nec Corp 耐食性強磁性薄膜
EP0380136B1 (en) * 1989-01-26 1995-01-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Soft magnetic thin film, method for preparing same and magnetic head
JPH02288209A (ja) * 1989-04-28 1990-11-28 Amorufuasu Denshi Device Kenkyusho:Kk 多層磁性薄膜
JPH03124005A (ja) * 1989-10-06 1991-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 超構造窒化合金膜
KR100210579B1 (ko) * 1990-01-08 1999-07-15 가나이 쓰도무 강자성막 및 그 제조방법과 이것을 사용한 자기헤드
DE69101726T2 (de) * 1990-02-16 1994-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Weichmagnetische Dünnschichten aus Legierung und Magnetköpfe daraus.
JPH04285153A (ja) * 1991-03-14 1992-10-09 Limes:Kk 多層磁性体膜およびその形成方法
US5432645A (en) * 1991-06-14 1995-07-11 Tdk Corporation Magnetic head-forming thin film
JPH06338410A (ja) * 1993-03-31 1994-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 軟磁性多層膜と磁気ヘッド

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