JPS61191093A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS61191093A
JPS61191093A JP60032050A JP3205085A JPS61191093A JP S61191093 A JPS61191093 A JP S61191093A JP 60032050 A JP60032050 A JP 60032050A JP 3205085 A JP3205085 A JP 3205085A JP S61191093 A JPS61191093 A JP S61191093A
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JP
Japan
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layer
distributed feedback
electrode
type inp
semiconductor substrate
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JP60032050A
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English (en)
Inventor
Tomoaki Uno
智昭 宇野
Keisuke Koga
啓介 古賀
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS61191093A publication Critical patent/JPS61191093A/ja
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    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
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    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
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    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体基板上に複数個の発振波長の異なる分布
帰還型レーザ装置を有する半導体装置に関するものであ
る。
従来の技術 従来、波長の異なる分布帰還型レーザを同一の半導体基
板上に作製するには、回折格子の周期を波長ごとに変化
させる方法が用いられている。
分布帰還型レーザの発振波長λは、ブラッグ条件（次に
示す０式）で与えられる。
λ＝＝２Ｎ　　　＠Ａ・−・・・・・・・・・■ｅｔｔ
　　　　Ｍ ここで’ｓ　ｅ　ｔは光導波路内部の実効屈折率、Ａは
回折格子周期、Ｍはグレイティング次数（Ｍ＝−ｖ。
２、・・・・・・）である。
例えば従来は、第３図に示すように半導体基板３１に、
同一の光導波路断面３３’、３３“、３３＃を有し、回
折格子３ｇ’、３５“、３１５ｍｏ各周期ｔそＭ：れＡ
１．Ａ２．Ａ３と異ならせることにより、出力レーザ光
３４　’、　３４　”　、　３４　′′′の発振波長が
それぞれλ１．λ２．λ３と異なる分布帰還型レーザ３
２’、３２“ｓ　２　／＃を得ていた。（例えば昭和５
９年秋期応用物理学会学述講演会講演予稿集１２Ｐ−Ｒ
−１４）発明が解決しようとする問題点 このような従来の半導体装置では、発振波長を異ならせ
る手段として回折格子の周期をそれぞれの分布帰還型レ
ーザの発振波長に応じて異ならせることが必要であった
。このために回折格子作製工程数が複数回必要であシ、
かつ工程が複雑であるという問題があった。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、簡単な構成
で半導体基板上に複数個の発振波長の異なる分布帰還型
レーザ装置を同時にかつ容易に作製可能な半導体装置を
提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段 本発明は半導体基板上に、発振波長が異なる分布帰還型
レーザ装置を複数個平行して載置した構成であって、上
記発振波長の異なる分布帰還型レーザ装置が、同一の周
期からなる回折格子と、同一の条件で構成される半導体
層構造と、発振波長に応じて定まった特定のストライプ
状光導波路幅を有するものとすることにより、上記問題
点を解決するものである。
作　　　用 本発明は上記した構成により、同一の半導体層構造と同
一の回折格子周期であシながら、ストライプ状光導波路
幅の変化によシ実効屈折率が変化する（例えばＢＳＴＴ
　、４８．Ａ７．’ＰＰ。２０７１　／２１０２．１９
６９．）　　という方式を用いて上記０式で与えられる
ように異なる発振波長の複数の分布帰還型レーザを得る
ことができる。この時、回折格子の作製工程は１回で良
い。
実施例 第１図は本発明の一実施例の模式図である。第１図にお
いて、１１は半導体基板、１２’　、１２’　。
１２′　　は分布帰還型レーザ、１３’　、１３’　、
１３＃は光導波路断面、１４’　、１４’　、１４”は
出力レーザ光、１５’、１５’、１５“は周期Ａ０を有
する回折格子である。
分布帰還型レーザ１２’　、１２’　、１２′はそれぞ
れ異なる光導波路断面１３’　、１３’　、１３′＃を
有する。
ｄｌ、ｄ２．ｄ３はそれぞれの光導波路幅でありω。
は光導波路厚みで共通である。いま光導波路断面１３’
　、１３’　、１３”により決まる実効屈折率をそれぞ
れＮｅｔｔｌ　ｇＮｅｔｔ２＋Ｎｅｔｔ３　　とすると
・前述したブラッグ条件（０式）から発振波長が決めら
れる。（ｄ　）ｄ　）ｄ　　の時Ｎｅ　ｔ　ｔ　１　〉
Ｎｅ目、〉Ｎｅｔｔ３となシλ′１〉λ′２〉λ′３と
なる・）・第２図は、第１図に示した本発明の一実施例
の具体的構成を斜視外観図により示したものである。
２１はＡ　ｕ／Ｚ　ｎ電極、２２はｐ型ＩｎＧａＡｓｐ
　　のコンタクト層、２３はｐ型ＩｎＰのクラッド層、
２４はＩｎＧａＡｓｐ活性層、２５はＮ型ＩｎＰ半導体
基板、２６はＡ　ｕ／Ｓ　ｎ電極、２７はＮ型ＩｎＰ埋
込層、２８はｐ型ＩｎＰ電流阻止層、２９は電極２１を
電気的に分割するための分離溝である。
同一の周期を有する回折格子が活性層２４と半導体基板
２６の間に形成しである。この構成が３つの発振波長の
異なる分布帰還型レーザを備えた半導体装置である（ｄ
ｌ〉ｄ２〉ｄ３であるからλ１〉λ２〉λ３）。半導体
層を形成する材料はＩｎＰおよびＩｎＧａＡｓ５ｐ　　
だけではな（ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓ。
ＡｌＧａＡｓまたはこれ以外の半導体でも同様の効果を
得られることは言うまでも無い。また半導体層構造も活
性層２４に近接して導波層を有するものでも良く、レー
ザ構造が他の方式であっても同様に利用できる。
発明の効果 以上述べてきたようＫ、本発明によれば、きゎめて容易
に複数個の発振波長の異なる分布帰還型レーザを同一半
導体基板上に有する半導体装置が得られ、実用的にきわ
めて有用である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例における半導体装置を模式的
に示す図、第２図は第１図に示した半導体装置の分解斜
視図、第３図は従来例の半導体装置を模式的に示す図で
ある。 １１・・・・・・半導体基板、１２’　、１２’　、１
２′＃・・・・・・分布帰還型レーザ、１３’　、１３
’　、１３”・・・・・・光導波路断面、１５’　、１
５’　、１５”・・・・・・回折格子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板上に、発振波長の異なる分布帰還型レーザ装
    置を複数個平行して載置し、上記発振波長の異なる分布
    帰還型レーザ装置が、同一の周期からなる回折格子と同
    一の条件で構成される半導体層構造と、発振波長に応じ
    て定まった特定のストライプ状光導波路幅を有すること
    を特徴とする半導体装置。
JP60032050A 1985-02-20 1985-02-20 半導体装置 Pending JPS61191093A (ja)

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