KR950021598A - 반도체 장치 - Google Patents

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KR950021598A
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히로아끼 요꼬야마
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가네꼬 히사시
니뽄 덴끼 가부시끼가이샤
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    • H10B10/12Static random access memory [SRAM] devices comprising a MOSFET load element
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Abstract

본 발명에 따른 반도체 장치는 제1도전 타입의 구동기 트랜지스터와, 구동기 트랜지스터 위에 형성된 제2도전타입의 부하 트랜지스터와, 구동기 트랜지스터와 부하 트랜지스터 사이에 형성된 절연층을 포함한다. 절연층에는 그 위에 부하 트랜지스터의 채널 영역, 게이트 절연층, 및 게이트 전극이 형성된 디프레이션 에어리어가 제공되어 있다.

Description

반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명이 적용되는 메모리셀을 도시하는 회로도
제5도는 본 발명에 따른 제1실시예의 메모리 장치의 구조를 도시하는 평면도
제6도는 제5도의 선 I-I’에서 본 단면도
제7도 내지 제12도는 제5도 및 제6도에서 도시한 메모리 장치의 제조 단계를 도시한 도면.

Claims (8)

  1. 제1도전 타입의 구동기 트랜지스터와, 상기 구동기 트랜지스터 위에 형성된 제2도전 타입의 부하 트랜지스터와, 상기 구동기 트랜지스터의 상기 부하 트랜지스터 사이에 형성된 절연층을 포함하며, 상기 절연층에는 그 위에 부하 트랜지스터의 채널 영역, 게이트 절연층, 및 게이트 전극이 형성되어 있는 디프레이션 에어리어가 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 디프레이션 에어리어는 홈인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 홈은 전방 테이퍼 형태로 형성되며, 상기 홈의 보텀은 상부 개부 보다 좁은 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전 타입은 각각 N형과 P형인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 부하 트랜지스터의 상기 채널 영역과 소스-드레인 영역은 불순물 주입에 의한 자기 정렬 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 불순물은 붕소인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 한쌍의 N형 구동기 트랜지스터와, 상기 구동기 트랜지스터 위에 형성된 한쌍의 P형 부하 트랜지스터와, 상기 구동기 트랜지스터와 상기 부하 트랜지스터 사이에 형성된 절연층을 포함하며, 상기 절연층에는 그 위체 상기 부하 트랜지스터의 채널 영역, 게이트 절연층, 및 게이트 전극이 형성된 홈이 제공되는 특징으로 하는 반도체 메모리.
  8. 제7항에 있어서, 상기 부하 트랜지스터의 상기 채널 영역과 소스-드레인 영역은 이온 주입에 의한 자기 정렬 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940032635A 1993-12-03 1994-12-03 반도체 장치 KR0178816B1 (ko)

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JPH07161842A (ja) 1995-06-23

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