KR950021598A - 반도체 장치 - Google Patents
반도체 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950021598A KR950021598A KR1019940032635A KR19940032635A KR950021598A KR 950021598 A KR950021598 A KR 950021598A KR 1019940032635 A KR1019940032635 A KR 1019940032635A KR 19940032635 A KR19940032635 A KR 19940032635A KR 950021598 A KR950021598 A KR 950021598A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- insulating layer
- transistor
- load
- semiconductor device
- driver
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
- H10B10/12—Static random access memory [SRAM] devices comprising a MOSFET load element
- H10B10/125—Static random access memory [SRAM] devices comprising a MOSFET load element the MOSFET being a thin film transistor [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
- Y10S257/903—FET configuration adapted for use as static memory cell
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명에 따른 반도체 장치는 제1도전 타입의 구동기 트랜지스터와, 구동기 트랜지스터 위에 형성된 제2도전타입의 부하 트랜지스터와, 구동기 트랜지스터와 부하 트랜지스터 사이에 형성된 절연층을 포함한다. 절연층에는 그 위에 부하 트랜지스터의 채널 영역, 게이트 절연층, 및 게이트 전극이 형성된 디프레이션 에어리어가 제공되어 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명이 적용되는 메모리셀을 도시하는 회로도
제5도는 본 발명에 따른 제1실시예의 메모리 장치의 구조를 도시하는 평면도
제6도는 제5도의 선 I-I’에서 본 단면도
제7도 내지 제12도는 제5도 및 제6도에서 도시한 메모리 장치의 제조 단계를 도시한 도면.
Claims (8)
- 제1도전 타입의 구동기 트랜지스터와, 상기 구동기 트랜지스터 위에 형성된 제2도전 타입의 부하 트랜지스터와, 상기 구동기 트랜지스터의 상기 부하 트랜지스터 사이에 형성된 절연층을 포함하며, 상기 절연층에는 그 위에 부하 트랜지스터의 채널 영역, 게이트 절연층, 및 게이트 전극이 형성되어 있는 디프레이션 에어리어가 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 디프레이션 에어리어는 홈인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 홈은 전방 테이퍼 형태로 형성되며, 상기 홈의 보텀은 상부 개부 보다 좁은 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전 타입은 각각 N형과 P형인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 부하 트랜지스터의 상기 채널 영역과 소스-드레인 영역은 불순물 주입에 의한 자기 정렬 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 불순물은 붕소인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 한쌍의 N형 구동기 트랜지스터와, 상기 구동기 트랜지스터 위에 형성된 한쌍의 P형 부하 트랜지스터와, 상기 구동기 트랜지스터와 상기 부하 트랜지스터 사이에 형성된 절연층을 포함하며, 상기 절연층에는 그 위체 상기 부하 트랜지스터의 채널 영역, 게이트 절연층, 및 게이트 전극이 형성된 홈이 제공되는 특징으로 하는 반도체 메모리.
- 제7항에 있어서, 상기 부하 트랜지스터의 상기 채널 영역과 소스-드레인 영역은 이온 주입에 의한 자기 정렬 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5303719A JP2684975B2 (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | ボトムゲート型薄膜mosトランジスタおよびその製造方法 |
JP93-303719 | 1993-12-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950021598A true KR950021598A (ko) | 1995-07-26 |
KR0178816B1 KR0178816B1 (ko) | 1999-03-20 |
Family
ID=17924443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940032635A KR0178816B1 (ko) | 1993-12-03 | 1994-12-03 | 반도체 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5598013A (ko) |
JP (1) | JP2684975B2 (ko) |
KR (1) | KR0178816B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3686144B2 (ja) * | 1995-12-07 | 2005-08-24 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02295164A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-06 | Sony Corp | 半導体メモリ |
US5350933A (en) * | 1990-02-21 | 1994-09-27 | Sony Corporation | Semiconductor CMOS static RAM with overlapping thin film transistors |
JP2830535B2 (ja) * | 1991-08-30 | 1998-12-02 | 日本電気株式会社 | Cmos型sramおよびその製造方法 |
KR940009608B1 (ko) * | 1991-11-30 | 1994-10-15 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 메모리장치 및 그 제조방법 |
JP3132126B2 (ja) * | 1992-02-25 | 2001-02-05 | ソニー株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US5373170A (en) * | 1993-03-15 | 1994-12-13 | Motorola Inc. | Semiconductor memory device having a compact symmetrical layout |
-
1993
- 1993-12-03 JP JP5303719A patent/JP2684975B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-12-03 KR KR1019940032635A patent/KR0178816B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-12-05 US US08/353,319 patent/US5598013A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5598013A (en) | 1997-01-28 |
KR0178816B1 (ko) | 1999-03-20 |
JP2684975B2 (ja) | 1997-12-03 |
JPH07161842A (ja) | 1995-06-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR950034767A (ko) | Mis형 반도체장치 | |
KR890702254A (ko) | 집적회로 트랜치 셀 | |
US7732282B2 (en) | Transistor of the I-MOS type comprising two independent gates and method of using such a transistor | |
KR960026941A (ko) | 반도체장치 | |
KR930006950A (ko) | 정적 메모리 장치 | |
KR850007718A (ko) | 반도체 장치 | |
US4213140A (en) | Insulated-gate semiconductor device | |
KR920000145A (ko) | 반도체 메모리 | |
KR940020424A (ko) | 정적 반도체 기억 장치 | |
KR960032771A (ko) | 접합 전계 효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치 | |
KR950021714A (ko) | 박막트랜지스터를 갖는 반도체장치와 그의 제조방법 | |
KR890017769A (ko) | 반도체 장치 및 제조방법 | |
KR930003235A (ko) | 마스터 슬라이스형 반도체 집적회로 장치의 기본셀 형성을 위한 트랜지스터 배치와 마스터 슬라이스형 반도체 집적회로 장치 | |
KR920010903A (ko) | 스태틱 랜덤 액세스 메모리용 셀 | |
KR860009489A (ko) | 반도체 집적회로장치 및 그 제조방법 | |
KR900017104A (ko) | Mos형 전계효과트랜지스터 | |
KR880014644A (ko) | 반도체 집적 회로 장치 및 그 제조 방법 | |
KR870004529A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR950021538A (ko) | 반도체 집적 회로 | |
KR950021598A (ko) | 반도체 장치 | |
KR900701046A (ko) | 상보형 mos 회로기술을 이용한 래치업 방지회로를 가진 집적회로 | |
KR970067841A (ko) | 반도체 소자 및 그의 제조방법 | |
KR960002889A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
KR940012631A (ko) | 반도체 메모리장치 | |
JPS54101680A (en) | Semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |