KR950013057B1 - 분포귀환형 반도체 레이저 및 그 제조방법 - Google Patents

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소니 가부시키가이샤
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Abstract

내용 없음.

Description

분포귀환형 반도체 레이저 및 그 제조방법
제 1 도는 선행기술에 의한 분포귀환형 반도체 레이저장치의 단면도.
제 2 도는 제 1 도의 II-II선 단면도.
제 3 도는 제 1 도 및 제 2 도의 분포귀환형 반도체의 일부를 나타내는 부분사시도.
제 4 도는 본원 발명의 일실시예에 의한 분포귀환형 반도체 레이저장치를 나타내는 제 1 도와 같은 단면도.
제 5 도는 제 4 도의 V-V선 단면도.
제 6 도는 제 4 도 및 제 5 도의 분포귀환형 반도체의 일부를 나타내는 부분사시도.
제 7a 도 내지 제 7e 도는 본원 발명에 의한 분포귀환형 반도체 레이저장치의 제작공정을 나타내는 단면도.
제 8 도는 제 7b 도에 나타낸 제작공정에 사용되는 포토마스크를 나타내는 평면도.
본원 발명은 분포귀환형 반도체 레이저장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
종래의 분포귀환형 반도체 레이저장치에 있어서는, 활성층을 포함하는 레이저장치의 활성영역에 인접하여 배치된 가이드층의 표면 전체의 회절격자(回折格子)를 형성하여 단일종(從) 모드동작(SLM : single longitudinal mode)을 도모하고, 한편 굴절율 도파(導波)에 의한 단일횡(橫) 모드동작은 모든 결정성장이 끝난 후에 회절격자로부터 떨어진 위치에서 외부로부터 형성된 구조를 사용해서 행하고 있다.
이 때문에 보다 많은 결정성장이나 기타 제작공정이 필요하게 되고, 이에 부수되는 문제의 해결이 필요하게 되었다. 예를 들면, 매몰 헤테로구조(buried heterostructure : BH)형의 분포귀환형 반도체 레이저에서는 3회의 결정성장을 필요로 하며, 세번째의 결정성장 기간중 역 메사(nlesa) 형상으로 결정성장이 되기 때문에 계면이 나쁜 경우에 누설전류가 발생하는 계면의 문제, 전류패스의 문제, 열이력이 장기간일 경우 도판트(dopant)의 확산에 의해 초래되는 p-n 접합 등의 제어성 문제등이 생기게 된다. 한편, 리지(ridge)구조의 분포귀환형 반도체 레이저장치에서는, 리지구조의 대향측의 활성영역의 두께 및 리지폭이 굴절율 도파특성을 크게 좌우하며, 따라서 리지구조의 생성에 대한 제어가 엄격히 요구되고 있다.
또한 일본국 특허공개 제 1984-80984호 공보에 있어서, 광가이드층 표면에 주기적 요철, 즉 회절격자를 형성하고, 레이저광의 진행방향에 따라 뻗는 스트라입형의 영역 이외의 광가이드층의 표면이 그 표면부분에 평탄영역을 얻을 목적으로 활성층에 이르지 않는 깊이로 에칭되며, 그 위에 클래드(clad)층을 광가이드층상에 성장하도록 한면발광 분포귀환형 반도체 레이저장치가 제안되어 있다. 그러나, 소망되는 평탄영역은 전에 회절격자가 형성된 표면부분을 에칭함으로써 얻어지기 때문에 파형주름이 평탄영역에 불가피하게 남게된다. 클래드층은 가이드층의 주름이 있는 평탄영역상에서 만족스럽게 성장할 수 없으며, 레이저장치의 수명과 동작의 안정성에 좋지못한 영향을 미친다.
본 출원의 발명자들은 전에 일본국 특허출원 제 1986-141137호에 있어서 분포귀환형 반도체 레이저장치를 제안하였다. 이 분포귀환형 반도체 레이저장치는 활성층이 한쌍의 클래드층 사이에 배치되어 있으며, 회절격자로 구성된 스트라입형 분포귀환수단이 활성층상의 가이드층에 형성되어 있으며, 스트라입형 회절격자의 대향측에 있는 가이드층의 표면부분은 실질적으로 평탄한 상태로, 즉 주름이 없는 상태로 유지된다. 스트라입형 회절격자의 대향측에 있는 가이드층의 표면부분은 평탄하기 때문에, 회절격자가 형성된 후 가이드층에서 계속적으로 성장한 각 결정층은 반도체 레이저장치의 수명을 연장하고, 그 동작의 안정성을 향상시키는 좋은 결정성을 갖추게 된다. 그러나, 상술한 제안에 었어서와 같이 회절격자가 가이드층의 좁은 영역에만 형성된다면 재현성이 좋은 회절격자의 균일된 형성을 보장할 수 있는 제작조건을 제어하는 것은 곤란하다.
따라서, 본원 발명의 목적은 단일종모드와 단일횡모드로 조작될 수 있는, 그리고 선행기술이 지니고 있는 상술한 문제를 해결할 수 있는 분포귀환형 반도체 레이저장치를 제공하는데 있다.
더욱이, 본원 발명의 목적은 재현성이 좋고 염가로 제조할 수 있는 단일종모드와 단일횡모드로 조작할 수 있는 분포귀환형 반도체 레이저장치를 제공하는데 있다.
본원 발명의 한 실시예에 의하면, 분포귀환형 반도체 레이저장치는 두개의 클레드층과, 두개의 클레드층사이에 배설된 활성층과, 활성층위의 가이드층에 형성된 스트라입형 분포귀환수단과, 분포귀환수단의 대향하는 양측에 배설된 비교적 좁은 평탄영역과, 분포귀환수단으로부터 더미영역을 분할하는 평탄영역을 통하여 분포귀환수단의 대향하는 양측에 형성된 분포귀환수단과 동일한 구조를 가진 더미영역으로 이루어진다.
본원 발명의 또 하나의 실시예에 의하면, 분포귀환형 반도체 레이저장치의 제조방법은 기판위에 클레드층, 활성층 및 가이드층을 차례로 에피택셜 성장시키고, 가이드층위에 포토레지스트층을 도포하고, 비교적 좁은 스트라입형의 평행으로 간격이 떨어진 두개의 영역에 포토마스크를 통하여 포토레지스트층의 제 1 노광을 행하고, 제 1 노광된 스트라입형 영역 이외의 다른 영역에서 포토레지스트층의 홀로그래픽(holographic)노광을 행하여, 회절격자의 잠상(潛像)을 상기 다른 영역에 형성하고, 노광된 포토레지스트층을 현상하여 그로부터 레지스트마스크를 형성하고, 레지스트마스크를 통하여 가이드층을 선택적으로 에칭하여, 가이드층이 활성층위에 스트라입형 분포귀환수단을 형성하고, 또 분포귀환수단의 대향하는 양측에 배설된 비교적 좁은 평탄영역을 형성하고, 분포귀환수단으로부터 더미영역을 분할하는 평탄영역을 통하여 분포귀환수단과 동일한 구조를 가진 분포귀환수단의 대향하는 양측에 있는 더미영역을 형성하고, 에칭된 가이드층에 클래드층을 에피택셜 성장시키는 것으로 이루어진다.
본원 발명의 상기와 같은 그리고 기타 목적, 특징 및 이점은 첨부된 도면을 참조하여 상세히 기재된 실시예에 의하여 명백해질 것이며, 도면에서 대응하는 부품이나 소자에는 동일한 참조번호를 사용하였다.
본원 발명에 의해 문제가 해결되는 것을 완전히 이해하도록 하기 위하여 일본국 특허출원 제 1986-141137호에서 제안된 분포귀환형 반도체 레이저장치를 제 1 도, 제 2 도 및 제 3 도를 참조하며 설명한다.
이와같은 반도체 레이저장치는 p형 AlGaAs에 의한 클래드층(2), GaAs의 활성층(3), n형 AlGaAs에 의한 가이드층(4), n형 AlGaAs에 의한 클래드층(6) 및 n형 GaAs에 의한 캡층(7)이 차례로 p형 GaAs 기판(1)위에 형성되어 있다.
양자택일로, 기판(1)은 n형이 될 수도 있으며, 이 경우 클래드층(2)은 n형이고, 가이드층(4), 클래드층(6) 및 캡층(7)은 각각 p형이 된다. 회절격자(5)로 구성되는 스트라입형 분포귀환수단은 가이드층(4)의 중심에 형성되며, 스트라입형 회절격자(5)의 대향하는 양측에 있는 가이드층(4)의 표면부(4a)는 평면형으로 유지된다.
이온주입영역(8)은 캡층(7)의 대향측 영역을 거쳐 클래드층(6)으로 뻗어있으며, 프로톤 또는 보론등의 이온을 주입한다. 옴전극(9)와 (10)이 각각 기판(1)과 캡층(7)에 설치된다.
전술한 바와 같이, 그리고 제 1 도 내지 제 3 도에 나타낸 바와 같이 스트라입형 회절격자(5)가 레이저광의 전진방향으로 뻗어있으므로 분포귀환형 반도체 레이저장치는 단일종모드와 횡모드로 작동된다. 스트라입형 회절격자(5)의 대향하는 양측에 있는 가이드층 표면(4a)은 평탄하기 때문에 그 위에 성장한 결정층, 예를 들면 클래드층(6)은 회절격자(5)를 형성한 후 좋은 결정성으로 형성될 수 있으며, 따라서 반도체 레이저장치의 수명을 연장하며, 그 동작안정성이 향상된다.
피치가 0.1-0.2μm 정도의 회절격자(5)를 가이드층(4)에 형성하는데는 자외선 레이저광원의 2광선 간섭을 사용한 홀로그래픽 노광법을 사용하는 것이 바람직하다. 그러나, 실질적으로 큰 크기의 균일하고도 노이즈 없는 회절격자를 형성하기 위해서는 노광, 현상, 에칭등의 제조조건을 고정밀도로 제어하는 것이 필요하다.
그러나 제 1 도 내지 제 3 도에 나타낸 앞에 제안된 분포귀환형 반도체 레이저장치에 있어서는, 회절격자(5)가 폭 W1이 2.0-5.0μm 정도 되는 좁은 영역에만 형성된다. 이와 같은 경우, 제작조건의 필요한 고정밀제어가 곤란하며, 따라서 양호한 수율을 얻는데 필요한 좋은 재현성으로 균일하게 회절격자를 형성하는것은 매우 어렵다.
제 4 도 및 제 5 도에서, 본원 발명의 실시예에 의한 분포귀환형 반도체 레이저장치에 있어서, P형 AlGaAs외 클래드층(2), GaAs외 활성층(3)과 N형 AlGaAs의 가이드층(4)이 P형 GaAs의 기판(1)상에 순차적으로 에피택셜 성장되어 있다.
제 7a 도에 나타낸 바와 같이 포지티브형 포토레지스트층(12)을 가이드층(4)위에 도포하고, 포토레지스트층(12)의 제 1 노광이 제 7b 도에 나타낸 바와 같이 포토마스크(13)를 통하여 행해진다.
제 8 도에 나타낸 바와 같이 포토마스크(13)에는 비교적 좁은 스트라입형인 평행으로 간격이 떨어진 투명영역(13a)이 있으며, 포토마스크(13)의 잔여부분은 (13b)로 나타낸 바와 같이 차광 또는 불투명영역으로 되어 있다. 2개의 반도체 레이저장치가 동시에 제작되는 경우에는, 포토마스크(13)의 치수는 나란히 배치된 2개의 반도체 레이저장치에 대응하도록 맞추어지며, 2쌍의 스트라입형 투명영역(13a)은 종중심선 A-A의 대향하는 양측에 있는 포토마스크(13) 부분에 횡방향으로 중심을 갖는다. 제 7b 도에 나타낸 제 1 노광 기간중 포토레지스트층(12)은 포토마스크의 비교적 좁은 투명영역(13a)에 따라서만 노광된다.
다음에 제 7c 도에 나타낸 바와 같이, 포토레지스트층(12)은 예를 들면 Ar+ 레이저광원의 351.1nm 라인을 사용하여 2광선 간섭법에 의해 홀로그래픽 노광을 하여, 회절격자의 잠상을 포토레지스트층(12)의 부분에 제공하게 된다. 포토마스크(13)의 투명 스트라입형 영역(13a)에 대응하는 포토레지스트층의 이들 부분은 제 1 노광 공정에서 이미 노광되었기 때문에 간섭 프린지(fringe)가 포토레지스트층의 이와 같은 부분에 형성되지 않는다. 환언하면, 회절격자의 잠상은 포토마스크(13)의 불투명부분(13b)에 대응하는 포토레지스트층(12) 부분에 형성될 뿐이다.
이때, 제 7b 도에 나타낸 제 1 노광 및 제 7c 도에 나타낸 제 2 즉 홀로그레픽 노광공정은 그 순서를 바꿔도좋다.
제 7d 도에 나타낸 바와 같이 노광된 포토레지스트층은 현상되어 레지스트마스크(14)를 형성한다. 노광된 포트레지스트층의 이와 같은 현상을 위하여 사용되는 조건은 회절격자가 가이드층의 전체면에 형성될 때의 선행기술에서 사용되는 종래의 조건과 거의 같아도 좋다.
다음에, 제 7e 도에 나타낸 바와 같이 현상된 레지스트마스크(14)를 통해 작용하는 적당한 에칭액으로 가이드층(4)을 선택적으로 에칭한다. 이 에칭조건도 선행기술에 따라서 반도체 레이저장치에서 가이드층의 전체면에 회절격자를 형성하는데 사용되는 조건과 동일한 조건으로도 좋다. 이 선택에칭에 의하여 직선으로 뻗은 볼록 솟은 립(rib) 구조(15)가 좁은 스트라입형으로 형성되는 동시에 립구조(15) 표면이 레이저광의전진방향에 따라서 뻗은 회절격가(5)를 형성하는 주기적 요절 즉 톱니모양으로 형성된다. 볼록 솟은 립구조(15)의 대향하는 양측에 포토마스크(13)의 직선으로 뻗은 투명영역(13a)에 대응하여 배설된 평탄표면(4a)이 회절격자(5)를 형성하는 톱니모양의 골(오목부)에 대응하는 깊이까지 에칭되어서 비교적 좁은 평탄영역(11)을 형성한다. 또 선택에칭은 회절격자(5)의 대향하는 양측에 회절격자와 같이 동일한 톱니모양 구조를갖는 더미영역(16)(제 4 도 및 제 6 도)을 형성하며, 이와 같은 더미영역(16)은 평탄영역(11)에 의해 회절격자(5)로부터 분할되어 에칭된 가이드층(4) 표면의 주요부분을 구성한다. 제 6 도에 명시된 바와 같이 가이드층(4)이 에칭되고, 평탄영역(11)과 회절격자(5) 및 (16)의 골(오목부)에 대응하는 최대의 깊이는 가이드층(4)의 본래의 두께보다 작기 때문에, 에칭은 가이드층(4)의 밑에 있는 활성층(3)까지 도달하지 않는다.
본원 발명의 실시예인 분포귀환형 반도체 레이저장치의 제작에 있어서, 예를 들면 분포귀환수단을 구성하는 스트라입형 회절격자(5)의 폭 W1은 2.0-5.0μm 정도이며, 각 평탄영역(11)의 폭 W2은 약 10.0μm이며, 각 더미영역(16)의 폭 W3은 약 270μm 정도로 할 수 있다.
에칭동작 다음에 레지스트마스크(14)는 적절히 제거되고, 굴절율 도파기구와 분포귀환구조를 가진 에칭된 가이드층(4) 위에 n형 AlGaAs의 클래드층(6) 및 n형 GaAs의 캡층(7)을 계속해서 에피택셜 성장한다. 이어서 회절격자(5)의 폭에 대응하는 중앙부를 제외하고 반도체 레이저장치의 폭을 가로질러 캡층(7) 및 바로 밑층인 클래드층(6)에 프로톤, 보론등을 이온주입하여 이온주입층(8)을 형성한다. 끝으로 기판(1)과 캡층(7)의 표면위에 옴전극(9) 및 (10)을 형성하여, 제 4 도 및 제 5 도에 나타낸 바와 같이 본원 발명의 실시예인 분포귀환형 반도체 레이저장치(17)를 완성한다. 전술한 바와 같이 제 8 도에 나타낸 포토마스크(13)는 2개의 반도체 레이저장치를 동시에 제작하는 것이다. 상기와 같이 제작동작이 완료하면 구조들을 제 8 도의 A-A선에 대응하는 평면에서 분할하여, 2개의 동일한 반도체 레이저장치(17)를 얻는다.
전술한 바와 같이 스트라입형 회절격자(5)의 대향하는 양측에 형성되고, 직선으로 배설된 평탄영역(11)에 의해 회절격자로부터 분할된 더미영역(16)은 회절격자(5)와 동일한 구조를 갖는다.
환언하면, 평탄영역(11)은 회절격자가 그 안에 형성되어 있지 않은 유일한 가이드층(4)의 부분이며, 이와같은 평탄영역(11)은 회절격자를 가진 영역(5) 및 (16)에 비하여 좁다.
상기와 같은 이유 때문에, 스트라입형 회절격자(5)를 형성하기 위한 노광, 현상 및 에칭조건은 가이드층의 전체면에 회절격자가 배설되어 있는 선행기술에 의한 반도체 레이저장치의 제작에 있어서 그와 같은 동작을 행하는데 사용되는 조건과 거의 같다. 그리하여 스트라입형 회절격자를 형성하는 조건을 가이드층의 전체영역에 회절격자를 형성하는데 있어서의 조건을 제어하는 방법과 동일한 방법으로 제어할 수 있다. 그 결과, 본원 발명에 의하면 반도체 레이저장치의 좁은 스트라입형 회절격자(5)는 좋은 재현성으로 형성할 수 있다. 더욱이 더미영역(16)을 구성하는 회절격자는 완성된 분포귀환형 반도체 레이저장치에 있어서 기능적목적 달성을 기하지 않고 있기 때문에 관성된 분포귀환형 반도체 레이저장치는 제 1 도 내지 제 3 도에 나타낸 바와 같이 선행기술에 의한 반도체 레이저장치와 같은 동작특징을 가지고 있으며, 그리고 여기서는 회절격자가 가이드층의 협폭 스트라입형 영역에만 형성된다. 환언하면, 본원 발명에 의하면 협폭 스트라입형 회절격자(5)는 회절격자가 가이드층의 전체영역에 형성될때 얻어지는 것에 비할만한 수율로 형성될 수 있지만, 본원 발명에 의하여 형성된 반도체 레이저장치는 회절격자가 가이드층의 협폭 스트라입형 영역에만 형성되는 선행기술의 반도체 레이저장치의 동작특성에 대응하는 동작특징을 갖는다.
특히, 본원 발명의 실시예인 반도체 레이저장치의 상기 동작특성에 대해서, 분포귀환기구가 레이저광의 진행방향에 따라서 스트라입형 회절격자(5)에 의해 형성되고, 굴절율 도파기구가 가이드층(4)에 회절격자(5)와 함께 동시에 형성된 립구조(15)에 의해 형성되며, 그 결과 얻어진 분포귀환형 반도체 레이저장치는 단일종 및 횡모드로 동작될 수 있는 것이 주목된다. 또, 스트라입형 회절격자(5)의 대향하는 양측에 형성된 평탄영역은 회절격자(5)의 오목부와 동등한 평면이기 때문에 클래드층(6)과 캡층(7)은 그후 만족스러운 결정성으로 에피택셜 성장할 수 있으므로 분포귀환형 반도체 레이저장치의 수명은 실질적으로 연장되며, 그 동작 안정성이 향상된다.
전술한 바와 같이, 레지스트마스크(14)는 2회 2중 노광 다음에 따르는 현상에 의해 가이드층(4) 위에 형성되고, 회절격자(5)와 립구조(15)는 단일에칭공정에 의해 동시에 형성된다. 이와 같은 단일에칭공정으로 인해서, 굴절율 도파에 의한 횡모드의 단일성과 분포귀환에 의한 종모드의 단일성이 확보된다. 본원 발명에 의한 반도체 레이저장치는 동작특성을 실질적으로 좌우할 수 있는 여분의 결정성장이나 기타의 제조공정을 필요로 하지 않기 때문에 용이하게 제작할 수 있으며, 요망되는 동작특성을 얻을 수 있다.
제 4 도 내지 제 6 도와 관련하여 상술한 본원 발명의 실시예에 있어서, 립구조(15)는 포지티브형 포토레지스트층(12)을 사용한 결과로서 인접한 평탄영역(11)에 대하여 볼록하게 솟아있으나 네가티브형 포토레지스트층을 사용할 수 있으며, 이 경우 회절격자(5)는 평탄영역(11) 아래로 오목하게 들어갈 것이다. 즉 평탄영역(11)은 회절격자를 형성하는 톱니모양 구조의 리지(융기부분)와 동등한 면이 될 것이다.
본원 발명의 상술한 실시예에서는 GaAs 및 AlGaAs로 형성된 여러가지 층이 있지만 본원 발명은 적절한 다른 종래의 재료로 형성된 분포귀환형 반도체 레이저장치에도 똑같이 적용될 수 있다.
결론적으로, 본원 발명에 의한 분포귀환형 반도체 레이저장치에 있어서, 분포귀환수단은 스트라입형이며, 그의 대향하는 양측에 평탄영역이 배열되어서 단일종모드 및 횡모드동작을 할 수 있게 되고, 또한 장치의 수명이 연장되고, 동작의 안정성이 향상된다.
또 평탄영역 바깥쪽에 비교적 넓고 소자기능이 없는 영역에 분포귀환수단과 같은 구조를 가진 더미영역을 설정함으로써, 반도체 레이저장치의 제작공정 및 그 특성에 하등 지장을 주지않고, 협폭 스트라입형 영역에 분포귀환수단을 재현성 좋게 형성할 수 있게 되고, 이런 종류의 분포귀환형 반도체 레이저를 고수율로 제작하여 얻을 수 있다.
첨부한 도면을 참조하여 본원 발명의 특정 실시예에 대해 설명했지만, 본 발명은 그 구체적인 실시예에 국한되는 것이 아니고, 다음의 특허청구의 범위에서 정의한 발명의 범위나 기술적 사상에서 일탈하지 않는 범위에서 이 기술분야에 숙련된 자가 여러가지 변경 또는 변형을 할 수 있다는 것을 이해할 수 있다.

Claims (6)

  1. 두개의 클래드층과, 상기 두개의 클래드층 사이에 배설된 활성층과, 상기 활성층위의 스트라입형 분포귀환수단과, 상기 분포귀환수단의 대향하는 양측에 배설된 비교적 좁은 평탄영역과, 상기 분포귀환수단으로부터 더미영역을 분할하는 상기 평탄영역을 통하여 상기 분포귀환수단의 대향하는 양측에 형성된 상기 분포귀환수단과 동일한 구조를 가진 더미영역으로 이루어지는 분포귀환형 반도체 레이저장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 분포귀환수단과 상기 더미영역의 상기 구조가 회절격자로 구성되는 분포귀환형반도체 레이저장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 분포귀환수단, 평탄영역 및 더미영역이 상기 활성층위의 가이드층이 형성되는 분포귀환형 반도체 레이저장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 스트라입형 분포귀환수단 및 상기 더미영역이 상기 평탄영역에 대하여 볼록 솟아있는 분포귀환형 반도체 레이저장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 회절격자가 상기 평탄영역에 대하여 볼록 솟아있는 리지와 상기 평탄영역과 동등한 면인 골을 가진 톱니모양의 형상에 의해 구성되는 분포귀환형 반도체 레이저장치.
  6. 기판위에 클래드층, 활성층 및 가이드층을 차례로 에피택셜 성장시키고, 상기 가이드층위에 포토레지스트층을 도포하고, 비교적 좁은 스트라입형의 평행으로 간격이 떨어진 두개의 영역에 포토마스크를 통하여 상기 포토레지스트층의 제 1 노광을 행하고, 상기 스트라입형 영역이외의 다른 영역에서 상기 포토레지스트층의 홀로그래픽 노광을 행하여, 회절격자의 잠상을 상기 다른 영역에 형성하고, 노광된 포토레지스트층을 현상하여 그로부터 레지스트마스크를 형성하고, 상기 레지스트마스크를 통하여 상기 가이드층을 선택적으로 에칭하여, 상기 가이드층이 상기 활성층위에 스트라입형 분포귀환수단을 형성하고, 또 상기 분포귀환수단의 대향하는 양측에 배설된 비교적 좁은 평탄영역을 형성하고, 상기 분포귀환수단으로부터 상기 더미영역을 분할하는 상기 평탄영역을 통하여 상기 분포귀환수단과 동일한 구조를 가진 분포귀환수단의 대향하는 양측에 있는 더미영역을 형성하고, 에칭된 가이드층에 클래드층을 에피택셜 성장시키는 것으로 이루어지는 분포귀환형 반도체 레이저장치의 제조방법.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2203891A (en) * 1987-04-21 1988-10-26 Plessey Co Plc Semiconductor diode laser array
JP2619057B2 (ja) * 1989-05-22 1997-06-11 三菱電機株式会社 半導体レーザの製造方法
JPH07112094B2 (ja) * 1990-03-16 1995-11-29 株式会社東芝 半導体レーザ装置
TW388144B (en) 1997-09-30 2000-04-21 Mitsui Chemicals Inc Semiconductor laser device
JP2000012963A (ja) 1998-06-23 2000-01-14 Nec Corp 光半導体装置の製造方法
JP2002252420A (ja) * 2000-12-15 2002-09-06 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザ素子、半導体レーザモジュールおよびその製造方法ならびに光ファイバ増幅器
EP1215782A3 (en) * 2000-12-15 2004-01-07 The Furukawa Electric Co., Ltd. An integrated laser beam synthesizing module for use in a semiconductor laser module and an optical amplifier
JP6464895B2 (ja) * 2015-04-03 2019-02-06 住友電気工業株式会社 量子カスケード半導体レーザ

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58143595A (ja) * 1982-02-19 1983-08-26 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レ−ザ
JPS595689A (ja) * 1982-07-01 1984-01-12 Nec Corp 分布帰還型半導体レ−ザ
JPS5980984A (ja) * 1982-11-01 1984-05-10 Hitachi Ltd 面発光分布帰還形半導体レ−ザ素子
JPS6037793A (ja) * 1983-08-10 1985-02-27 Nec Corp 単一軸モ−ド半導体レ−ザ
JPS6134988A (ja) * 1984-07-26 1986-02-19 Nec Corp 半導体レ−ザ
JPS61100991A (ja) * 1984-10-22 1986-05-19 Sharp Corp 半導体レ−ザ素子
US4624000A (en) * 1984-11-01 1986-11-18 Xerox Corporation Phased array semiconductor lasers with preferred emission in a single lobe
JPS61191093A (ja) * 1985-02-20 1986-08-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置

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