JPS62124791A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS62124791A JPS62124791A JP60264041A JP26404185A JPS62124791A JP S62124791 A JPS62124791 A JP S62124791A JP 60264041 A JP60264041 A JP 60264041A JP 26404185 A JP26404185 A JP 26404185A JP S62124791 A JPS62124791 A JP S62124791A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- active layer
- periodic structure
- wave number
- diffraction grating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4056—Edge-emitting structures emitting light in more than one direction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、波長多重光通信用光源となる波長多重分布帰
還型半導体レーザに関するものである。
還型半導体レーザに関するものである。
従来の技術
従来の波長多重レーザは、異なる周期の回折格子を有す
るいくつかの分布帰還型レーザを、同一基板上に集積化
する事によって実現されていた（例えば、第４６回応用
物理学会学術講演会講演予稿集、 Ｐｌ ７０ 、１２
ｐ −Ｒ−１４）。
るいくつかの分布帰還型レーザを、同一基板上に集積化
する事によって実現されていた（例えば、第４６回応用
物理学会学術講演会講演予稿集、 Ｐｌ ７０ 、１２
ｐ −Ｒ−１４）。
発明が解決しようとする問題点
しかし、前記の様な構成の波長多重半導体レーザを製作
するには、分布帰還型レーザを製作するうえで、最も難
しい工程の一つである回折格子形成工程が複雑なものと
なってしまう。そこで、本発明は容易な回折格子形成工
程で製作される簡易な構成の波長多重分布帰還型半導体
レーザを提供することを目的としている。
するには、分布帰還型レーザを製作するうえで、最も難
しい工程の一つである回折格子形成工程が複雑なものと
なってしまう。そこで、本発明は容易な回折格子形成工
程で製作される簡易な構成の波長多重分布帰還型半導体
レーザを提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決する為、周期構造を有する層
、またはその上層か下層に、前記周期構造の波数ベクト
ル方向とは一致しない光伝搬方向を有する光導波路を形
成し、これを活性層とする事によって、簡易な構造の波
長多重分布帰還型半導体レーザを実現した。
、またはその上層か下層に、前記周期構造の波数ベクト
ル方向とは一致しない光伝搬方向を有する光導波路を形
成し、これを活性層とする事によって、簡易な構造の波
長多重分布帰還型半導体レーザを実現した。
作 用
上記構成によって先導波路の波数ベクトル方向に対して
傾斜させる角度によって同一周期構造であっても種々の
波長のレーザ光を得られる。
傾斜させる角度によって同一周期構造であっても種々の
波長のレーザ光を得られる。
実施例
第１図は本発明にかかる３波多重分布帰還型半導体レー
ザの一実施例の上面からの透視図（ａ）と断面図（ｂ）
である。基板１の上に周期構造すなわち回折格子２を形
成する。その上層には、クラッド層３ａ、３ｂに挾まれ
る形で３本の光導波路４ａ。
ザの一実施例の上面からの透視図（ａ）と断面図（ｂ）
である。基板１の上に周期構造すなわち回折格子２を形
成する。その上層には、クラッド層３ａ、３ｂに挾まれ
る形で３本の光導波路４ａ。
４ｂ、４ｃを形成し活性層とする。活性層４ａの光伝搬
方向は、回折格子２の波数ベクトル方向と一致している
が、４ｂ、ａａのそれは、前記波数ベクトルと、一定の
角度をなしている。従って、電極６と電極ｓａ、ｓｂ、
ｓｃより活性層４ａ。
方向は、回折格子２の波数ベクトル方向と一致している
が、４ｂ、ａａのそれは、前記波数ベクトルと、一定の
角度をなしている。従って、電極６と電極ｓａ、ｓｂ、
ｓｃより活性層４ａ。
４ｂ 、４０に電流を注入するとき、それぞれの活性ノ
ーは異なる波長で、レーザ発振する。電極５ａ。
ーは異なる波長で、レーザ発振する。電極５ａ。
ｓｂ、ｓｃはそれぞれ独立しており、個々の活性層の出
力光を独立に直接変調する事ができる。回折格子の波数
ベクトルと活性層の光伝搬方向をなす角は任意に選べる
が、例えば、回折格子の波数ベクトルと一致する光伝搬
方向を有する活性層からのレーザ出力光の波長が１，５
００μｍの場合、１．５０１μｍのレーザ光を得る為に
は、活性層の光伝搬方向を回折格子の波数ベクトルから
、約２０傾けるだけで良い。なお第１図に示した実施例
の構成をとれば、レーザ出射光導波路部６で、３つの活
性層からのレーザ光を合波して出力する事も容易である
。
力光を独立に直接変調する事ができる。回折格子の波数
ベクトルと活性層の光伝搬方向をなす角は任意に選べる
が、例えば、回折格子の波数ベクトルと一致する光伝搬
方向を有する活性層からのレーザ出力光の波長が１，５
００μｍの場合、１．５０１μｍのレーザ光を得る為に
は、活性層の光伝搬方向を回折格子の波数ベクトルから
、約２０傾けるだけで良い。なお第１図に示した実施例
の構成をとれば、レーザ出射光導波路部６で、３つの活
性層からのレーザ光を合波して出力する事も容易である
。
第２図は本発明における周期構造と、光導波路の位置関
係を示す原理図である。Ａは一周期の長さがλで屈折率
あるいは発光効率等が周期的に変化している。前記周期
構造の波数ベクトルの方向である。前記光導波路の光伝
搬方向はＢで示さね−Ａの方向とＢの方向はθの角度を
なしている。Ａの方向と一致する光伝搬方向を有する光
導波路では、周期構造によるブラック反射の為波長λ／
２の元モードがたつ。ところで、光伝搬方向がＢの光導
電波路では、波長λ／２ｃｏｓθの光モードがたつ。
係を示す原理図である。Ａは一周期の長さがλで屈折率
あるいは発光効率等が周期的に変化している。前記周期
構造の波数ベクトルの方向である。前記光導波路の光伝
搬方向はＢで示さね−Ａの方向とＢの方向はθの角度を
なしている。Ａの方向と一致する光伝搬方向を有する光
導波路では、周期構造によるブラック反射の為波長λ／
２の元モードがたつ。ところで、光伝搬方向がＢの光導
電波路では、波長λ／２ｃｏｓθの光モードがたつ。
後者の光導波路を活性層とし、電流注入によってレーザ
発振させれば、活性層の屈折率をｎとして、波長λ／２
ｎｃｏｓθのレーザ光を取シ出す事ができる。
発振させれば、活性層の屈折率をｎとして、波長λ／２
ｎｃｏｓθのレーザ光を取シ出す事ができる。
従って、θを適当に選ぶ事によって、いくつかの任意の
波長のレーザ光を、一つの周期構造より取り出す事がで
きる。
波長のレーザ光を、一つの周期構造より取り出す事がで
きる。
発明の効果
以上述べてきた様に、本発明により、光多重通信システ
ムの光源としての波長多重分布帰還型レーザが容易に実
現される。
ムの光源としての波長多重分布帰還型レーザが容易に実
現される。
第１図（ａ） 、 （）））は本発明の一実施例にかか
る３波多重分布帰還型レーザの透視図と断面図、第２図
は本発明における周期構造と光導波路の位置関係を示す
原理図である。 ２・・・・・・回折格子、４ａ、４ｂ、４ａ・・・・・
・活性層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名（（
Ｌ〕
（ｂ）第２図 Ａ ■入
る３波多重分布帰還型レーザの透視図と断面図、第２図
は本発明における周期構造と光導波路の位置関係を示す
原理図である。 ２・・・・・・回折格子、４ａ、４ｂ、４ａ・・・・・
・活性層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名（（
Ｌ〕
（ｂ）第２図 Ａ ■入
Claims (1)
- 周期構造を有する層またはその上層か下層に、前記周期
構造の波数ベクトル方向とは一致しない光伝搬方向を有
する光導波路を形成し、これを活性層とした半導体レー
ザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60264041A JPS62124791A (ja) | 1985-11-25 | 1985-11-25 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60264041A JPS62124791A (ja) | 1985-11-25 | 1985-11-25 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62124791A true JPS62124791A (ja) | 1987-06-06 |
Family
ID=17397726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60264041A Pending JPS62124791A (ja) | 1985-11-25 | 1985-11-25 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62124791A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5319667A (en) * | 1992-04-10 | 1994-06-07 | Alcatel N.V. | Tunable semiconductor laser |
| EP0641053A1 (en) * | 1993-08-30 | 1995-03-01 | AT&T Corp. | Method and apparatus for control of lasing wavelength in distributed feedback lasers |
| EP0704946A1 (de) * | 1994-08-31 | 1996-04-03 | Deutsche Telekom AG | Optoelektronisches Multi-Wellenlängen Bauelement |
| EP1391756A1 (en) * | 2002-08-20 | 2004-02-25 | Agilent Technologies, Inc. - a Delaware corporation - | Wavelength-selective distributed Bragg reflector device |
-
1985
- 1985-11-25 JP JP60264041A patent/JPS62124791A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5319667A (en) * | 1992-04-10 | 1994-06-07 | Alcatel N.V. | Tunable semiconductor laser |
| EP0641053A1 (en) * | 1993-08-30 | 1995-03-01 | AT&T Corp. | Method and apparatus for control of lasing wavelength in distributed feedback lasers |
| US5606573A (en) * | 1993-08-30 | 1997-02-25 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for control of lasing wavelength in distributed feedback lasers |
| EP0704946A1 (de) * | 1994-08-31 | 1996-04-03 | Deutsche Telekom AG | Optoelektronisches Multi-Wellenlängen Bauelement |
| EP1391756A1 (en) * | 2002-08-20 | 2004-02-25 | Agilent Technologies, Inc. - a Delaware corporation - | Wavelength-selective distributed Bragg reflector device |
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