KR950014102B1 - 은-피복된 유리 기판 - Google Patents

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로웨 마틴
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필킹턴 브라더스 피. 엘. 씨
데니스 카일, 제프리 노만 아일리
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Abstract

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Description

은-피복된 유리 기판
본 발명은 투광성 은 피복물로 피복된 유리 기판, 및 이러한 은-피복된 유리 기판의 제조 및 가공방법에 관한 것이다.
전형적으로는 5 내지 30㎚ 두께의 얇은 은 피복물을 지닌 투명 유리 기판은 투광율이 크고 복사율이 낮은 것으로 알려져 있으며, 즉, 이러한 기판은 입사되는 적외선을 높은 비율로 반사하는 발명 가시광선은 투과시키는 것으로 알려져 있다. 이러한 피복물을 창 유리(또는 글레이징(glazing)에 사용되는 플라스틱)에 사용하면 열 손실이 감소되므로, 열에 소요되는 경비를 절감할 수 있다. 최적의 투광율을 제공하기 위하여, 은 층을 금속 산화물로 이루어진 반사 방지 박층 사이에 배치한다. 금속 산화물 층 사이에 배치된 은 박층을 포함하는 이러한 복사율이 낮은 피복물은, 예를 들어, 유럽 특허 명세서 제0,035,906호 및 영국 특허 명세서 제2,129,831호에 기술되어 있다.
유럽 특허 명세서 제0,035,906호에 따르면, 티탄, 지르코늄, 규소, 인듐, 단소, 고발트 및 니켈 중에서 선택된 물질로 이루어진 박층이 은 층과, 그 위에 배치된 금속 산화물 층 사이에 침착되어 피복물의 장기대구성이 개선되는 것으로 기술되어 있다. 이러한 추가 박층의 두께는 0.3 내지 10㎚, 바람직하게는 1 내지 5㎚이다. 각각의 경우에 있어서, 층의 두께는 피복물의 내구성을 개선시키기에 충분한, 그러나 피복된 제품의 투광율을 지나치게 감소시킬 정도로는 두껍지 않은 두께로 선택한다. 상기 명세서에는 투광률이 60% 미만인 피복된 기판에 대한 몇몇의 실시예(이들의 내부분은 비교 실시예이고, 두개의 실시예, 즉 실시예 56(투광률 58%)과 실시예 58(투광률 56%)은 상기 발명의 실시예이다)가 포함되어 있으나, 피복된 기판의 투광률은, 바람직하게는 적어도 60% 이어야 한다는 것이 교시되어 있다. 상기한 두 실시예에서 투광률이 낮은 이유는 부분적으로는 은 층과 유리 사이에 (실시예 56), 또는 은 층 위에(실시예 58) 반사방지용금속 산화물이 존재하지 않기 때문이다. 모든 실시예에서, 괴복물은 플라스틱 기판상에 존재한다.
영국 특허 명세서 제2,129,831호는, 산소의 존재하에 반응성 스퍼터링(Sputtering) 공정을 이용하여 은층 위에 금속 산화물층을 도로시키는 데서 야기되는 문제점에 관한 것이다. 이러한 조건하에, 은 층의 낮은복사율 특성이 손실되고, 제품의 투광률도 예상했던 것보다 실질적으로 낮다. 이러한 문제점은, 영국 특허명세서 제2,129,831호에 따라서 은 층 위에 0.5 내지 10㎚ 두께에 상응하는 양의, 은 이의의 금속(들)을 추가로 스퍼터링시킴으로써 극복될 수 있다.
영국 특허 명세서 제2,129,831호는 가능한한 최대의 투광률을 갖는 피복물을 수득하면서도 목적하는 낮은 복사율을 얻기에 총분한 야으로 추가의 금속을 사용할 것을 권장하고 있다. 그러나, 영국 특허 명제서 제2,129,831호에 따라 제조한 피복된 유리는 공기중 가열시 안정하지 못하며, 피복된 유리를 유리의 굴곡 또는 강화 공정에 필요한 열 사이클(Cycle)에 적응시키는 경우 피복물의 낮은 복사율 및 높은 투광률 특성이 소실된다. 따라서, 은 피복물을 함유하고, 투광률이 높은, 강화되거나 굴곡된 유리 기판을 수득하기 위해서는, 우선 유리 기판을 굴곡 및/또는 강화시키고, 굴곡 및/또는 강화된 유리에 은 피복물을 도포시켜야 했다.
본 발명에 따라서, 영국 특허 명세서 제2,129,831호의 교시에 따라 요구되는 양보다 많은 양의 추가의 금속을 은 층 위에 침착시킴으로써 상기한 문제점을 극복할 수 있다. 추가의 금속의 존재는 피복물의 투광률을 최적치 미만으로 감소시킨다. 그러나, 놀랍게도, 굴곡 및/또는 강화사이클 중에서 피복된 유리 기판을 가열할 때, 피복된 유리가 그의 투광률을 유지할 뿐만 아니라 피복물의 투광률이 실제적으로 증가한다는 것이 밝혀졌다. 피복된 유리의 복사율도 동시에 감소될 수 있다.
본 발명에 따라서, 5 내지 30㎚ 두께의 은층 ; 이 은층 위에 배치되며, 또한 알루미늄, 티탄, 아연 및 탄탈중에서 선택된 추가 금속층 ; 및 이 추가 금속층 위에 배치된 반사방지 금속 산화물 층을 포함하는 피복물로 피복된 유리 기판을, 유리의 연화점 이상의 온도로 가열하는 굴곡 및/또는 강화 사이클에 적용시킴으로써, 굴곡 및/또는 강화 사이클 중에 피복된 유리의 투광률을 증가시킴으로써, 굴곡 및/또는 강화된 은-피복된 유리 기판을 제조하는 방법이 제공된다.
추가의 금속은 실제적으로 산소가 없는 상태, 즉 산소의 부재하에 스퍼터링시켜 짐작시키는 것이 바람직하나, 금속이 이용가능한 산소와 반응하고 굴곡 및/또는 강화 사이클 중에서 은을 보호하기에 충분한 용량을 유지하는 조건하에 부분적으로 산화된 형태(예를 들어, 금속이 최고 원자가 상태에 있을때 산화물의 화화양론적 형태보다 낮은 비율의 산소를 함유하는 금속 산화물)로 침착시킬 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어 "연화점"은 유리가 막열화되기 시작하는 온도를 의미한다. 본 명세서에서 연화점은 실제적으로 어닐링 온도(annealing point) (ASTM (American society for Testing Materia1s)Standard C598-72)와 동등한 의미를 갖는다. 실제적으로 본 분야에 잘 알려져 있는 바와 같이, 굴곡 및/또는 강화시 유리를 일반적으로 연화점 이상의 온도로 가열한다.
전형적인 굴곡 공정에서, 피복된 소오다 석회 실리카 유리 기판을 공기중 570 내지 620℃에서 가열하여 목적하는 굴곡의 형으로 굽히고, 굴곡된 유리를 어닐링시킨다.
전형적인 강화 공정에서, 피복된 소오다 석회 실리카 유리 기판을 공기중 600 내지 670℃에서 가열하고, 임의로는 유리를 굴곡시키고, 유리를 급냉시켜 강화시킨다. 유리는 유리 표면에 공기를 취입시켜 냉각시킬 수 있다.
본 발명에 따라 처리된 유리 샘플은 오거(Auger)/전자 분광분석법에 의해 분석된다. 오거 분석에서, 전자 비임(제1비임)을, 분석할 표면에 직사하고, 표면으로부더 방출된 제2전자의 에너지 스펙트럼을 조사하여 표면에 존재하는 원소를 특성화시키고 정량한다. 표면 원자층을 아르곤 이온 에칭법으로 제거하여 표면 아래의 원자를 노출시킨 다음, 이를 상기한 바와 같이 특성화시키고 정량한다. 에칭 및 분석 단계를 반복하여 목적하는 깊이(예를 들어, 피복물의 두께)까지의 표면층 조성의 프로필을 만든다. 분석 결과, 사용된 추가의 금속이 알루미늄 또는 아연인 경우, 굴곡 및/또는 강화후 추가의 금속이 은층의 위와 아래에 존재함이 나타단다. 알루미늄 및 아연은 굴곡 및/또는 강화 사이클중 은층을 통과하여 이동하는 것으로 생각된다.
이러한 발전으로부터, 필요한 추가 금속의 총량을 은층 위에 침착시키는 대신에, 추가 금속의 일부를 은층의 아래에 침착시킬 수 있다는 것을 발견하였다. 또한, 추가의 금속을 분할하여 일부를 은층의 위에 침착시키고, 나머지 일부를 은층의 아래에 침착시키는 경우, 추가의 금속으로서 지르코늄은 효과적이다.
이렇게 하여, 본 발명의 또 다른 양태에서, 기판상의 알루미늄, 티탄, 아연, 탄탈 및 지르코늄 중에서 선택된 추가 금속층 ; 이 추가 금속층 위에 배치된 두께 5 내지 30㎚의 은층, 이 은층 위에 배치되며, 또한 알루미늄, 티탄, 아연, 탄탈 및 지르코늄 중에서 선택된 또 하나의 추가 금속층 , 및 이 또 하나의 추가 금속층 위에 배치된 반사방지 금속 산화물 층을 포함하는 피복물로 피복된 유리 기판을, 유리의 연화점 이상의 온도로 가열하는 굴곡 및/또는 강화 사이클에 적용시켜 피복된 유리의 투광률을 굴곡 및/또는 강화 사이클 중에 증가시킴으로써 굴곡 및/또는 강화된 은-피복된 유리 기판을 제조하는 방법이 제공된다.
은층의 위 및/또는 아래에 침착된 추가의 금속은 굴곡 및/또는 강화 사이클 중에 이용가능한 산소를 흡수하여 산화되고 ; 이로 인해 은층이 산소의 영향으로부터 보호되며,·목적하는 제품의 낮은 복사율(높은 적의선 반사율)이 유지되며, 추가의 금속이 금속 산화물로 산화됨으로써 제품의 투광률이 증가된다고 생각된다.
추가 금속의 필요량은 피복된 유리를 적용시킬 강화 및/또는 굴곡 사이클, 및 추가 금속의 산화 정도에 따라 좌우된다. 일반적으로, 온도가 높고, 유리가 뜨거운 상태로 지속되는 시간이 갈수록, 필요한 추가 금속의 양은 증가되고, 온도가 낮고, 유리가 뜨거운 상태로 지속되는 시간이 짧을수록, 필요한 추가 금속의 양은 감소된다. 일반적으로, 유리판(glass pane)을 굴곡 또는 강화 공정에 필요한 온도로 가열하는데 필요한 시간은 유리가 두꺼울수록 길어진다. 따라서, 일반적으로 유리가 두꺼울수록, 필요한 추가 금속의 양이 증가된다.
따라서, 추가 금속의 사용량은 유리가 가열되는 온도, 및 굴곡 및/또는 강화된 제품의 투광율을 최대화하기 의해 굴곡 및/또는 강화 사이클에서 이용되는 가열 사이클의 지속시간에 따라 조절될 수 있다.
추가 금속의 사용량은 굴곡 및/또는 강화시킨후 피복된 유리가 가능한 한 최대의 투광율을 가질 수 있도록 선택하는 것이 바람직하며, 추가 금속의 총량은, 피복된유리의 투광률이 굴곡 및/또는 강화시 원래 값의 적어도 10%만큼 증가되도록 하는 양으로 사용한다.
굴곡 및/또는 강화전 피복된 유리 기판의 투광률은 70% 미만, 일반적으로 30 대지 70%이며, 정확한 투광률은 사용된 특정한 추가 금속 사용된 굴곡 및/또는 강화사이클에 따라 좌우된다. 굴곡 및/또는 강화시, 피복된 기판의 투광률은 일반적으로 적어도 70%로 증가되며, 바람직한 제품에 있어서, 굴곡 및/또는 강화후의 투광들은 적어도 75%, 보다 바람직하게는 적어도 80%로 증가되고, 복사율은 0.2 미만이다.
인용된 투광률 수치는 투명 유리 기판상의 피복물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 굴곡 및/또는 강화될 채색 유리(채색 유리는 투명 유리보다 투광률이 낮다)의 피복물에도 적용할 수 있다. 일반적으로, 유리 기판이 투명 유리인지 또는 채색 유리인지에 무관하게, 사용되는 추가 금속의 총량은 굴곡 및/또는 강화된 피복된 유리의 투광률이 피복되지 않은 기판의 투광률의 적어도 80%, 바람직하게는 적어도 90%가 되도록 선택한다.
은층의 위 및 임의로는 아래에 침작된 추가 금속의 양은 제품의 투광율에 대한 효과로서 열급되며, 이는 후술하는 바와 같이, 물리적 두께를 측정하기가 어렵기 때문이다. 그러나, 미리 수득된 결과로부터, 굴곡및 강화 공정중에 은층을 적절히 보호하기 위해서는 추가 금속을 적어도 4㎚ 두께의 단일 금속층 또는 층두께가 적어도 4㎚인 두개의 금속 층과 상응하는 양으로 사용할 필요가 있다. 또한, 굴곡 또는 강화 공정중에 금속을 충분히 산화시켜 굴곡 및/또는 강화된 제품에 적절한 투광률을 제공하기 위해서는, 추가 금속의 사용량은 15㎚ 두께의 단일층(이는 총 두께가 15㎚ 미만인 두개의 층과 상응항)을 형성하는데 필요한양보다 적은 것이 바람직하다. 존재하는 추가 금속이 보다 많이 산화될수록, 이용가능한 산소를 흡수하고 은층을 보호하는데 필요한 양은 커진다.
모든 추가 금속이 은층 위에 도포되는 경우, 추가 금속으로 사용하기에 적절한 금속은 알루미늄 또는 아연이다. 추가 금속이 일부는 은층 위에, 그리고 일부는 은층 아래에 도포되는 경우, 추가 금속으로서 알루미늄, 아연 또는 티탄을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 태양에서, 추가 금속은 5 내지 10㎚두께의 층에 상응하는 양의 알루미늄이다. 또한, 편의성을 위하여 모든 알루미늄을 은층 위에 침착시키는 것이 특히 바람직하다.
피복물 중의 은층의 두께는 5 내지 20㎚인 것이 바람직하다.
은층 위에 배치된 추가 금속층 위의 반사방지용 금속산화물 층은, 바람직하게는 산화주석, 산화티탄, 산화인듐(염으로는 산화주석으로 도핑됨), 산화 비스무트, 산화아연 또는 산화지르코늄으로 이루어진 층이다. 경우에 따라서, 2개 이상의 금속 산화물의 혼합불을 사용할 수 있다. 유리의 굴곡 및/또는 강화 공정 후의, 은층 위에 배치된 모든 산화물 층의 총 두께, 즉 은층 위에 배치된 반사 방지용 금속 산화물 층의 두께와 은층 위의 산화된 추가 금속층 두께와의 합은, 일반적으로 10 내지 80㎚, 바람직하게는 20 내지 60㎚이다.
경우에 따라서는, 은층 또는 은층 아래의 어떠한 추가 금속층을 침착시키기 전에 반사방지용 층을 침착시켜 제품의 투광율을 증가시킬 수 있다. 이러한 반사방지층을 침착시키는 경우, 이러한 층은 금속 산화물층, 예를 들어, 은층 위에 반사방지층으로 사용할 수 있는 것으로 상기 언급한 어떠한 금속 산화물의 층일 수 있다. 이러한 하층은 반사방지층 뿐만 아니라 유리에 은층이 부착되는 것을 개선시키는 프라이머(Primer)층으로서도 작용할 수 있다. 이러한 층의 두께는 일반적으로 10 내지 80㎚, 특히 바람직하게는 20 내지 60㎚ 이지만, 특정한 경우에 있어서, 사용될 금속 산화물, 색상 및 제품에 요구되는 기타 특성에 따라서 두께는 변화될 수 있다. 경우에 따라서는 총 두께가 유사한, 예를 들어, 총 두께가 10 내지 80㎚, 특히 20내지 60㎚인 연속되는 2개 이상의 반사 방지층을 은층 아래에 사용할 수 있다.
피복물은 은층을 포함하여 소요되는 금속층을 불활성 내기에서 적절한 순서로 스퍼터링시키고, 은층 위에 배치된 추가 금속층 위에 금속 산화물의 반사 방지층을 반응적으로 스퍼터링시켜 유리 기판상에 도포시킬수 있다. 자기력을 이용하여 스퍼터링 공정을 증진시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 국면에 따라서, 5 내지 30㎚ 두께의 은층 ; 이 은층위에 배치되며, 또한 알루미늄,티탄, 아연 및 탄탈중에서 선택된 추가금속층, 및 이 추가 금속층위에 배치된 반사방지 금속 산화물 층을 포함하는 피복물로 피복된 유리 기판(이 피복된 유리 기판은 유리가 그의 연화점 이상의 온도로 공기중에서가열되는 굴곡 및/또는 강화 사이클로 처리필 때, 투광률이 증가된다)이 제공된다.
또한 본 발명은, 알루미늄, 티탄, 아연, 탄탈 및 지르코늄 중에서 선택된 추가 금속층: 이 추가 금속층위에 배치된 5 내지 30㎚ 두께의 은층, 이 은층위에 배치되며, 또한 알루미늄, 티탄, 아연, 탄탈 및 지로코늄 중에서 선택된 또 하나의 추가 금속층 ; 및 이 또 하나의 추가 금속층 위에 배치된 반사방지용 금속산화물을 포함하는 피복물로 피복된 유리 기판(이 피복된 유리 기판은 유리가 그의 연화점 이상의 온도로공기중에서 가열되는 굴곡 및/또는 강화 사이클에 적용될 때 투광률이 증가된다)을 제공한다.
본 발명은 또한 신규한 제품으로서, 투광률이 유리 기판 투광률의 적어도 80%인 굴곡 및/또는 강화된은-피복된 유리를 제공한다. 알루이늄이 추가 금속으로서 사용되는 경우(은층 위에 도포되거나, 은층의 위및 아래 모두에 도포되는 경우), 알루미늄은 굴곡 및/또는 강화된 제품중 은층의 위 및 아래의 산화된 층에 존재하는 것으로 나타났다. 티탄, 탄탈 및 지르코늄을 사용하고 이를 은층의 위 및 아래 모두에 도포하는경우, 이들은 굴곡 및/또는 강화된 제품에 은층의 위 및 아래의 산화된 층에 존재하는 것으로 나타났다. 단지 은층의 위에만 도포하는 경우, 티탄과 탄탈이 또한 유효하며 , 이러한 경우, 이들은 굴곡 및/또는 강화된 제품중 은층 위의 산화된 층에 존재하는 것으로 나타났다. 아연을 추가 금속으로서 사용하는 경우(은층위, 또는 은층의 위 및 아래 모두에 도포하는 경우), 산화된 아연이 굴곡 및/또는 강화된 제품중 피복물의 전체에 분산되어 존재하는 것으로 나타났다.
따라서, 본 발명의 또 다른 양태에 따라, 투광률이 피복되지 않은 유리 투광률의 적어도 80% 이상이며, 피복물은 반사방지 금속 산화물 층, 이 반사 방지층의 위에 배치되며, 또한 알루미늄, 티탄, 탄탈 및 지르코늄 중에서 선택된 산화된 금속층, 이 산화된 금속층 위에 배치된 두께 5 내지 30㎚의 은층, 이 은층위에 배치되며, 또는 알루미늄, 티탄, 단탈 및 지르코늄중에서 선택된 또 하나의 산화된 금속층, 및 이 위에 배치된 반사방지 금속 산화물층(이때, 두개의 산화된 금속층의 총 두께는 8 내지 30㎚이다)을 포함하는, 굴곡 및/또는 강화된 은-피복된 유리 기판을 제공한다. 두 개의 산화된 금속층의 두께는 각각 4 내지15㎚인 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 국면으로서, 투광률이 피복되지 않은 유리의 투광률의 적어도 80%이고, 피복물은 반사방지 금속 산화물층, 이 반사방지층 위에 배치된 두께 5 내지 30㎚의 은층 ; 이 은층 위에 배치된 산화된 티탄 또는 탄탈층(이 산화된 금속층의 두께는 8 내지 30㎚이다) , 및 그 위에 배치된 반사방지 금속 산화물 층을 포함하는, 굴곡 및/또는 강화된 은-피복된 유리 기판을 제공한다.
본 반명의 또 다른 국면으로서, 투광률이 피복되지 않은 유리의 투광률의 적어도 80%이고, 피복물은 반사방지 금속 산화물충, 이 반사방지층 위에 배치된 두께 5 내지 30㎚의 은층, 및 이 위에 배치된 반사방지 금속층을 포함하고, 피복물의 모든 층을 통하여 산화된 아연이 분포되어 있는, 굴곡 및/또는 강화된은-피복된 유리 기판을 제공한다. 산화된 아연은 두께 4 대지 15㎚의 아연층에 상응하는 양으로 존재하는것이 바람직하다.
본 반명의 굴곡 및/또는 강화된 유리는 바람직하게는 투광률이 70% 이상이다.
본 반명에·따라서, 편평한 어닐링된 유리에 은 피복물을 도포시키고, 이를 굴곡시키거나 강화시킴으로써, 투광률이 높고 복사율이 낮은(높은 적의선 반사율), 굴곡 및/또는 강화된 은-피복된 유리 기판을 제조할수 있다. 이러한 방법은 두가지 실재적인 장점을 갖는다. 첫째 장점은, 절단하고, 필요에 따라 굴곡시키거나 강화시킬 수 있는 스톡사이즈(stock size)로 유리를 피복시킬 수 있다는 점이다. 둘째 장점은, 편평한 상태에서 유리에 피복물을 도포하므로, 곡면 유리 기판상에 힉일적인 피복물을 형성시키는 문제점을 피할수 있다.
본 명세서 및 특허청구의 범위에서, 인용된 투광률의 수치는 광원[C I E.l11uminant C Sourc]으로부터의 빛으로 투과시켜 수득한 값이다. 인용된 복사율은 하기 식을 적용하여 수득한 값이다.
Figure kpo00001
상기식에서, eλ는 스텍트럼 방출을 나타내고 ; B( λ,T)는 300°K에서의 흑체 스펙트럼 에너지 분포를 나타낸다.
투광율 및 복사율은 광원을 유리의 피복된 면에 두고 측정한 것이다.
금속 및 금속 산화물의 매우 얇은 층, 특히 두께가 약 5㎚ 미만인 층은 연속면을 이룰 수 없는 것으로 본 분야에 알려져 있으며, 본 명세서에서 "층"이라 함은 연속층 및 비연속층 둘다를 의미한다.
또한, 유리기판상의 다수의 금속 및/또는 금속 산화물의 박층을 포함하는 피복물을 분석하면, 일반적으로 인접층들이 중첩되거나 융합되어 이들 사이에는 명확한 경계가 없는 것이 나타나고 ; 이러한 중첩 또는 융합 현상은 자기-촉진 스퍼터링 등과 같은 높은 에너지 공정에 의해 침착시킨 층의 경우에 특히 현저하다. 본 명세서 및 특허청구의 범위에서 "층 두께"라 항은 인접한 충간에 중첩이 없다는 전제하에 존재하는 물질에 의해 형성될 수 있는 연속층에 상응하는 두께이다.
본 발명의 실시에 있어서, 침착된 추가 금속의 양을 계산하기 위하여, 굴곡 및/또는 강화된 제품을 오거(Auger)의 전자 분광분석법에 의해 분석하고, 산화된 추가 금속층의 두께를 이 분석 결과로부터 계산한다. 우선, 오거 분석에서 검출된 각각의 원소의 원자 %를 에칭시간에 대하여 플로당하여 오거 두께 프로파일(Auger depth profi]e)을 작성한 다음, 추가 금속에 내한 곡선(또는 추가 금속층이 은층의 위 및 아래에 존재하는 경우에는 2개의 곡선) 아래의 면적은, 추가 금속의 산화 상태가 오거 분석에서 관찰된 산화상태와 상응하는 추가 금속 산화물 중에 존재하는 추가 금속의 원자 96에 상응하는 높이의 직사각형(들)의 면적과 동일하다고 간주한다. 추가 금속 산화물 충(들)의 두께를 직사각형(들)의 폭으로부터 계산한다.
이러한 방식으로 계산한 추가 금속 산화물 층의 두께에 상응하는 추가 금속층의 두께를, 추가 금속 및 존재하는 것으로 나타난 추가 금속의 특정 산화물의 알려진 용적 밀도로부터 계산한다. 그러나, 실험을 기초로 한 계산상 목적으로 추가 금속 산화물의 용적 밀도를 알려진 용적 밀도의 80%로 가정한다.
전술한 바와 같이, 은층 위에 침착된 특정 추가 금속은 굴곡 및/또는 강화시 은층을 통과하여 이동한다. 모든 추가 금속이 은층 위에 침착된 경우, 침착된 원래 추가 금속층의 두께는, 최종 제품에 존재하는 것으로 나타난 총추가 금속에 의해 형성될 수 있는 단일한 층의 두께를 계산하여 결정한다. 추가 금속이 일부는 은층 위에, 그리고 일부는 은층 아래에 침착된 경우, 원래 존재하는 추가 금속층의 두께는, 강화시 추가금속이 은층을 통하여 전혀 이동하지 않는다는 가정하에 분석 결과로부터 유사하게 계산한다.
계산한 두께와 예측한 두께 사이의 편차가 25% 이하인 경우도 종종 있으나, 사용되는 대부분의 추가 금속에 있어서, 계산된 결과는 추가 금속층의 침착에 사용된 스퍼터링 시간 및 조건을 근거로 하여 예측한 층두께와 합당하게 일치한다. 아연의 경우를 제외하고는, 계산한 두께가 예측한 두께보다 더 확실한 것으로 믿어진다. 아연의 경우에 있어서, 계산한 두께는 예측한 두께의 반 정도이며 ; 오거 분석에서 아언은 피복물을 통하여 "번져 나가는(smeared out)"것으로 밝혀졌다(그러나, 피복물 위에서 즉시 최대 농도로 된다).이러한 번져나가는 현상으로 인해 아연 농도의 계산은 매우 확실하지 않고, 예측한 수치가 바람직하다. 따라서, 예측된 값을 계산치 옆의 괄호안에 기재한다.
본 발명을 다음의 실시예로 설명하나 이로써 본 발명을 제한하려는 것은 아니다. 특별한 언급이 없는 한, 추가 금속 산화물 및 추가 금속에 내하여 실시예에서 인용한 층 두께는 굴곡 및/또는 강화된 피복된 제품(존재하는 추가 금속이 거의 산화됨)의 오거 전자 분광 분석에 의해 상기와 같이 계산한 값이다. 은층 및 반사방지 산화 주석층의 두께도 통상적인 방법으로 오거 분석하여 유사하게 계산한다.
[실시예 1 내지 11]
각각의 실시예에서, 피복용 플로우트 유리판을 세척하고 건조시켜 준비하고, DC 플래더 마그네트론(Planar magnetron) 스퍼터링 장치에 넣는다. 예를 들어, 실시예 1 내지 9 및 l1에서는 AIRCO ILS 1600장치를 사용하고, 실시예 10에서는 NORDICO NS 2500 장치를 사용한다.
5×10-3torr에서 산소 대기의 존재하에 주석 음극으로 부터 산화주석 층을 유리 표면에 반응적으로 스퍼터링시킨다. 몇몇의 경우에 있어서, 4×10-3tarr에서 아르곤 대기의 존재하에 추가 금속의 음극으로부터 추가 금속층을 산화주석층 위에 스퍼터링시킨다. 4×10-3tarr에서 아르곤의 존재하에서 음속으로부터 은층 산화주석층, 또는 추가 금속층(존재할 경우)상에 스퍼터링시키고, 4×10-3tarr에서 아르곤의 존재하에 추가금속의 음극으로부터 추가 금속층을 은층 위에 스퍼터링 시킨다. 최종적으로, 5×10-3tarr 에서 산소 대기의 존재하에 주석 음극으로부터 산화 주석층을 추가 금속층 상에 반응적으로 스퍼터링시키고, 제품의 투광및 복사율을 측정한다. 사용된 기판 및 침착된 층의 두께(상기와 같이 계산항), 및 생성된 제품의 투광률및 복사율이 표 1에 기재되어 있다.
각각의 피복된 유리를 725℃로 유지시킨 노(furnance)중에서 집게상에 매달고, 강화에 필요한 목적하는 온도에 이르렀을 때 회수한다. 노로부터 유리를 제거한 직후, 유리를 급속히 냉각시키고, 주위 온도에서 공기를 유리표면상에 취임시켜 유리를 강화시킨다. 노중에서의 체류시간, 수득된 대략의 유리 온도(적외선 온도계를 사용하여 측정함), 및 피복된 제품의 투과룰 및 복사율을 표 2에 기재하였다. 가열전제품의 투과률 및 복사율을 괄호안에 기재하였다.
각각의 경우에서, 강화시 투광률이 유지될 뿐만 아니라 실제적으로 증가되며, 예를 들어, 실시예 1에서는2의 원레 값의 28.496가 증가하였다. 실시예 8에서는 강화시 복사율이 증가되었지만, 실시예 1에서와 같이강화시 복사율이 0.17 에서 0.10으로 감소되어 개선될 수 있다. 각각의 경우에 있어서 강화전 투광률은, 영국 특허 명세서 제2,129,831호에 따라 제조한 경우에서 보다 낮아서 최적 투광률의 제품을 생성시킨다.
상기와 같이 측정한, 강화된 제품의 산화된 추가 금속층의 두께는, 추가 금속으로서 알루미늄, 티탄, 지르코늄 및 탄탈을 사용하여 제조한 제품에 대하여 하기에 나타나 있다 :
Figure kpo00002
추가 금속으로서 아연을 사용하여 제조하는 실시예 7,8 및 11에서, 산화된 아연이 번져 나가는 것, 즉, 강화된 제품내의 피복물의 전층을 통하여 분포되어 있는 것으로 나타났다.
비교 실시에에서, 4㎜두께의 플로우트 유리판을 영국 특허 명세서 제2,129,831호에 따라서 산화주석은, 알루미늄 및 산화 주석의 연속층을 포함하는 피복물로 피복하고 ; 사용되는 알루미늄의 양은 상기 특허에 따라 가능한 최대의 투광률을 가지면서 요구되는 낮은 복사율을 갖기에 총분한 양이다. 피복물의 복사율은 0.1이고 피복된 유리의 투광률은 86.8%이다.
피복된 유리는 상기와 같이 강화시킨다. 노중에서의 체류시간은 180초이며, 유리의 온도는 대략 650℃이다. 강화후, 피복된 유리의 복사율은 증가되어 0.48로 나타나고, 투광률은 감소되어 79%로 나타났다.
[실시예 12]
6㎜두께의 플로우트 유리판을 세척하고 건조시켜 피복시킬 수 있도록 준비하고, AIRCO lLS 1600 D.C. 플래너 마그네트론 스퍼터링 장치에 넣는다.
산화주석을 5×10-3tarr에서 산소 내기의 존제하에 주석 음극으로부터 유리 표면상에 반응적으로 스퍼터링시켜 40㎚ 두께의 산화주석층을 형성시킨다. 이어서, 4×10-3tarr에서 아르곤의 존재하에 은 음극으로부터 산화주석상에 10㎚의 은층을 스퍼터링시키고, 알루미늄을 4×10-3tarr에서 아르곤의 존재하에 알루미늄타겟으로부터 은층위에 스퍼터링시켜 두께 6㎚의 알루미늄 층을 형성한다. 최종적으로, 5×10-3tarr에서 산소 내기의 존재하에 주석 음극으로부더 알루미늄 상에 두께 40㎚의 산화주석층을 반응적으로 스퍼터링시킨다. 생성된 제품의 투광률은 50%이고, 복사율은 0.26이다.
유리를 집게 상에 매달고, 725℃의 노로 옮긴다. 240초 후에 노로부터 회수하며, 이 단계에서의 온도는650℃이다. 뜨거운 유리 표면 상에 주위 온도에서 공기를 취입시켜 샘플을 즉시 강화시킨다. 생성된 강화유리 제품의 투광률은 78%이고, 복사율은 0.11이다.
이 실시예에서, 인용된 층 두께는 상이한 스퍼터링 시간을 적용한 유사한 스퍼터링 조건하에서 침착된 동일한 물질의 측정된 총 두께로부터 외삽하여 유도한 것이다.
[실시예 13]
두께 6㎜의 회색 플로우트 유리판(투광률 40.8%)을 실시예 8에서 기술한 것과 유사한 조성의 산화주석/은/아연/산화주석 피복물로 피복시킨다. 이의 투광률은 27.8%이고, 복사율은 0.16이다. 이어서, 실시예1 내지 11과 같은 방법으로 피복된 유리를 강화시키며 , 이때 노중에서의 체류시간은 245초이고, 수득된 유리온도는 내략 650℃이다. 강화후, 피복된 유리의 투광률은 36%(이는 기재 유리 투광률의 약 88%이다)로 증가되었으며, 복사율은 0.36이다. 강화시 유리 투과률의 증가분은 강화전 투광률의 29.5%이다.
[실시예 14]
두께 6㎜의 청색 플로우트 유리판(투광율 56%)을 실시예 8과 유사한 조성의 산화주석/은/아연/산화주석으로 피복시킨다. 이의 투광률은 28.3%이고, 복사율은 0.13이다. 이어서, 피복된 유리를 실시예 1 내지11에서와 같이 강화시키며, 이때 노중의 체류시간은 250초이고, 수득된 유리온도는 대략 645℃이다. 강화후, 피복된 유리의 투광률은 43.8%(기재 유리 투광률의 대략 78%이다)로 증가되고, 복사율은 0.25이다. 강화시 투광률의 증가분은 강화전 투광률의 54.7%이다. 아연은 실시예 13 및 14에서와 같이 채색 유리 상의 피복물을 보호하는데 있어서, 실시예 8에서와 같이 투명 플로우트 유리상의 피복물을 보호하는 경우처럼 효과적이지는 않은 것으로 나타났다. 따라서, 실시에 13 및 l4에서, 강화된 제품의 투광률은 88%(피복되지않은 유리의 투광률의 78%)인 발명, 실시예 8에서 강화된 제품의 투광률은 피복되지 않은 유리의 투광률의 약 93%이다. 이는 실시예 13 및 14의 유리가 실시예 8의 유리보다 두꺼우므로, 강화시 노중에서 더 많은시간 동안 체류시킬 필요가 있으며, 따라서 최적 보호를 위해 필요한 아연과 같은 추가 금속의 양도 실시에8에서 사용된 양보다 크기 때문일 수 있다.
[실시예 15]
두께 2.3㎜의 투명 플로우트 유리판을 테메스칼 인라인 디.시. 마그네트론 건축 플랫 글라소 피복기를사용하여 실시예 12에 기술된 바와 같이 산화주석/은/알루미늄/산화주석으로 이루어진 연속층으로, 연속적으로 피복시켜 투광률이 60%인 피복된 판을 수득한다. 피복된 판을 령 금형에 넣고, 연속 단계를 거쳐 600℃의 최고 표면온도로 가열되는, 눈금을 새긴 노를 통하여 이동시킨다. 피복된 판을 목적하는 형태로 노중에 넣는다. 노로부터 꺼낸 다음 어닐링시킨다. 굴곡된 피복된 판의 투광률은 84%이다.
피복된 유리의 복사율은 측정하지 않았다. 그러나, 복사율과 열반적으로 관탄된 피복물의 시이트 저항을 굴곡 전후에 측정하였다. 굴곡전 시이트 저항은 80hm/sq이고, 굴곡후 시이트 저항은 5 내지 80hm/sq(0.1미만의 복사율에 상응함)이다. 일반적으로 낮은 복사율이 유지됨과 동시에 시이트 저항도 낮게 유지시킬 수 있는 점은 본 발명의 중요한 장점이다. 이로 인해 본 발명의 굴곡 및/또는 강화된 피복된 유리상의 피복물을, 예를 들어, 비히클 창유리의 제조시에 가열처리하는 것이 가능해진다.
[표 1]
Figure kpo00003
*아연은 번져나가 피복물 전체를 통하여 분포되므로(은층 위에서 최대 농도를 나타낸다) 분석시 은층위와 아래에 침착된 아연을 구별하는 것은 뷸가능하다. 은층 위 및 아래에 침착된 아연의 총량은 4.6㎜두께의 층과 상응하는 양으로 계산하며, 스퍼터링 조건 및 시간으로부터 예측한 아연층 두께는 은층아래에서 은층 아래에서 3.4㎜, 은층 위에서 4.8㎜이다.
[표 2]
Figure kpo00004

Claims (60)

  1. 두께 5 내지 30㎚의 은층 ; 이 은층 위에 배치되며, 또한 알루미늄, 티탄, 아연 및 탄탈충에서 선택된 추가 금속층 ; 및 이 추가 금속층 위에 배치된 반사방지 금속 산화물 층을 포함하는 피복물로 피복된 유리 기판을, 유리의 연화점 이상의 온도로 가열하는 굴곡 및/또는 강화(toughening) 사이클에 적용시킴으로써, 굴곡 및/또는 강화 사이클 중에 피복된 유리의 투광률이 증가됨을 특징으로 하여, 굴곡 및/또는 강화된은-피복된 유리 기판을 제조하는 방법.
  2. 기판상에 배치되며, 또한 알루미늄, 티탄, 아연, 탄탈 및 지르코늄 중에서 선택된 추가 금속층 ; 이추가 금속층 위에 배치된 두께 5 내지 30㎚의 은층, 이 은층 위에 배치되며, 또한 알루미늄, 티탄, 아연, 탄탈 및 지르코늄 중에서 선택된 또 하나의 추가 금속층, 및 이 또 하나의 추가 금속층 위에 배치된 반사방지 금속 산화물 층을 포함하는 피복물로 피복된 유리 기판을, 유리의 연화점 이상의 온도로 가열하는 굴곡 및/또는 강화 사이클에 적용시킴으로써, 굴곡 및/또는 강화 사이클 중에 피복된 유리의 투광률이 증가됨을 특징으로 하여, 굴곡 및/또는 강화된 은-피복된 유리 기판을 제조하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 굴곡 및/또는 강화 사이클 중에, 피복된 유리의 투광률이 70%이상으로 증가되는방법.
  4. 제 1항 또는 제 3 항에 있어서, 굴곡 및/또는 강화 사이클 중에, 피복된 유리의 투광률이 피복되지 않은 유리의 투광률이 80%이상으로 증가되는 방법.
  5. 제1항 또는 제3항에 있어서, 피복된 소오다 석희 실리칸 유리 기판을 공기중 570 내지 620℃에서 가열하여, 목적하는 굴곡의 형으로 굽히고, 굴곡된 유리를 어닐링(annealing)시킴을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항 또는 제3항에 있어서, 피복된 소오다 석희 실리카 유리 기판을 공기중 600 내지 670℃에서 가열한 다음, 유리를 급냉시켜 강화시키거나, 유리를 굴곡시키고 급냉시켜서 강화시키는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 유리 표면에 공기를 취입시켜 유리를 급냉시키는 방법.
  8. 제1항 또는 제 3 항에 있어서, 사용되는 추가 금속의 양을, 굴곡 및/또는 강화 사이클 중에 이용되는가열 사이클의 지속 시간 및 유리가 가열되는 온도에 따라서 조절하여, 강화 및/또는 굴곡된 제풍의 투광률이 최내가 되도록 하는 방법.
  9. 제1항 또는 제3항에 있어서, 존재하는 추가 금속의 충량이, 굴곡 및/또는 강화시에 피복된 유리의 투광율이 그의 원래 값의 10%이상 만큼 증가되도록 하는 양인 방법.
  10. 제1항 또는 제 3 항에 있어서, 추가 금속의 총량이, 두께 4 내지 15㎚의 단일 금속층을 제공하기에 충분한 양인 방법.
  11. 제 1항 또는 제 3 항에 있어서, 추가 금속이 알루미늄 또는 아연인 방법.
  12. 제2항에있어서, 추가금속이 알루미늄, 아연또는 티탄인 방법.
  13. 제 1항 또는 제 3 항에 있어서, 추가 금속이 두께 5 내지 10㎚의 층에 상응하는 양의 알루미늄인 방법.
  14. 제1항 또는 제3항에 있어서, 은층의 두께가 5 내지 20㎚인 방법.
  15. 제1항 또는 제 3 항에 있어서, 유리를 굴곡 및/또는 강화시킨 후 은층 위에 배치된 금속 산화물 충의충 두께가 20 내지 60㎚인 방법.
  16. 제1항 또는 제3항에 있어서, 금속 산화물의 층(들)이 유리와 은층 사이에 배치되는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 유리와 은층 사이에 배치된 산화물층들의 충 두께가 20 내지 60㎚인 방법.
  18. 유리가 그의 연화점 이상의 온도로 공기 중에서 가열되는 굴곡 및/또는 강화 사이클에 적용될 때, 투광률이 증가되며 , 또한, 두께 5 내지 30㎚의 은층, 이 은층 위에 배치된, 알루미늄, 티탄, 아연 및 탄탈중에서 선택된 추가 금속층 ; 및 이 추가 금속층 위에 배치된 반사방지 금속 산화물 층을 포함하는 피복물로 피복된 유리 기판.
  19. 유리가 그의 연화점 이상의 온도로 공기중에서 가열되는 굴곡 및/또는 강화 사이클에 적용될 때, 투광률이 증가되며 , 또한, 알루미늄, 티탄, 아연, 탄탈 및 지르코늄 중에서 선택된 추가 금속층, 및 이 추가금속층 위에 배치된 5 내지 30㎚ 두께의 은층, 이 은층 위에 배치된, 알루미늄, 티탄, 아연, 탄탈 및 지르코늄 중에서 선택된 또 하나의 추가 금속층, 및 이 또 하나의 추가 금속층 위에 배치된 반사방지 금속 산화물 층을 포함하는 피복물로 피복된 유리 기판.
  20. 제18항에 있어서, 굴곡 및/또는 강화사이클 중에 투광률이 70%이상으로 증가되는 피복된 유리 기판.
  21. 제18항 또는 제20항에 있어서, 굴곡 및/또는 강화 사이클 중에 투광률이 기재 유리의 투광률의 80%이상으로 증가되는 피복된 유리 기판.
  22. 제18항 또는 제20항에 있어서, 존재하는 추가 금속의 총량이, 공기중에서 굴곡 및/또는 강화시에, 피복된 유리의 투광률을 그의 원래 값의 10%이상 만큼 증가시키도록 하는 양인 피복된 유리 기판.
  23. 제18항 또는 제20항에 있어서, 추가 금속의 총량이 두께 4 내지 15㎚의 단일 금속층을 제공하기에 충분한 양인 피복된 유리 기판.
  24. 제18항 또는 제20항에 있어서, 추가 금속이 알루미늄 또는 아연인 피복된 유리 기판.
  25. 제19항에 있어서, 추가 금속이 알루미늄. 아연 또는 티탄인 피복된 유리기판.
  26. 제18항 또는 제20항에 있어서, 추가 금속이 두께 5 내지 10㎚의 층에 상응하는 양의 알루미늄인 피복된 유리 기판.
  27. 제18항 또는 제20항에 있어서, 은층의 두께가 5 내지 20㎚인 피복된 유리 기판.
  28. 제18항 또는 제20항에 있어서, 유리를 굴곡 및/또는 강화시킨 후 은층 위에 배치된 금속 산화물 층의충 두께가 20 내지 60㎚인 피복된 유리 기판.
  29. 제18항 또는 제20항에 있어서, 금속 산화물의 층(들)이 유리와 은층 사이에 배치되는 피복된 유리 기판.
  30. 제29항에 있어서, 유리와 은층 사이에 배치된 금속 산화물 층들의 총 두께가 20 내지 60㎚인 피복된유리 기판.
  31. 피복물이 반사방지 금속 산화물층, 이 반사 방지층 위에 배치된, 알루미늄, 티탄, 탄탈 및 지르코늄중에서 선택된 산화된 금속층 ; 이 산화된 금속층 위에 배치된 두께 5 내지 30㎚의 은층, 이 은층 위에배치된, 알루미늄, 티탄, 탄탈 및 지르코늄 중에서 선택된 또 하나의 산화된 금속층, 및 이 위에 배치된 반사방지 금속 산화물 층(이때, 두개의 산화된 금속층의 합한 총 두께는 8 내지 30㎚이다)을 포함하며 ; 또한, 투광률은 피복되지 않은 유리의 투광률의 80%이상인, 굴곡 및/또는 강화된 은-피복된 유리 기판.
  32. 제31항에 있어서, 두개의 산화된 금속층의 두께가 각각 4 내지 15㎚인 굴곡 및/또는 강화된 은-피복된 유리 기판.
  33. 피복물이 반사방지 금속 산화물 층 ; 이 반사방지층 위에 배치된 두께 5 내지 30㎚의 은층, 이 은층 위에 배치된 산화 티탄 또는 산화 탄탈 층(이때, 이 산화된 금속층의 두께는 8 내지 30㎚이다) , 및 이위에 배치된 반사방지 금속 산화물 층을 포함하며 , 또한, 투광률은 피복되지 않은 유리의 투광률의 80%이상인, 굴곡 및/또는 강화된 은-피복된 유리 기판.
  34. 피복물이 반사방지 금속 산화물 층: 이 반사방지 금속 층 위에 배치된 두께 5 내지 30㎚의 은층, 및 이 위에 메치된 반사방지 금속층을, 모든 피복물 층을 통하여 분포되어 있는 산화아연과 함께 포함하며 , 또한, 투광률은 피복되지 않은 유리의 투광률의 80% 이상인, 굴곡 및/또는 강화된 은-피복된 유리기판.
  35. 제34항에 있어서, 아연이 두께 4 내지 15㎚의 층에 상응하는 양으로 존재하는, 굴곡 및/또는 강화된은-피복된 유리 기판.
  36. 제31항 또는 제32항에 있어서, 투광률이 70%이상인, 굴곡 및/또는 강화된 은-피복된 유리 기판.
  37. 제2항에 있어서, 굴곡 및/또는 강화 사이클 중에, 피복된 유리의 투광률이 70%이상으로 증가되는방법.
  38. 제 2 항 또는 제37항에 있어서, 굴곡 및/또는 강화 사이클 중에, 피복된 유리의 투광률이 피복되지 않은 유리의 투광률의 80%이상으로 증가되는 방법.
  39. 제2항 또는 제37항에 있어서, 피복된 소오다 석회실리카 유리 기판을 공기중 570 내지 620℃에서 가열하여, 목적하는 굴곡의 형으로 굽히고, 굴곡된 유리를 어닐링(annealing) 시킴을 특징으로 하는 방법.
  40. 제2항 또는 제37항에 있어서, 피복된 소오다 석회 실리칸 유리 기판을 공기중 600 내지 670℃에서 가열한 다음, 유리를 급냉시켜 강화시키거나, 유리를 굴곡시키고 급냉시켜서 강화시키는 방법.
  41. 제40항에 있어서, 유리 표면에 공기를 취입시켜 유리를 급냉시키는 방법.
  42. 제2항 또는 제37항에 있어서, 사용되는 추가 금속의 양을, 굴곡 및/또는 강화 사이클 중에 이용되는가열 사이클의 지속 시간 및 유리가 가열되는 온도에 따라서 조절하여, 강화 및/또는 굴곡된 제품의 투광률이 최대가 되도록 하는 방법.
  43. 제 2 항 또는 제37항에 있어서, 존재하는 추가 금속의 총량이, 굴곡 및/또는 강화시에 피복된 유리의 투광율이 그의 원래 값의 10%이상 만큼 증가되도록 하는 양인 방법.
  44. 제 2 항 또는 제37항에 있어서, 추가 금속의 총량이, 두께 4 내지 15㎚의 단일 금속층을 제공하기에 충분한 양인 방법.
  45. 제 2 항 또는 제37항에 있어서, 추가 금속이 두께 5 내지 10㎚의 층에 상응하는 양의 알루미늄인 방법.
  46. 제2항 또는 제37항에 있어사, 은층의 두께가 5 내지 20㎚인 방법.
  47. 제2항 또는 제37항에 있어서, 유리를 굴곡 및/또는 강화시킨 후 은층 위에 배치된 금속 산화물 층의총 두께가 20 내지 60㎚인 방법.
  48. 제2항 또는 제37항에 있어서, 금속 산화물의 층(들)이 유리와 은층 사이에 배치되는 방법.
  49. 제48항에 있어서, 유리와 은층 사이에 배치된 산화물층들의 총 두께가 20 내지 60㎚인 방법.
  50. 제19항에 있어서, 굴곡 및/또는 강화 사이클 중에 투광률이 70%이상으로 증가되는 피복된 유리 기판.
  51. 제19항 또는 제50항에 있어서, 굴곡 및/또는 강화 사이클 중에 투광률이 기재 유리의 투광률의 80%이상으로 증가되는 피복된 유리 기판.
  52. 제19항 또는 제50항에 있어서, 존재하는 추가 금속의 총량이, 공기중에서 굴곡 및/또는 강화시에 피복된 유리의 투광률을 그의 원래 값의 10%이상 만큼 증가시키도록 하는 양인 피복된 유리 기판.
  53. 제19항 또는 제50항에 있어서, 추가 금속의 총량이 두께 4 내지 15㎚의 단열 금속층을 제공하기에 충분한 양인 피복된 유리 기판.
  54. 제19항 또는 제50항에 있어서, 추가 금속이 두께 5 내지 10㎚의 충에 상응하는 양의 알루미늄인 피복된 유리 기판.
  55. 제19항 또는 제50항에 있어서, 은층의 두께가 5 내지 20㎚인 피복된 유리 기판.
  56. 제19항 또는 제50항에 있어서, 유리를 굴곡 및/또는 강화시킨 후 은층 위에 배치된 금속 산화물 층의총 두께가 20 내지 60㎚인 피복된 유리 기판.
  57. 제19항 또는 제50항에 있어서, 금속 산화물의 층(들)이 유리와 은층 사이에 배치되는 피복된 유리 기판.
  58. 제57항에 있어서, 유리와 은층 사이에 배치된 금속 산화물 층들의 총 두께가 20 대지 60㎚인 피복된 유리 기판.
  59. 제33항에 있어서, 투광률이 70%이상인, 굴곡 및/또는 강화된 은-피복된 유리 기판.
  60. 제34항 또는 제35항에 있어서, 투광률이 70%이상인, 굴곡 및/또는 강화된 은-피복된 유리 기판.
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