KR950021545A - 디램의 열 어드레스 디코더 - Google Patents

디램의 열 어드레스 디코더 Download PDF

Info

Publication number
KR950021545A
KR950021545A KR1019930028137A KR930028137A KR950021545A KR 950021545 A KR950021545 A KR 950021545A KR 1019930028137 A KR1019930028137 A KR 1019930028137A KR 930028137 A KR930028137 A KR 930028137A KR 950021545 A KR950021545 A KR 950021545A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
word line
transistor
dram
potential
output signal
Prior art date
Application number
KR1019930028137A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970004997B1 (ko
Inventor
이재진
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019930028137A priority Critical patent/KR970004997B1/ko
Publication of KR950021545A publication Critical patent/KR950021545A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR970004997B1 publication Critical patent/KR970004997B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/408Address circuits
    • G11C11/4087Address decoders, e.g. bit - or word line decoders; Multiple line decoders

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

본 발명은 디램(DRAM)의 열어드레스 디코더에 곤한 것으로, 대기(stand-by)시 메모리 셀로부터 워드라인을 통해 누설되는 전류를 차단시키므로서 메모리 셀에 저장된 데이타의 저장시간이 증가되도록 한 디램의 열어드레스 디코더에 관해 기술된다.

Description

디램의 열 어드레스 디코더
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 디램의 열 어드레스 디코더의 회로도.
제4도는 본 발명의 실시예.
제5도는 제3도 및 제4도의 동작설명을 위한 파형도.

Claims (3)

  1. 제1 및 제2 어드레스 신호를 입력으로 하는 낸드게이트(G1)와, 상기 낸드게이트(G1)의 출력신호를 반전시키는 반전게이트(G2)와, 상기 낸드게이트(G2)의 출력신호를 붙스트래핑 하기 위한 트랜지스터(Q1)와, 상기 트랜지스터(Q1)의 출력신호에 따라 메모리 셀을 선택하기 위한 셀렉션 신호원을 워드라인(1)에 공급하는 트랜지스터(Q2)와, 상기 반전게이트(Q2)의 출력신호를 반전시키는 반전게이트(Q3)와, 상기 반전게이트(Q3)의 출력신호에 따라 상기 워드라인의 전위를 접지전위로 하기 위한 트랜지스터(Q3)로 구성되는 디램의 열 어드레스 디코더에 있어서, 디램의 대기동작시 상기 워드라인(1)의 전위가 접지전위보다 낮은 전위가 인가되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 디램의 열 어드레스 디코더.
  2. 제1항에 있어서, 상기 워드라인(1)에 의해 메모리 셀을 선택할 때는 상기 트랜지스터(Q3)의 소오스단자 전위가 접지전위가 되게 하고, 상기 워드라인(1)에 의해 선택되었던 메모리 셀을 디스에이블 시키려 할때는 상기 트렌지스터(Q3)의 소오스 단자 전위가 접지전위보다 낮은 음전위가 공급되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 디램의 열 어드레스 디코더.
  3. 제1항에 있어서, 디램의 셀프 리프레쉬 동작 또는 Cbr리프레쉬 동작에서는 상기 워드라인(1)에 음전압이 공급되고 디랩의 정상동작에서는 접지전압이 공급되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 디램의 열 어드레스 디코더.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930028137A 1993-12-17 1993-12-17 디램의 열 어드레스 디코더 KR970004997B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930028137A KR970004997B1 (ko) 1993-12-17 1993-12-17 디램의 열 어드레스 디코더

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930028137A KR970004997B1 (ko) 1993-12-17 1993-12-17 디램의 열 어드레스 디코더

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950021545A true KR950021545A (ko) 1995-07-26
KR970004997B1 KR970004997B1 (ko) 1997-04-10

Family

ID=19371362

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930028137A KR970004997B1 (ko) 1993-12-17 1993-12-17 디램의 열 어드레스 디코더

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970004997B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100307521B1 (ko) * 1998-09-25 2001-10-19 김영환 워드라인구동회로
KR100564418B1 (ko) * 1998-12-30 2006-06-08 주식회사 하이닉스반도체 Dram의 음전위 워드라인 전압 공급회로

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100307521B1 (ko) * 1998-09-25 2001-10-19 김영환 워드라인구동회로
KR100564418B1 (ko) * 1998-12-30 2006-06-08 주식회사 하이닉스반도체 Dram의 음전위 워드라인 전압 공급회로

Also Published As

Publication number Publication date
KR970004997B1 (ko) 1997-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910001531B1 (ko) 반도체 불휘발성 메모리장치
KR960032488A (ko) 연상메모리장치
KR970023375A (ko) 데이터 유지회로
KR900005444A (ko) 속기 기능을 지닌 반도체 메모리 장치
JPH1186548A (ja) 半導体記憶装置
US4688196A (en) Semiconductor dynamic memory device with less power consumption in internal refresh mode
KR920022293A (ko) 비정기적인 리프레쉬 동작을 실행하는 반도체 메모리 장치
JPH08147973A (ja) 半導体装置
KR950021545A (ko) 디램의 열 어드레스 디코더
KR960025776A (ko) 셰어드 센스앰프 방식의 센스 램프로 소비되는 전력을 경감한 반도체 기억 장치
KR950015394A (ko) 스태틱 랜덤 억세스 메모리
US5771198A (en) Source voltage generating circuit in semiconductor memory
KR100299003B1 (ko) 외부 마스킹 신호에 응답하여 데이타 포트가 고-임피던스 상태가 되게 하는 반도체 동기 메모리 장치 및 이를 제어하기 위한 방법
KR100569564B1 (ko) 비트라인 프리차지전압 제어회로
JP2001126473A (ja) ワード線リセット回路を含むメモリ回路及びワード線のリセット方法
JPH08297972A (ja) ダイナミック形半導体記憶装置
KR19990015345A (ko) 긴 리프레쉬간격을 갖는 메모리셀 제어방법
KR100373799B1 (ko) 에스램프리챠지신호발생기
KR960705323A (ko) 반도체장치의 기억회로(memory circuit of semiconductor device)
KR0164392B1 (ko) 반도체 메모리장치의 비트라인 등화제어회로
JPH07296581A (ja) 半導体記憶装置
KR930011353B1 (ko) 디램의 이중 워드라인 승압회로
KR20020049808A (ko) 반도체 메모리 장치의 내부 전원 전압 드라이버
KR970023410A (ko) 저전력 소비용 반도체 메모리장치
KR960013399B1 (ko) 반도체 기억소자의 워드라인 디코딩 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100624

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee