JPH05136521A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH05136521A JPH05136521A JP29615291A JP29615291A JPH05136521A JP H05136521 A JPH05136521 A JP H05136521A JP 29615291 A JP29615291 A JP 29615291A JP 29615291 A JP29615291 A JP 29615291A JP H05136521 A JPH05136521 A JP H05136521A
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- JP
- Japan
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- diffraction grating
- refractive index
- resonator
- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 軸方向ホールバーニングが抑制されたＤＦＢ
レーザに関し，結合定数分布を有す回折格子を，平面的
なリソグラフィで作成することを目的とする。 【構成】 回折格子内７の最大屈折率及び最小屈折率の
平均値である中心屈折率より大きな屈折率を有するライ
ン部５と，中心屈折率より小さな屈折率を有するスペー
ス部６とからなる回折格子７を有する分布帰還型半導体
レーザにおいて，回折格子７の深さ及び周期は，該半導
体レーザの共振器の全長にわたり均一であり，ライン部
５の幅と該スペース部６の幅との比が，共振器の中央部
付近で端部付近よりも１に近くなるように形成されてい
ることを特徴として構成する。
レーザに関し，結合定数分布を有す回折格子を，平面的
なリソグラフィで作成することを目的とする。 【構成】 回折格子内７の最大屈折率及び最小屈折率の
平均値である中心屈折率より大きな屈折率を有するライ
ン部５と，中心屈折率より小さな屈折率を有するスペー
ス部６とからなる回折格子７を有する分布帰還型半導体
レーザにおいて，回折格子７の深さ及び周期は，該半導
体レーザの共振器の全長にわたり均一であり，ライン部
５の幅と該スペース部６の幅との比が，共振器の中央部
付近で端部付近よりも１に近くなるように形成されてい
ることを特徴として構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，光通信に用いられる軸
方向ホールバーニングが抑制された分布帰還型半導体レ
ーザ（以下ＤＦＢレーザという。）に関する。
方向ホールバーニングが抑制された分布帰還型半導体レ
ーザ（以下ＤＦＢレーザという。）に関する。
【０００２】今日、長距離光ファイバー通信に使用され
る単一波長の光源として，共振器内に回折格子を有する
ＤＦＢレーザが多く用いられている。しかし，ＤＦＢレ
ーザは軸方向ホールバーニング現象を発生して，波長安
定性を損なうことがある。
る単一波長の光源として，共振器内に回折格子を有する
ＤＦＢレーザが多く用いられている。しかし，ＤＦＢレ
ーザは軸方向ホールバーニング現象を発生して，波長安
定性を損なうことがある。
【０００３】このため，ホールバーニングを抑制する構
造を有するＤＦＢレーザが要求されている。
造を有するＤＦＢレーザが要求されている。
【０００４】
【従来の技術】ＤＦＢレーザにおける軸方向ホールバー
ニングを抑制する方法として，共振器を構成する回折格
子を，結合定数が共振器の端部付近で小さく共振器の中
央部付近で大きくなるように製作する方法が知られてい
る。
ニングを抑制する方法として，共振器を構成する回折格
子を，結合定数が共振器の端部付近で小さく共振器の中
央部付近で大きくなるように製作する方法が知られてい
る。
【０００５】回折格子は屈折率が異なるライン部とスペ
ース部とが交互に配置されてなる。かかる回折格子の結
合定数の空間的分布は，従来は，ライン部又はスペース
部の深さを，即ち回折格子の深さを場所の関数として変
えることにより結合定数に場所依存性を付与して実現さ
れていた。
ース部とが交互に配置されてなる。かかる回折格子の結
合定数の空間的分布は，従来は，ライン部又はスペース
部の深さを，即ち回折格子の深さを場所の関数として変
えることにより結合定数に場所依存性を付与して実現さ
れていた。
【０００６】例えば，半導体基板表面に，深い凹凸を共
振器の中央部に，浅い凹凸をその両側に形成した後，ガ
イド層を凹凸を埋込み表面が平坦になるように堆積し，
次いでガイド層上に活性層を堆積することにより，ＤＦ
Ｂレーザの活性層とガイド層を挟み結合して共振器を構
成する結合係数が空間的分布をもつ回折格子が製作され
る。
振器の中央部に，浅い凹凸をその両側に形成した後，ガ
イド層を凹凸を埋込み表面が平坦になるように堆積し，
次いでガイド層上に活性層を堆積することにより，ＤＦ
Ｂレーザの活性層とガイド層を挟み結合して共振器を構
成する結合係数が空間的分布をもつ回折格子が製作され
る。
【０００７】また，イオン注入の深さを場所により変え
て同様の回折格子を製作することもできる。しかし，半
導体装置に組み込まれる回折格子は，通常はリソグラフ
ィにエッチング又はイオン注入法を結合した平面的な蝕
刻方法により製造されるから，面内では一様な深さで製
作されるのが一般である。かかる平面的な蝕刻方法をも
って場所により深さの異なるライン部及びスペース部を
形成しても，加工深さを精密に制御することは難しく，
その結果精密な深さ分布を有する回折格子を製作するこ
とは困難である。加えて，回折格子の製造工程は複雑な
ものにならざるを得ない。
て同様の回折格子を製作することもできる。しかし，半
導体装置に組み込まれる回折格子は，通常はリソグラフ
ィにエッチング又はイオン注入法を結合した平面的な蝕
刻方法により製造されるから，面内では一様な深さで製
作されるのが一般である。かかる平面的な蝕刻方法をも
って場所により深さの異なるライン部及びスペース部を
形成しても，加工深さを精密に制御することは難しく，
その結果精密な深さ分布を有する回折格子を製作するこ
とは困難である。加えて，回折格子の製造工程は複雑な
ものにならざるを得ない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の方法で
は，回折格子の結合定数に空間的分布を付与するため
に，回折格子のライン部及びスペース部を共振器の中央
とその周辺とでは異なる深さで形成していた。しかし平
面的なリソグラフによっては深さを精密に加工すること
が難しく，精密な結合定数の分布をもつ回折格子を製作
することができない。このため，軸方向ホールバーニン
グを発生せず発振波長が安定なＤＦＢレーザを容易に製
造できないという欠点がある。
は，回折格子の結合定数に空間的分布を付与するため
に，回折格子のライン部及びスペース部を共振器の中央
とその周辺とでは異なる深さで形成していた。しかし平
面的なリソグラフによっては深さを精密に加工すること
が難しく，精密な結合定数の分布をもつ回折格子を製作
することができない。このため，軸方向ホールバーニン
グを発生せず発振波長が安定なＤＦＢレーザを容易に製
造できないという欠点がある。
【０００９】本発明は，ＤＦＢレーザに組み込まれる回
折格子の結合定数の分布を，リソグラフを用いる平面的
な加工によっても付与できる構造とすることにより，製
造が容易でかつ軸方向ホールバーニングが抑制された分
布帰還型半導体レーザを提供することを目的とする。
折格子の結合定数の分布を，リソグラフを用いる平面的
な加工によっても付与できる構造とすることにより，製
造が容易でかつ軸方向ホールバーニングが抑制された分
布帰還型半導体レーザを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図であり，図１（ａ）はＤＦＢレーザの主要部の断面
を，図１（ｂ）は図１（ａ）中の回折格子７の一部分の
屈折率分布を表している。
図であり，図１（ａ）はＤＦＢレーザの主要部の断面
を，図１（ｂ）は図１（ａ）中の回折格子７の一部分の
屈折率分布を表している。
【００１１】上述した課題を解決するために本発明の構
成は，図１を参照して，回折格子内７の最大屈折率及び
最小屈折率の平均値である中心屈折率より大きな屈折率
を有するライン部５と，該中心屈折率より小さな屈折率
を有するスペース部６とからなる該回折格子７を有する
分布帰還型半導体レーザにおいて，該回折格子７の深さ
及び周期は，該半導体レーザの共振器の全長にわたり均
一であり，該ライン部５の幅と該スペース部６の幅との
比が，該共振器の中央部付近で端部付近よりも１に近く
なるように形成されていることを特徴として構成する。
成は，図１を参照して，回折格子内７の最大屈折率及び
最小屈折率の平均値である中心屈折率より大きな屈折率
を有するライン部５と，該中心屈折率より小さな屈折率
を有するスペース部６とからなる該回折格子７を有する
分布帰還型半導体レーザにおいて，該回折格子７の深さ
及び周期は，該半導体レーザの共振器の全長にわたり均
一であり，該ライン部５の幅と該スペース部６の幅との
比が，該共振器の中央部付近で端部付近よりも１に近く
なるように形成されていることを特徴として構成する。
【００１２】
【作用】回折格子は，その格子内の最大屈折率及び最小
屈折率の平均値である中心屈折率より大きな屈折率のラ
イン部と中心屈折率より小さな屈折率のスペース部とか
ら構成される。
屈折率の平均値である中心屈折率より大きな屈折率のラ
イン部と中心屈折率より小さな屈折率のスペース部とか
ら構成される。
【００１３】かかる回折格子の結合定数は，図１（ｂ）
を参照して，幅ｗL のライン部と幅ｗS のスペース部か
ら一定周期ｐの格子が形成されている場合，ライン部及
びスペース部の深さが一定であっても，ライン部とスペ
ース部の幅の比ｗL ／ｗS により変化する。例えば，回
折格子内の屈折率分布が矩形波状であり，ライン部及び
スペース部内でそれぞれの屈折率が一定である回折格子
の場合は，結合定数はライン部の幅と回折格子の周期と
の比ｗL ／ｐにより図１（ｃ）に示すように変化する。
を参照して，幅ｗL のライン部と幅ｗS のスペース部か
ら一定周期ｐの格子が形成されている場合，ライン部及
びスペース部の深さが一定であっても，ライン部とスペ
ース部の幅の比ｗL ／ｗS により変化する。例えば，回
折格子内の屈折率分布が矩形波状であり，ライン部及び
スペース部内でそれぞれの屈折率が一定である回折格子
の場合は，結合定数はライン部の幅と回折格子の周期と
の比ｗL ／ｐにより図１（ｃ）に示すように変化する。
【００１４】従って，回折格子の深さ（ライン部とスペ
ース部が形成されている層の深さである。）が一定で
も，周期を一定にしたままライン部とスペース部の幅の
比を変えることにより，回折格子の結合定数を変えるこ
とができる。このため，任意の結合定数の分布をもつ回
折格子を平面的な加工により製作することができる。
ース部が形成されている層の深さである。）が一定で
も，周期を一定にしたままライン部とスペース部の幅の
比を変えることにより，回折格子の結合定数を変えるこ
とができる。このため，任意の結合定数の分布をもつ回
折格子を平面的な加工により製作することができる。
【００１５】本発明はかかる原理に基づき考案された。
本発明の構成では，回折格子の深さは一定であり，ライ
ン部とスペース部との幅を場所的に変化する。このた
め，唯一回の通常のリソグラフィとエッチング又はイオ
ン注入による加工により回折格子を製作することができ
るのである。従って製造が容易である。
本発明の構成では，回折格子の深さは一定であり，ライ
ン部とスペース部との幅を場所的に変化する。このた
め，唯一回の通常のリソグラフィとエッチング又はイオ
ン注入による加工により回折格子を製作することができ
るのである。従って製造が容易である。
【００１６】さらに，本発明の構成は，ライン部とスペ
ース部との幅の比ｗL ／ｗS を，共振器の中央部でその
最大値１に近くなるように形成し，共振器端面に近い部
分では１からより小さく又はより大きく形成する。すな
わち，図１（ｃ）を参照して，ｗL ／ｐを中央部で０．
５に近くなるように構成する。かかる構成では，回折格
子の結合係数は共振器の中央で大きく，端面近くでは小
さくなるから，ＤＦＢレーザの軸方向ホールバーニング
を有効に防止できるのである。
ース部との幅の比ｗL ／ｗS を，共振器の中央部でその
最大値１に近くなるように形成し，共振器端面に近い部
分では１からより小さく又はより大きく形成する。すな
わち，図１（ｃ）を参照して，ｗL ／ｐを中央部で０．
５に近くなるように構成する。かかる構成では，回折格
子の結合係数は共振器の中央で大きく，端面近くでは小
さくなるから，ＤＦＢレーザの軸方向ホールバーニング
を有効に防止できるのである。
【００１７】なお，軸方向ホールバーニングを生ずるＤ
ＦＢ半導体レーザであれば，ストライプレーザに限ら
ず，他の構造のＤＦＢ半導体レーザにも本発明を適用す
ることができる。
ＦＢ半導体レーザであれば，ストライプレーザに限ら
ず，他の構造のＤＦＢ半導体レーザにも本発明を適用す
ることができる。
【００１８】
【実施例】本発明を実施例を参照して詳細に説明する。
図２は本発明の実施例断面図であり，図２（ａ）はＤＦ
Ｂレーザの断面を，図２（ｂ）〜（ｅ）はその製造工程
を表している。
図２は本発明の実施例断面図であり，図２（ａ）はＤＦ
Ｂレーザの断面を，図２（ｂ）〜（ｅ）はその製造工程
を表している。
【００１９】本実施例にかかる発振波長が１．５μｍ帯
にあるＤＦＢレーザは，図２（ａ）を参照して，ｎ型Ｉ
ｎＰ基板１とその表面に設けられたｎ型ＩｎＧａＡｓＰ
からなる例えば厚さ０．１５μｍのガイド層２との界面
を矩形の凹凸に形成して，屈折率の高い基板１材料から
なる部分をライン部５とし，屈折率の低いガイド層２材
料からなる部分をスペース部として，回折格子７が構成
される。
にあるＤＦＢレーザは，図２（ａ）を参照して，ｎ型Ｉ
ｎＰ基板１とその表面に設けられたｎ型ＩｎＧａＡｓＰ
からなる例えば厚さ０．１５μｍのガイド層２との界面
を矩形の凹凸に形成して，屈折率の高い基板１材料から
なる部分をライン部５とし，屈折率の低いガイド層２材
料からなる部分をスペース部として，回折格子７が構成
される。
【００２０】ガイド層２上には，ガイド層２に接して厚
さ０．１５μｍのドープされないＩｎＧａＡｓＰからな
る活性層３と，厚さ２．０μｍのｐ型ＩｎＰからなるク
ラッド層４，厚さ０．５μｍのｐ型ＩｎＧａＡｓＰから
なるキャップ層１４とが順次設けられ，キャップ層１４
上に上部電極９が，基板の裏面に下部電極１０が設けら
れる。
さ０．１５μｍのドープされないＩｎＧａＡｓＰからな
る活性層３と，厚さ２．０μｍのｐ型ＩｎＰからなるク
ラッド層４，厚さ０．５μｍのｐ型ＩｎＧａＡｓＰから
なるキャップ層１４とが順次設けられ，キャップ層１４
上に上部電極９が，基板の裏面に下部電極１０が設けら
れる。
【００２１】共振器は，ＤＦＢレーザの両端を平行な反
射面として回折格子を含むファブリペロー共振器を構成
してもよく，またかかる反射面がなく回折格子から構成
される共振器としても差支えない。
射面として回折格子を含むファブリペロー共振器を構成
してもよく，またかかる反射面がなく回折格子から構成
される共振器としても差支えない。
【００２２】本発明の構成では，回折格子７の深さ，即
ち基板１とガイド層２との界面に形成される矩形の凹凸
の深さは，共振器の全体について一定，例えば３０ｎｍ
である。さらに，回折格子７の周期ｐも，共振器の全
長，例えば３００μｍについて一定である。
ち基板１とガイド層２との界面に形成される矩形の凹凸
の深さは，共振器の全体について一定，例えば３０ｎｍ
である。さらに，回折格子７の周期ｐも，共振器の全
長，例えば３００μｍについて一定である。
【００２３】回折格子７を構成するライン部の幅ｗ
s は，共振器の中央部において，共振器長の３分の１の
長さにわたり回折格子の周期ｐの２分の１である。他
方，共振器の中央部の両側にそれぞれ残る共振器長の３
分の一の長さを有する共振器の端部においては，例えば
ライン部の幅ｗs は１８０ｎｍ，回折格子の周期ｐは２
４０ｎｍであり，ｗs ／ｐ＝０．７５である。
s は，共振器の中央部において，共振器長の３分の１の
長さにわたり回折格子の周期ｐの２分の１である。他
方，共振器の中央部の両側にそれぞれ残る共振器長の３
分の一の長さを有する共振器の端部においては，例えば
ライン部の幅ｗs は１８０ｎｍ，回折格子の周期ｐは２
４０ｎｍであり，ｗs ／ｐ＝０．７５である。
【００２４】従って，図１（ｃ）を参照して，共振器の
結合係数は中央で大きく，端部で小さい。このためＤＦ
Ｂレーザの軸方向ホールバーニングを防止できるのであ
る。なお，共振器中央のｗs ／ｐは必ずしも１／２であ
る必要はなく，端部より１／２に近い比であれば軸方向
ホールバーニングを防止する効果を奏する。
結合係数は中央で大きく，端部で小さい。このためＤＦ
Ｂレーザの軸方向ホールバーニングを防止できるのであ
る。なお，共振器中央のｗs ／ｐは必ずしも１／２であ
る必要はなく，端部より１／２に近い比であれば軸方向
ホールバーニングを防止する効果を奏する。
【００２５】かかる本実施例の構造をもつレーザは，以
下の工程により製作することができる。先ず，図２
（ｂ）を参照して，半導体基板１の表面にレジスト１１
を塗布し，２つの入射光１２の照射により生ずる干渉縞
をレジスト１１に露光する。かかる露光において，共振
器の中央部と端部とで露光時間又は露光強度を変えるこ
とにより，ライン部とスペース部の幅の比を変えること
ができる。
下の工程により製作することができる。先ず，図２
（ｂ）を参照して，半導体基板１の表面にレジスト１１
を塗布し，２つの入射光１２の照射により生ずる干渉縞
をレジスト１１に露光する。かかる露光において，共振
器の中央部と端部とで露光時間又は露光強度を変えるこ
とにより，ライン部とスペース部の幅の比を変えること
ができる。
【００２６】次いで，図２（ｃ）を参照して，レジスト
１１を現像して干渉縞に応じたレジストパターンを形成
する。このレジストパターンは干渉縞と同じ一定の周期
を有し，かつレジストパターンの幅は露光量により変化
する。
１１を現像して干渉縞に応じたレジストパターンを形成
する。このレジストパターンは干渉縞と同じ一定の周期
を有し，かつレジストパターンの幅は露光量により変化
する。
【００２７】次いで，図２（ｄ）を参照して，レジスト
パターン１１ａをマスクとするエッチング，例えばイオ
ンエッチングにより回折格子の深さまで基板１をエッチ
ングする。
パターン１１ａをマスクとするエッチング，例えばイオ
ンエッチングにより回折格子の深さまで基板１をエッチ
ングする。
【００２８】なお，等方性エッチングにより正弦状の断
面を形成してもよい。また，斜め入射のイオンエッチン
グにより鋸歯状の断面を形成することもできる。次い
で，図２（ｅ）を参照して，ガイド層２の材料，例えば
ｎ型ＩｎＧａＡｓＰを，上記エッチングされた基板１表
面の凹凸を埋込み堆積する。
面を形成してもよい。また，斜め入射のイオンエッチン
グにより鋸歯状の断面を形成することもできる。次い
で，図２（ｅ）を参照して，ガイド層２の材料，例えば
ｎ型ＩｎＧａＡｓＰを，上記エッチングされた基板１表
面の凹凸を埋込み堆積する。
【００２９】次いで，活性層３，クラッド層４，キャッ
プ層１４を順次堆積する。かかる半導体層の堆積には，
通常半導体レーザで使用されるＣＶＤ法，液相エピタキ
シャル成長法又はＭＢＥ法を使用することができる。
プ層１４を順次堆積する。かかる半導体層の堆積には，
通常半導体レーザで使用されるＣＶＤ法，液相エピタキ
シャル成長法又はＭＢＥ法を使用することができる。
【００３０】最後に，図２（ａ）を参照して，上部電極
９及び下部電極１０を形成して，本実施例にかかるＤＦ
Ｂレーザを完成する。なお，本発明に係る回折格子は，
矩形のみならず，通常回折格子の製作に用いられる形
状，及び方法，例えば鋸歯状，上下非対象な正弦波状の
形状，不純物拡散，電界を印加する方法によって製作さ
れてもよい。
９及び下部電極１０を形成して，本実施例にかかるＤＦ
Ｂレーザを完成する。なお，本発明に係る回折格子は，
矩形のみならず，通常回折格子の製作に用いられる形
状，及び方法，例えば鋸歯状，上下非対象な正弦波状の
形状，不純物拡散，電界を印加する方法によって製作さ
れてもよい。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば，厚さ一定の回折格子の
結合定数を回折格子の平面的パターンにより変えるの
で，ＤＦＢレーザに組み込まれる回折格子の結合定数の
分布を，リソグラフを用いる平面的な加工により付与す
ることができ，製造が容易でかつ軸方向ホールバーニン
グが抑制された分布帰還型半導体レーザを提供すること
ができるので，光通信装置の性能向上に寄与するところ
が大きい。
結合定数を回折格子の平面的パターンにより変えるの
で，ＤＦＢレーザに組み込まれる回折格子の結合定数の
分布を，リソグラフを用いる平面的な加工により付与す
ることができ，製造が容易でかつ軸方向ホールバーニン
グが抑制された分布帰還型半導体レーザを提供すること
ができるので，光通信装置の性能向上に寄与するところ
が大きい。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の実施例断面図
１ 基板 ２ ガイド層 ３ 活性層 ４ クラッド層 ５ ライン部 ６ スペース部 ７ 回折格子 ８ 共振器端面 ９ 上部電極 １０ 下部電極 １１ レジスト １１ａ レジストパターン １２ 入射光 １３ 凹凸パターン １４ キャップ層
Claims (1)
- 【請求項１】 回折格子内（７）の最大屈折率及び最小
屈折率の平均値である中心屈折率より大きな屈折率を有
するライン部（５）と，該中心屈折率より小さな屈折率
を有するスペース部（６）とからなる該回折格子（７）
を有する分布帰還型半導体レーザにおいて， 該回折格子（７）の深さ及び周期は，該半導体レーザの
共振器の全長にわたり均一であり， 該ライン部（５）の幅と該スペース部（６）の幅との比
が，該共振器の中央部付近で端部付近よりも１に近くな
るように形成されていることを特徴とする半導体レー
ザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29615291A JPH05136521A (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29615291A JPH05136521A (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136521A true JPH05136521A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=17829831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29615291A Withdrawn JPH05136521A (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05136521A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0732783A1 (en) * | 1995-03-17 | 1996-09-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser and a method of producing the same |
| JP2001189522A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Nec Corp | 光半導体装置およびその製造方法 |
| US6577660B1 (en) | 1999-07-22 | 2003-06-10 | Nec Corporation | Distributed feedback type semiconductor laser device having gradually-changed coupling coefficient |
| JP2016219614A (ja) * | 2015-05-21 | 2016-12-22 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
-
1991
- 1991-11-13 JP JP29615291A patent/JPH05136521A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0732783A1 (en) * | 1995-03-17 | 1996-09-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser and a method of producing the same |
| US5659562A (en) * | 1995-03-17 | 1997-08-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser including embedded diffraction grating |
| US6577660B1 (en) | 1999-07-22 | 2003-06-10 | Nec Corporation | Distributed feedback type semiconductor laser device having gradually-changed coupling coefficient |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |