KR950033822A - 에러검출 및 정정용 반도체 메모리 장치 - Google Patents
에러검출 및 정정용 반도체 메모리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950033822A KR950033822A KR1019950003425A KR19950003425A KR950033822A KR 950033822 A KR950033822 A KR 950033822A KR 1019950003425 A KR1019950003425 A KR 1019950003425A KR 19950003425 A KR19950003425 A KR 19950003425A KR 950033822 A KR950033822 A KR 950033822A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- data
- error correction
- output terminal
- encoded
- codeword
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
Abstract
반도체 메모리 장치는 각각 소정 수의 비트를 가진 데이타 워드를 받아들이는 입력단자와 내보내는 출력단자를 포함한다. 내부 메모리 어래이는 각각 하나 이상의 데이타 워드를 인코딩한 다수의 에러정정 인코딩된 코드 워드를 저장한다. 에러정정 인코더는 입력단자와 메모리 어래이 사이에 연결되어, 에러정정 인코딩된 코드워드를 발생시키고, 수신된 데이타 워드를 인코딩하고, 그리고 내부 메모리 어래이에 코드워드를 저장시킨다. 에러 정정 디코더는 내부 메모리 어래이 및 출력단자 사이에 연결되어 내부 메모리 어래이로 부터의 에러정정 인코딩된 코드워드를 검색하고, 검출된 에러를 정정하고, 검색된 코드워드에 인코딩된 하나 이상의 데이타 워즈 중 하나를 출력단자에서 발생시킨다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 원리에 따른 반도체 메모리 장치의 블럭도.
Claims (20)
- 소정 수의 비트를 가진 데이타 워드를 받아들이는 입력단자; 소정 수의 비트를 가진 데이타 워드를 내보내는 출력단자; 각각 하나 이상의 데이타 워드를 포함하는 다수의 메모리 저장워드를 저장시키는 내부 메모리 어래이; 입력단자 및 내부 메모리 어래이 사이에 연결되며, 내부 메모리 어래이에 저장하기 위하여, 수신 데이타 워드르르인코딩한 에러정정 인코딩된 코드워드로 구성된 메모리 저장워드르르발생시키는 에러정정 인코더; 및 내부 메모리 어래이와 출력단자 사이에 연결되어, 내부 메모리 어래이로부터 에러정정 인코딩된 코드워드를검색하고, 상기 검색된 코드워드에서 검축된 에러를 정정하고, 그리고 검색된 코드워등 인코딩된 하나 이상의 데이타 워드 중 어드레싱된 하나를 출력단자에 내보내는 에러정정 디코더를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 에러정정 인코더가; 내부 메모리에 어래이에 연결되며, 이전에 저장된 코드워드를 검색하고, 검출된 에러가 정정되도록 검색된 코드워드에 인코딩된 하나 이상의 데이타 워드를 발생시키는 에러 정정 코드체커; 그리고 에러정정 코드체커와 출력단자 사이에 연결되어, 검색된 코드워드에 인코딩된 다수의 데이타 워드로부터 에러정정된 데이타 워드중 하나를 선택하는 데이타 선택기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제2항에 있어서, 데이타 선택기는, 에러정정 코드체커에 연결되고 검색된 코드워드에 인코딩된 하나 이상의 데이타 워드 중 각각 상이한 하나에 응답하는 각각의 데이타 입력단자와 데이타 출력단자에 공통으로 연결되어 있는 각각의 데이타 출력단자를 가지며, 다수의 제어된 게이트 중 하나만이 데이타 입력단자의 데이타 워드를 데이타 출력단자로 통과시키도록 배열된 다수의 제어된 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 장치는 상태 출력단자를 더 포함하며; 에러정정 코드체커는 다수의 제1데이타 워드에서의 데이타 워드와 상이한 소정 수의 비트를 가지며, 다수의 제2데이타 워드 중 각각의 하나에 대응하는 다수의 패리티 비트를 발생시키며; 그리고 데이타 선택기는 출력단자에 연결된 데이타 워드에 대응하는 다수의 패리티 비트의 서브세트를 상태 출력단자에 연결시키는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제4항에 있어서, 데이타 선택기는, 에러정정 코드정정 코드체커에 연결되고 검색된 코드워드에 인코딩된 다수의 패리티 비트 중 각각 상이한 하나에 응답하는 각각의 데이타 입력단자와 데이타 출력단자에 공통으로 연결되어 있는 각각의 데이타 출력단자를 가지며, 다수의 제어된 게이트 중 하나만이 데이타 입력단자의 데이타 워드를 데이타 출력단자로 통과시키도록 배열된 다수의 제어된 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 에러정정 인코더는 : 입력단자와 에러정정 코드체커에 연결되어, 새로운 다수의 데이타 워드를 만들기 위하여 검색된 코드워드에 인코딩된 다수의 에러정정된 데이타 워드 중 하나를 수신된 데이타 워드에 대체시키는 데이타 결합기; 그리고 데이타 결합기와 내부 메모리 어래이 사이에 연결되어, 새로운 다수의 데이타를 인코딩한 새로운 에러정정 인코딩된 코드워드를 발생시키고, 새로운 에러정정 인코딩된 코드워드를내부 메모리 어래이에 재저장하는 에러정정 코드 제너레이터를 포함하는것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제6항에 있어서, 데이타 결합기는 : 데이타 입력단자에 공통으로 결합된 각각의 제1입력단자, 에러정정 코드체크에 연결되어 검색된 코드워드에 인코딩된 다수의 에러 정정된 데이타 워드중 각각 상이한 하나에 응답하는 각각의 제2입력단자, 그리고 에러정정 코드 제너레이터에 연결된 각각의 출력단자를 가지며, 새로운 다수의 데이타 워드 중 각각 상이한 하나를 발생시키며, 다수의 멀티플렉서 중 하나만이 제1데이타 입력단자를 출력단자에 연결시키고, 나머지는 각각의 제2데이타 입력단자를 각각의 출력단자에 연결시키도록 배열된 다수의 멀티플렉서를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 에러정정 디코더에 연결되어, 검색된 코드워드에서 검출에러의 정정결과를 표시하는 상태 신호를 발생시키는상태 출력단자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 장치는 상태 출력단자를 더 포함하며; 에러정정 디코더는, 다수의 제1데이타 워드에서의 데이타 워드와 상이한 소정 수의 비트를 가진 다수의 제2데이타 워드 중 각 하나에 대응하는 다수의 패리티 비트를 발생시키며, 그리고 출력단자에 연결된 데이타 워드에 대응하는 다수의 패리티 비트의 서브세트를 상태 출력단자에 연결시키는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 에러정정 인코딩된 코드워드는 하나 이상의 데이타 워드, 그리고 코드워드에 인코딩된 하나 이상의 데이타 워드함수로써 발생된 다수의 체크비트를 포함하며; 그리고 에러정정 인코더는 다음 테이블에 따라 체크비트의 성분을 생성하는 회로를 포함하며 :데이타 비트체크비트하나 이상의 데이타 워드에서 각각의 로우는 체크비트를 표시하며, 각각의 컬럼은 데이타 비트를 표시하며, 로우에 의하여 표시된 체크비트의 성분은 체크비트의 로우에서 데이타 비트를 표시하는 13컬럼에서 X를 가진 모든 데이타 비트의 배타적-OR기능으로 생성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제10항에 있어서, 성분 발생회로는 체크비트 2에 응답하는 제1입력단자와 체크비트 3에 응답하는 제2입력단자를 가진 배타적-OR회로와, 성분 발행회로에 의하여 처리된 데이타 비트를 패리티 인코딩한 패리티 비트를 발생시키는출력단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제10항에 있어서, 체크비팅 나머지 성분은 하나 이상의 데이타 워드로 부터 상호 배타적인 데이타 비트을 이용하고, 최상부 로우의 내용은 최하부 로우로 보내고 테이블의 내용을 한 로우씩 위쪽으로 시프트시키는 성분 발생회로에 의하여 발생되며; 에러 정정 인코더는 체크비트를 발생시키기 위하여 체크비트의 모든 성분에 응답하는 배타적-OR회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 에러정정 인코딩된 코드워드는 하나 이상의 데이타 워드와, 코드워드에 인코딩된 하나 이상의 데이타 워드의 함수로 발생되는 다수의 체크비트를 포함하며, 에러정정 인코더는 체크비트를 발생시키는 회로를 포함하며, 하나 이상의 데이타 워드에서 각 로우가 체크비트를 표시하며 각 컬럼이 데이타 비트를 표시하며, 로우에 의하여 표시된 체크비트는 체크비트의 로우에서 데이타 비트를 표시하는 칼럼에 X를 가진 모든 데이타 비트의 배타적-OR 함수로써 발생되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상태 출력단자; 그리고 제어 데이타를 수신하고 제어신호를 발생시키는 제어회로를 더 포함하며, 에러정정 디코더는 검색된 에러정정디코딩된 코드워드에서 검출된 신호의 정정결과를 표시하는 ECC 상태신호를 더 발생시키며; ECC 상태신호는 제어회로의 제어신호에 따라 상태 출력단자에 선택적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상태 출력단자; 및 제어 데이타를 수신하고 제어신호를 발생시키는 제어회로를 더 포함하며, 에러정정 디코더는 검색된 코드워드에서 인코딩된 하나 이상의 데이타 어드 중 각각의 하나에 관련된 다수의패리티 비트를 더 발생시키며; 검색된 코드워드에 인코딩된 하나 이상의 데이타 워드 중 하나와 제어 회로의 제어신호에 따라 상태 출력단자에 선택적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제15항에 있어서, 에러정정 디코더는 검색된 에러정정 인코딩된 코드워드에서 검출된 에러정정의 결과를 표시하는 ECC 상태신호를 더 발생시키며; 그리고 관련 패리티 비트와 ECC 상태 신호중 하나는 제어 회로의 제어신호에 따라 상태 출력단자에 선택적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 보조 데이타를 받아들이는 보조 입력단자; 상태 표시 데이타를 발생시키는 상태 출력단자; 제어 데이타를 받아들이고 제어신호를 발생시키는 제어회로; 입력단자, 보조 입력단자 및 내부 메모리 어래이에 연결되어, 내부 메모리 어래이에 저장하기 위하여, 수신된데이타 워드와 수신된 보조 데이타의결합을 포함하는 메모리 저장워드를 발생시키는 결합회로; 내부 메모리 어래이, 출력단자 및 상태 출력단자 사이에 연결되어, 결합된 데이타 워드 및 보조 데이타를 포함하는 이전에 저정된 메모리 저장워드를 검색하고, 출력단자에서 하나 이상의 데이타 워드 중 하나와 상태 출력단자에서 이전에 결합된 보조 데이타를 발생시키는 선택 히로를 더 포함하며, 제어회로는 반도체 메모리 장치를 선택적으로 배열하기 위하여 제어신호를 발생시켜 제1동작모드에서 에러정정 인코더 및 에러정정 디코더를 활성화하고, 결합회로르 활성화시키며, 그리고 선택회로는 수신된 제어 데이타에 따르는 제2동작 모드인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제17항에 있어서, 에러정정 디코더는 검색된 에러정정 인코딩된 코드워드에서 검출된 에러의 정정결과를 표시하는 ECC 상태신호를 더 발생시키며 : 제1동작모드로 동작할때, ECC 상태신호는 제어 회로의 제어신호에 따라 상태 출력단자에 선택적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제17항에 있어서, 에러정정 디코더는 검색된 에러정정 인코딩된 하나 이상의 데이타 워드중 각 하나에 관련된 다수의 패리티 비트를 더 발생시키며 : 제1동작모드로 동작할때, 검색된 코드워드에 인코딩된 하나 이상의 데이타 워드중 하나와 관련된 패리티 비트는 제어신호에 따라 상태 출력단자에 선택적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제19항에 있어서, 에러정정 디코더는 검색된 에러정정 인코딩된 코드워드에서 검출된 에러의 정정 결과를 표시하는 ECC 상태신호를 더 발생시키며 : 제1동작모드로 동작할때, 관련 패리티 비트와 ECC 상태신호중 하나는 제어회로의 제어신호에 따라 상태 출력단자에 선택적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US20078694A | 1994-02-22 | 1994-02-22 | |
US8/200,786 | 1994-02-22 | ||
US08/200,786 | 1994-02-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950033822A true KR950033822A (ko) | 1995-12-26 |
KR100382255B1 KR100382255B1 (ko) | 2003-08-06 |
Family
ID=22743178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950003425A KR100382255B1 (ko) | 1994-02-22 | 1995-02-22 | 에러검출및정정용반도체메모리장치 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5966389A (ko) |
EP (1) | EP0668561B1 (ko) |
JP (1) | JPH07254300A (ko) |
KR (1) | KR100382255B1 (ko) |
AT (1) | ATE216096T1 (ko) |
DE (1) | DE69526279T2 (ko) |
TW (1) | TW399169B (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140074305A (ko) * | 2011-08-26 | 2014-06-17 | 옥스퍼드 브룩스 유니버시티 | 디지털 에러보정 |
KR101439815B1 (ko) * | 2013-03-08 | 2014-09-11 | 고려대학교 산학협력단 | 메모리에서의 에러 정정 처리 회로 및 에러 정정 처리 방법 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE9601606D0 (sv) * | 1996-04-26 | 1996-04-26 | Ericsson Telefon Ab L M | Sätt vid radiotelekommunikationssystem |
JP3945602B2 (ja) * | 1998-04-14 | 2007-07-18 | 富士通株式会社 | 訂正検査方法及び訂正検査装置 |
KR100665442B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2007-01-04 | 엘지전자 주식회사 | 에러정정용 메모리 제어장치 및 방법 |
US7036068B2 (en) * | 2001-07-25 | 2006-04-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Error correction coding and decoding in a solid-state storage device |
US20030023922A1 (en) * | 2001-07-25 | 2003-01-30 | Davis James A. | Fault tolerant magnetoresistive solid-state storage device |
US6981196B2 (en) * | 2001-07-25 | 2005-12-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Data storage method for use in a magnetoresistive solid-state storage device |
US20030172339A1 (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-11 | Davis James Andrew | Method for error correction decoding in a magnetoresistive solid-state storage device |
US6973604B2 (en) * | 2002-03-08 | 2005-12-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Allocation of sparing resources in a magnetoresistive solid-state storage device |
JP2005327437A (ja) | 2004-04-12 | 2005-11-24 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置 |
US20070061669A1 (en) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Major Karl L | Method, device and system for detecting error correction defects |
CN101796277B (zh) * | 2007-08-31 | 2013-06-12 | 尤尼弗瑞克斯I有限责任公司 | 废气处理装置 |
US20090276587A1 (en) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Moyer William C | Selectively performing a single cycle write operation with ecc in a data processing system |
US7814300B2 (en) | 2008-04-30 | 2010-10-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | Configurable pipeline to process an operation at alternate pipeline stages depending on ECC/parity protection mode of memory access |
US9529547B2 (en) | 2011-10-21 | 2016-12-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Memory device and method for organizing a homogeneous memory |
KR102002925B1 (ko) | 2012-11-01 | 2019-07-23 | 삼성전자주식회사 | 메모리 모듈, 그것을 포함하는 메모리 시스템, 그것의 구동 방법 |
CN105340022B (zh) * | 2013-06-24 | 2019-11-12 | 美光科技公司 | 用于校正数据错误的电路、设备及方法 |
CN103700396B (zh) * | 2013-12-03 | 2016-06-01 | 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 | 一种面向sram的抗seu错误累积的控制器及方法 |
US9852024B2 (en) * | 2016-04-19 | 2017-12-26 | Winbond Electronics Corporation | Apparatus and method for read time control in ECC-enabled flash memory |
US10691533B2 (en) * | 2017-12-12 | 2020-06-23 | Micron Technology, Inc. | Error correction code scrub scheme |
CN114203228B (zh) * | 2020-09-18 | 2023-09-15 | 长鑫存储技术有限公司 | 存储器 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3243774A (en) * | 1962-07-12 | 1966-03-29 | Honeywell Inc | Digital data werror detection and correction apparatus |
US3387261A (en) * | 1965-02-05 | 1968-06-04 | Honeywell Inc | Circuit arrangement for detection and correction of errors occurring in the transmission of digital data |
US3648239A (en) * | 1970-06-30 | 1972-03-07 | Ibm | System for translating to and from single error correction-double error detection hamming code and byte parity code |
US3825893A (en) * | 1973-05-29 | 1974-07-23 | Ibm | Modular distributed error detection and correction apparatus and method |
US3836957A (en) * | 1973-06-26 | 1974-09-17 | Ibm | Data storage system with deferred error detection |
US4506362A (en) * | 1978-12-22 | 1985-03-19 | Gould Inc. | Systematic memory error detection and correction apparatus and method |
US4360915A (en) * | 1979-02-07 | 1982-11-23 | The Warner & Swasey Company | Error detection means |
US5177743A (en) * | 1982-02-15 | 1993-01-05 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory |
US4450562A (en) * | 1982-03-26 | 1984-05-22 | Rca Corporation | Two level parity error correction system |
US4651321A (en) * | 1983-08-29 | 1987-03-17 | Amdahl Corporation | Apparatus for reducing storage necessary for error correction and detection in data processing machines |
DE3379192D1 (en) * | 1983-12-19 | 1989-03-16 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Correction method for symbol errors in video/teletext signals |
JPS61134988A (ja) * | 1984-12-04 | 1986-06-23 | Toshiba Corp | 半導体メモリにおける誤り検出訂正機能制御系 |
US4852100A (en) * | 1986-10-17 | 1989-07-25 | Amdahl Corporation | Error detection and correction scheme for main storage unit |
JPH01171199A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体メモリ |
US4995041A (en) * | 1989-02-03 | 1991-02-19 | Digital Equipment Corporation | Write back buffer with error correcting capabilities |
US5195099A (en) * | 1989-04-11 | 1993-03-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device having improved error correcting circuit |
JPH0387000A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US5331645A (en) * | 1990-01-17 | 1994-07-19 | Integrated Device Technology, Inc. | Expandable digital error detection and correction device |
US5127014A (en) * | 1990-02-13 | 1992-06-30 | Hewlett-Packard Company | Dram on-chip error correction/detection |
US5043943A (en) * | 1990-06-18 | 1991-08-27 | Motorola, Inc. | Cache memory with a parity write control circuit |
JP2549209B2 (ja) * | 1991-01-23 | 1996-10-30 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JPH05225798A (ja) * | 1991-08-14 | 1993-09-03 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | メモリシステム |
US5313475A (en) * | 1991-10-31 | 1994-05-17 | International Business Machines Corporation | ECC function with self-contained high performance partial write or read/modify/write and parity look-ahead interface scheme |
-
1995
- 1995-01-30 EP EP95101257A patent/EP0668561B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-01-30 AT AT95101257T patent/ATE216096T1/de not_active IP Right Cessation
- 1995-01-30 DE DE69526279T patent/DE69526279T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-02-18 TW TW084101504A patent/TW399169B/zh not_active IP Right Cessation
- 1995-02-21 JP JP7032569A patent/JPH07254300A/ja active Pending
- 1995-02-22 KR KR1019950003425A patent/KR100382255B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-02-20 US US08/603,409 patent/US5966389A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140074305A (ko) * | 2011-08-26 | 2014-06-17 | 옥스퍼드 브룩스 유니버시티 | 디지털 에러보정 |
KR101439815B1 (ko) * | 2013-03-08 | 2014-09-11 | 고려대학교 산학협력단 | 메모리에서의 에러 정정 처리 회로 및 에러 정정 처리 방법 |
WO2014137202A1 (ko) * | 2013-03-08 | 2014-09-12 | 고려대학교 산학협력단 | 메모리에서의 에러 정정 처리 회로 및 에러 정정 처리 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0668561B1 (en) | 2002-04-10 |
EP0668561A2 (en) | 1995-08-23 |
EP0668561A3 (en) | 1996-04-10 |
US5966389A (en) | 1999-10-12 |
DE69526279T2 (de) | 2002-10-02 |
KR100382255B1 (ko) | 2003-08-06 |
JPH07254300A (ja) | 1995-10-03 |
TW399169B (en) | 2000-07-21 |
DE69526279D1 (de) | 2002-05-16 |
ATE216096T1 (de) | 2002-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR950033822A (ko) | 에러검출 및 정정용 반도체 메모리 장치 | |
KR100266748B1 (ko) | 반도체 메모리 장치 및 그 장치의 에러 정정 방법 | |
US6018817A (en) | Error correcting code retrofit method and apparatus for multiple memory configurations | |
KR940000901B1 (ko) | 마스크 rom을 구비한 반도체 메모리 장치 | |
US4726021A (en) | Semiconductor memory having error correcting means | |
JPS6122826B2 (ko) | ||
US5251219A (en) | Error detection and correction circuit | |
US5537427A (en) | Modular multiple error correcting code system | |
US4631725A (en) | Error correcting and detecting system | |
US5386425A (en) | Two-dimensional error correcting method and decoder | |
US4692922A (en) | Method for correcting and detecting errors | |
US20090070637A1 (en) | Electronic circuit with a memory matrix that stores pages including extra data | |
US5761221A (en) | Memory implemented error detection and correction code using memory modules | |
EP1346364B1 (en) | Data processing device with a write once memory (wom) | |
JPH0760394B2 (ja) | 誤り訂正・検出方式 | |
US5896397A (en) | Method and device for error protection of programmable memories | |
SU982098A1 (ru) | Запоминающее устройство с исправлением ошибок | |
JPS6223902B2 (ko) | ||
SU1083237A2 (ru) | Запоминающее устройство с исправлением ошибок | |
KR890004185B1 (ko) | 다중에러 정정 리드-솔로몬 디코더에서의 이레이져에 관한 정보 전송회로 | |
SU1149314A1 (ru) | Запоминающее устройство с обнаружением ошибок | |
KR970068161A (ko) | 메모리 데이타 입출력 장치 및 방법 | |
SU1633461A1 (ru) | Запоминающее устройство с коррекцией модульных ошибок | |
SU1411834A1 (ru) | Запоминающее устройство с самоконтролем | |
JP2763413B2 (ja) | 誤り訂正符号の符号器ならびに符号化方法およびその復号器ならびに復号方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080326 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |