KR950021545A - 디램의 열 어드레스 디코더 - Google Patents

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KR950021545A
KR950021545A KR1019930028137A KR930028137A KR950021545A KR 950021545 A KR950021545 A KR 950021545A KR 1019930028137 A KR1019930028137 A KR 1019930028137A KR 930028137 A KR930028137 A KR 930028137A KR 950021545 A KR950021545 A KR 950021545A
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이재진
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
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    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
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    • G11C11/4087—Address decoders, e.g. bit - or word line decoders; Multiple line decoders

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Abstract

본 발명은 디램(DRAM)의 열어드레스 디코더에 곤한 것으로, 대기(stand-by)시 메모리 셀로부터 워드라인을 통해 누설되는 전류를 차단시키므로서 메모리 셀에 저장된 데이타의 저장시간이 증가되도록 한 디램의 열어드레스 디코더에 관해 기술된다.

Description

디램의 열 어드레스 디코더
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 디램의 열 어드레스 디코더의 회로도.
제4도는 본 발명의 실시예.
제5도는 제3도 및 제4도의 동작설명을 위한 파형도.

Claims (3)

  1. 제1 및 제2 어드레스 신호를 입력으로 하는 낸드게이트(G1)와, 상기 낸드게이트(G1)의 출력신호를 반전시키는 반전게이트(G2)와, 상기 낸드게이트(G2)의 출력신호를 붙스트래핑 하기 위한 트랜지스터(Q1)와, 상기 트랜지스터(Q1)의 출력신호에 따라 메모리 셀을 선택하기 위한 셀렉션 신호원을 워드라인(1)에 공급하는 트랜지스터(Q2)와, 상기 반전게이트(Q2)의 출력신호를 반전시키는 반전게이트(Q3)와, 상기 반전게이트(Q3)의 출력신호에 따라 상기 워드라인의 전위를 접지전위로 하기 위한 트랜지스터(Q3)로 구성되는 디램의 열 어드레스 디코더에 있어서, 디램의 대기동작시 상기 워드라인(1)의 전위가 접지전위보다 낮은 전위가 인가되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 디램의 열 어드레스 디코더.
  2. 제1항에 있어서, 상기 워드라인(1)에 의해 메모리 셀을 선택할 때는 상기 트랜지스터(Q3)의 소오스단자 전위가 접지전위가 되게 하고, 상기 워드라인(1)에 의해 선택되었던 메모리 셀을 디스에이블 시키려 할때는 상기 트렌지스터(Q3)의 소오스 단자 전위가 접지전위보다 낮은 음전위가 공급되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 디램의 열 어드레스 디코더.
  3. 제1항에 있어서, 디램의 셀프 리프레쉬 동작 또는 Cbr리프레쉬 동작에서는 상기 워드라인(1)에 음전압이 공급되고 디랩의 정상동작에서는 접지전압이 공급되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 디램의 열 어드레스 디코더.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930028137A 1993-12-17 1993-12-17 디램의 열 어드레스 디코더 KR970004997B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100307521B1 (ko) * 1998-09-25 2001-10-19 김영환 워드라인구동회로
KR100564418B1 (ko) * 1998-12-30 2006-06-08 주식회사 하이닉스반도체 Dram의 음전위 워드라인 전압 공급회로

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KR100307521B1 (ko) * 1998-09-25 2001-10-19 김영환 워드라인구동회로
KR100564418B1 (ko) * 1998-12-30 2006-06-08 주식회사 하이닉스반도체 Dram의 음전위 워드라인 전압 공급회로

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