JPS6134988A - 半導体レ−ザ - Google Patents
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- JPS6134988A JPS6134988A JP15611684A JP15611684A JPS6134988A JP S6134988 A JPS6134988 A JP S6134988A JP 15611684 A JP15611684 A JP 15611684A JP 15611684 A JP15611684 A JP 15611684A JP S6134988 A JPS6134988 A JP S6134988A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 206010011732 Cyst Diseases 0.000 description 1
- 206010011878 Deafness Diseases 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 208000031513 cyst Diseases 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1203—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers over only a part of the length of the active region
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
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- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
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- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
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- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
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- H01S5/3235—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers
- H01S5/32391—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers based on In(Ga)(As)P
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野） 本発明は波長可変の半導体レーザに関
する。
する。
（従来技術とその問題点） 素子内部に回折格子を有す
る分布帰還型半導体レーザ（以下ＤＦＢＬＤと称する）
は一本の軸モードで発振するため。
る分布帰還型半導体レーザ（以下ＤＦＢＬＤと称する）
は一本の軸モードで発振するため。
長距離大容量Ｑ光フアイバ通信や将来の元コヒーレント
通信システムへの応用が期待される。ところで１元コヒ
ーレント伝送の１つである元へテロダインシステムでは
、ビート信号を得るために局発光源は常に信号光の波長
をある一定の差を保ちながら追従しなくてはならない。
通信システムへの応用が期待される。ところで１元コヒ
ーレント伝送の１つである元へテロダインシステムでは
、ビート信号を得るために局発光源は常に信号光の波長
をある一定の差を保ちながら追従しなくてはならない。
従って、局発光源に用いる単一軸モードレーザには発振
波長の制御性、特に連続した微調制御が要求される。
波長の制御性、特に連続した微調制御が要求される。
このような波長可変単一軸モード半導体レーザの１つに
、昭和５９年春の電子通信学会総合全国大会論文集分冊
４の第１０２４番において、北村らが「位相制御機構を
有するＤＦＢ−ＤＣ−ＰＢＨＬＤＪと題して報告したよ
うな端面位相制御型のＤ−ＦＢＬＤがある。第４図（ａ
）にこの端面位相制御型ＤＦＢＬＤの模式図を示す。回
折格子１が形成されたレー坦 ザ領域２と平艦な制御領域３からなっておシ、制御領域
３側の端面４はへき開により形成され、光の反射率は約
３ＯＮとなって−る。第４図（ｂ）はこの端面位相制御
型ＤＦＢＬＤの発振閾値利得と波長の関係を示したもの
である。発振闇値利得は回折格子１０周期で定まるブラ
ッグ波長の両脇の点Ａ。
、昭和５９年春の電子通信学会総合全国大会論文集分冊
４の第１０２４番において、北村らが「位相制御機構を
有するＤＦＢ−ＤＣ−ＰＢＨＬＤＪと題して報告したよ
うな端面位相制御型のＤ−ＦＢＬＤがある。第４図（ａ
）にこの端面位相制御型ＤＦＢＬＤの模式図を示す。回
折格子１が形成されたレー坦 ザ領域２と平艦な制御領域３からなっておシ、制御領域
３側の端面４はへき開により形成され、光の反射率は約
３ＯＮとなって−る。第４図（ｂ）はこの端面位相制御
型ＤＦＢＬＤの発振閾値利得と波長の関係を示したもの
である。発振闇値利得は回折格子１０周期で定まるブラ
ッグ波長の両脇の点Ａ。
Ｂにおいて極小値をとる。ここで制御領域３側の位相を
増加させると１発振モードは発振閾値利得曲線上を矢印
のようにＡ・−・→Ｂ→Ｃ・・・→Ｉ）４Ａの順に移動
する。この際、ブラッグ波長を挾むＡＢ間において全く
発振モードの存在しない波長域（以下これをストップバ
ンドと称する）ができる。
増加させると１発振モードは発振閾値利得曲線上を矢印
のようにＡ・−・→Ｂ→Ｃ・・・→Ｉ）４Ａの順に移動
する。この際、ブラッグ波長を挾むＡＢ間において全く
発振モードの存在しない波長域（以下これをストップバ
ンドと称する）ができる。
従って、この端面位相制御型ＤＦＢＬＤにおいては制御
領域３側の位相を制御することによシストツブバンドを
挾む２本のモード、即ちＡ−Ｄ間及びＢ−０間に存在す
るモードのどちらか一方を選択的に発振させることが可
能であった。しかし、この端面位相制御型ＤＦＢＬＤで
はストップバンドの存在によ、９Ａ−Ｂ間での連続した
波長制御が不可能であシ、また、Ａ−Ｄ間あるいはＢ
−０間での発振波長の微調が可能であるが、微調制御可
能範囲は波長にしてわずか１λ足らずであり、前述した
ような光ヘテロダインシステムの局発光源等への適用は
不可能であった。
領域３側の位相を制御することによシストツブバンドを
挾む２本のモード、即ちＡ−Ｄ間及びＢ−０間に存在す
るモードのどちらか一方を選択的に発振させることが可
能であった。しかし、この端面位相制御型ＤＦＢＬＤで
はストップバンドの存在によ、９Ａ−Ｂ間での連続した
波長制御が不可能であシ、また、Ａ−Ｄ間あるいはＢ
−０間での発振波長の微調が可能であるが、微調制御可
能範囲は波長にしてわずか１λ足らずであり、前述した
ような光ヘテロダインシステムの局発光源等への適用は
不可能であった。
（発明の目的） 本福明の目的は、連続した波長制御が
可能な半導体レーザを得るととＫある。
可能な半導体レーザを得るととＫある。
（発明の構成） 本発明による半導体レーザの構成は、
活性層及び前記活性層の近くに設けられた回折格子を少
くとも有する積層構造を備えたレーザ領域と、前記レー
ザ領域に光学的に結合する光導波路層を少くとも有する
制御領域とを備え、且つ前記制御領域側の出射端面が光
の反射率５０％以上の高反射率構造をなしていることを
特徴とする。
活性層及び前記活性層の近くに設けられた回折格子を少
くとも有する積層構造を備えたレーザ領域と、前記レー
ザ領域に光学的に結合する光導波路層を少くとも有する
制御領域とを備え、且つ前記制御領域側の出射端面が光
の反射率５０％以上の高反射率構造をなしていることを
特徴とする。
（本発明の作用・原理） 第３図（ａ）に本発明による
波長制御聾半導体レーザの模式図を示す。前述の端面位
相制御型ＤＦＢＬＤと同様に１回折格子１乗 が形成されたレーザ領域２と平折な制御領域３とからな
シ、特徴的な点は制御領域３側の端面４が高反射率端面
になっていることである。この構造のＤＦＢＬＤは高反
射率端面４のミラー効果によυ、第３図Φ）Ｋ示すよう
な２倍の共振器長を有し、素子中央に位相制御領域３′
を持つようなりＦＢＬＤと等価になる。このような素子
中央に位相制御領域３′を有するＤＦＢＬＤに関しては
、既に昭和５９１年春０電子通信学会総合全国大会論ｌ
集分冊４の第１０１７番において宇高らか［２／４シフ
トのグレーティングを有するＤＦＢレーザの発振特性の
検討」と題して報告しておシ、発振閾値利得と波長の関
係は第３図（ｅ）のようになる７この場合、発振閾値利
得性ブラッグ波長（点ｂ）で最小となるため、従来の端
面位相制御型ＤＦＢＬＤのようなストップバンドは存在
しない。従って、発振モードは位相制御領域３′の位相
に応じて１発振閾値利得曲線上のａ−ｃ間の全ての波長
をとシ得ることになる。
波長制御聾半導体レーザの模式図を示す。前述の端面位
相制御型ＤＦＢＬＤと同様に１回折格子１乗 が形成されたレーザ領域２と平折な制御領域３とからな
シ、特徴的な点は制御領域３側の端面４が高反射率端面
になっていることである。この構造のＤＦＢＬＤは高反
射率端面４のミラー効果によυ、第３図Φ）Ｋ示すよう
な２倍の共振器長を有し、素子中央に位相制御領域３′
を持つようなりＦＢＬＤと等価になる。このような素子
中央に位相制御領域３′を有するＤＦＢＬＤに関しては
、既に昭和５９１年春０電子通信学会総合全国大会論ｌ
集分冊４の第１０１７番において宇高らか［２／４シフ
トのグレーティングを有するＤＦＢレーザの発振特性の
検討」と題して報告しておシ、発振閾値利得と波長の関
係は第３図（ｅ）のようになる７この場合、発振閾値利
得性ブラッグ波長（点ｂ）で最小となるため、従来の端
面位相制御型ＤＦＢＬＤのようなストップバンドは存在
しない。従って、発振モードは位相制御領域３′の位相
に応じて１発振閾値利得曲線上のａ−ｃ間の全ての波長
をとシ得ることになる。
従って、第３図（ａ）に示したような制御領域３側の端
面４を高反射率にした構造のＤＦＢＬＤにおいても同様
のことが言え、制御領域３の位相を増加させると、発振
モードは発振閾値利得曲線上をａ→ｂ−＋Ｃ・・・→ａ
と移動し、＆−ｅ間における連続した波長制御が可能と
なる。ａ −ｃ間の間隔は一般に波長にして１０〜２０
λ程度である。
面４を高反射率にした構造のＤＦＢＬＤにおいても同様
のことが言え、制御領域３の位相を増加させると、発振
モードは発振閾値利得曲線上をａ→ｂ−＋Ｃ・・・→ａ
と移動し、＆−ｅ間における連続した波長制御が可能と
なる。ａ −ｃ間の間隔は一般に波長にして１０〜２０
λ程度である。
（実施例） 以下に本発明を図面を用いて詳細に説明す
る。第１図は本発明による一実施例である半導体レーザ
の構造図であり、また第２図はその製作工程を示した構
造図である。符号及び名称は第１図、第２図とも同じで
ある。説明は第２図の製作工程図を用いて行う。第２図
（ａ）ではｎ−１ｎｐ基板１１上のレーザ領域２に相当
する部分にのみ周（ｂ）ではその全面を覆うように波長
組成１．３μｍのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層１２．
波長組成１．５５１！１７ＦｌＯＩｎＧａＡＩＩＰ活性
層１３ 、Ｐ−１ｎＰクラッド層１４を成長した後、制
御領域３に相当する部分のＰ−ＩｎＰクラッド層１４及
び１ｎＱａＡｓＰ活性層１３をエツチングにより除去す
る。このようにして製作したウェハを第２図（ｃ）では
ＩｎＧ４Ａ８Ｐ活性層１３よシ深い、２本の平行な溝１
５と、それによシ挾まれるメサストライプ１６を形成す
る。第２図（ｄ）ではメサストライプ１６の上部を除い
てＰ −ｒｎｐブロック層ｉ’ｙ、ｎ−ＩＨｐブロック
層１８．全面を覆うよう１Ｃｐ−ＩｎＰＪ］ｌめ込み層
１９ ＋ Ｐ −ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２０を順次
エピタキシャル成長させる。各層の厚さは、ｎ −Ｉｎ
ＧａＡｓＰ光導波路層１２が０．２ μｍ 。
る。第１図は本発明による一実施例である半導体レーザ
の構造図であり、また第２図はその製作工程を示した構
造図である。符号及び名称は第１図、第２図とも同じで
ある。説明は第２図の製作工程図を用いて行う。第２図
（ａ）ではｎ−１ｎｐ基板１１上のレーザ領域２に相当
する部分にのみ周（ｂ）ではその全面を覆うように波長
組成１．３μｍのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層１２．
波長組成１．５５１！１７ＦｌＯＩｎＧａＡＩＩＰ活性
層１３ 、Ｐ−１ｎＰクラッド層１４を成長した後、制
御領域３に相当する部分のＰ−ＩｎＰクラッド層１４及
び１ｎＱａＡｓＰ活性層１３をエツチングにより除去す
る。このようにして製作したウェハを第２図（ｃ）では
ＩｎＧ４Ａ８Ｐ活性層１３よシ深い、２本の平行な溝１
５と、それによシ挾まれるメサストライプ１６を形成す
る。第２図（ｄ）ではメサストライプ１６の上部を除い
てＰ −ｒｎｐブロック層ｉ’ｙ、ｎ−ＩＨｐブロック
層１８．全面を覆うよう１Ｃｐ−ＩｎＰＪ］ｌめ込み層
１９ ＋ Ｐ −ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２０を順次
エピタキシャル成長させる。各層の厚さは、ｎ −Ｉｎ
ＧａＡｓＰ光導波路層１２が０．２ μｍ 。
Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ活性層１３が０．１／Ｊｍ ＊ Ｐ
−ＩｎＰクラッド炬 層１４が１μｍ、平掟部におけるＰ −ＩｎＰブロック
ｒ−１７が１μ７Ｈ，ｎ−ＩｎＰブロック層１８が０．
５／ＡｍｐＰ −ＩｎＰ埋め込み層１９が２１Ｊｍｌ
Ｐ −ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２０が１μｍ程度であ
る。第２図（ｅ）ではこのように裏作した半導体レーザ
ウエノ・のｎ側にｎ側電極２１を形成し、またｐ側には
レーザ領域２及び制御領域３それぞれの上に駆動電極２
２．制御電極２３を形成する。レーザ領域２と制御領域
３との間の′電気的アイソＶ−ジョンをよくするために
、２つのｎ側電極２２．２３の間にはキャップ層２０よ
シ深い溝２４を形成する。′また。制御項域３側の端面
には絶縁膜である３ｉ０を膜２５と、その上にＡｕ膜２
６を形成することによって、光の反射率は９５％以上と
なっている。以上の工程により第１図で示したような半
導体レーザが製作できる。
−ＩｎＰクラッド炬 層１４が１μｍ、平掟部におけるＰ −ＩｎＰブロック
ｒ−１７が１μ７Ｈ，ｎ−ＩｎＰブロック層１８が０．
５／ＡｍｐＰ −ＩｎＰ埋め込み層１９が２１Ｊｍｌ
Ｐ −ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２０が１μｍ程度であ
る。第２図（ｅ）ではこのように裏作した半導体レーザ
ウエノ・のｎ側にｎ側電極２１を形成し、またｐ側には
レーザ領域２及び制御領域３それぞれの上に駆動電極２
２．制御電極２３を形成する。レーザ領域２と制御領域
３との間の′電気的アイソＶ−ジョンをよくするために
、２つのｎ側電極２２．２３の間にはキャップ層２０よ
シ深い溝２４を形成する。′また。制御項域３側の端面
には絶縁膜である３ｉ０を膜２５と、その上にＡｕ膜２
６を形成することによって、光の反射率は９５％以上と
なっている。以上の工程により第１図で示したような半
導体レーザが製作できる。
第１図で示した半導体レーザはレーザ領域２に注入する
駆動電流工、によ多波長１．５５μｍ付近で単一軸モー
ドで発振する。また、制御領域３に制御電流Ｉ、を注入
すると、プラズマ効果が生じて制御領域３側の屈折率が
低下し、同時に制御領域３側の位相量も低下する。従っ
て、第３図（Ｃ）において、発振モードは制御領域３側
位相量の低下に伴って、Ｃ−＋ ｌ） −＋ ＆ ・→
Ｃの順で変化し、制御電流Ｉ、によってａ −６間にお
いて連続した波長制御が可能となる。
駆動電流工、によ多波長１．５５μｍ付近で単一軸モー
ドで発振する。また、制御領域３に制御電流Ｉ、を注入
すると、プラズマ効果が生じて制御領域３側の屈折率が
低下し、同時に制御領域３側の位相量も低下する。従っ
て、第３図（Ｃ）において、発振モードは制御領域３側
位相量の低下に伴って、Ｃ−＋ ｌ） −＋ ＆ ・→
Ｃの順で変化し、制御電流Ｉ、によってａ −６間にお
いて連続した波長制御が可能となる。
実際にレーザ領域２の長さが約３００μｍ、制御領域３
の長さが約２００μｍの素子を製作したところ、発振波
長１．５５μｍ付近において、３０ｍＡの制御電流Ｉ！
によ多波長にして約１５大の幅で連続した波長制御を実
現することができた。
の長さが約２００μｍの素子を製作したところ、発振波
長１．５５μｍ付近において、３０ｍＡの制御電流Ｉ！
によ多波長にして約１５大の幅で連続した波長制御を実
現することができた。
尚、本実施例においてはＩｎＰ／ ＩｎＧａＡｓＰから
なる半導体材料を用いたが、半導体材料はこれに限らず
ＧａＡａ ／ ＡＪＧａＡ！１等でもよい。また、本実
施例では発振波長１．５５μｍ帯のものを示したが、発
振波長はこれに限らず例えば１．３μｍ帯であれば、回
折格子１の周期を約２０００＾ｔ ｎ −ＩｎＧａＡｓ
Ｐ光導波路層１２の波長組成を、１６１μｍ 、 Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層の波長組成を１．３μｍとすればよい
。更に本実施例では、光導波路層１２が活性層１３の下
に４４が、光導波路層１２は活性層１３の上側にあって
もよく、その場合回折格子ｌは光導波路層１２の上側に
形成してもよい。本実施例では、制御領域３側に活性層
１３を形成しなかったが、活性層１３は制御領域３側に
もあってよい。本実施例では制御領域３側端面の反射率
を高くするために、絶縁膜であるＳｔＯ，膜２５とその
上にＡｕ膜２６を形成したが、他の薄膜１例えば絶縁膜
２５はＳｉＮ膜、Ｓｉ膜等の薄膜、反射膜２６はＡ１等
の金属膜からなってもよい。また、ＳｉＮ膜、Ｓｉ膜な
どの誘電体多層膜で高反射率端面を構成してもよい。ま
た、波長制御性に対する制御領域３側端面の反射率の影
響を調べたところ、３０〜５０χ程度の反射率において
も連続した波長制御ができないことは々いが、非常に不
安定で１、モードジャンプが生じ易かった。これに対し
５０％以上の反射率の場合には安定した波長制御特性が
得られており、従って制御領域３側端面の反射率は５０
％以上であればよい。
なる半導体材料を用いたが、半導体材料はこれに限らず
ＧａＡａ ／ ＡＪＧａＡ！１等でもよい。また、本実
施例では発振波長１．５５μｍ帯のものを示したが、発
振波長はこれに限らず例えば１．３μｍ帯であれば、回
折格子１の周期を約２０００＾ｔ ｎ −ＩｎＧａＡｓ
Ｐ光導波路層１２の波長組成を、１６１μｍ 、 Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層の波長組成を１．３μｍとすればよい
。更に本実施例では、光導波路層１２が活性層１３の下
に４４が、光導波路層１２は活性層１３の上側にあって
もよく、その場合回折格子ｌは光導波路層１２の上側に
形成してもよい。本実施例では、制御領域３側に活性層
１３を形成しなかったが、活性層１３は制御領域３側に
もあってよい。本実施例では制御領域３側端面の反射率
を高くするために、絶縁膜であるＳｔＯ，膜２５とその
上にＡｕ膜２６を形成したが、他の薄膜１例えば絶縁膜
２５はＳｉＮ膜、Ｓｉ膜等の薄膜、反射膜２６はＡ１等
の金属膜からなってもよい。また、ＳｉＮ膜、Ｓｉ膜な
どの誘電体多層膜で高反射率端面を構成してもよい。ま
た、波長制御性に対する制御領域３側端面の反射率の影
響を調べたところ、３０〜５０χ程度の反射率において
も連続した波長制御ができないことは々いが、非常に不
安定で１、モードジャンプが生じ易かった。これに対し
５０％以上の反射率の場合には安定した波長制御特性が
得られており、従って制御領域３側端面の反射率は５０
％以上であればよい。
更に、本実施例においては駆動電極２２と制御電極２３
との間の電気的アイソレージ目ンをよくするために、両
電極２２．２３間にＰ −ＩｎＧａＡｓＰキャップ層よ
り深い溝２４を形成したが１例えば、両電極２２．２３
間にイオン打ち込みによるｐ−ｎ反転層を形成してもよ
い。
との間の電気的アイソレージ目ンをよくするために、両
電極２２．２３間にＰ −ＩｎＧａＡｓＰキャップ層よ
り深い溝２４を形成したが１例えば、両電極２２．２３
間にイオン打ち込みによるｐ−ｎ反転層を形成してもよ
い。
（発明の効果） 本発Ｆ！ＡＫよる単一軸モード複合形
半導体レーザ装置において、波長にして約１５大の幅で
連続した波長制御を実現することができた。この波長可
変の単一軸モード複合形半導体レーｆｕ光ヘテロダイン
システムの局発光源等への適用が可能な他、波長多重伝
送用光源２周波数変調伝送用光源等への適用も期待され
る。
半導体レーザ装置において、波長にして約１５大の幅で
連続した波長制御を実現することができた。この波長可
変の単一軸モード複合形半導体レーｆｕ光ヘテロダイン
システムの局発光源等への適用が可能な他、波長多重伝
送用光源２周波数変調伝送用光源等への適用も期待され
る。
第１図は本発明の一実施例である単一軸モード複合形半
導体レーザ装置の構造図であシ、第２図はその製作工程
を示した構造図である。符号及び名称は第１図第２図と
も同じであシ、１は回折格子、２はレーザ領域、３は制
御領域、１１は’ｎ−ＩｎＰ基板、１２はｎ −ＩｎＱ
ａＡｓＰ光導波路層、１３はＩｎＧａＡｓＰ活性層、１
４はＰ −ＩｎＰクラッド層。 １５は２本の平行な溝、１６はメサストライプ。 １７はＰ −ＩｎＰブロック層、１８はｎ −ＩｎＰブ
ロック層、１９はＰ −ＩｎＰ埋め込み層、２０はＰ−
ＪｎＧａＡｓＰキａｒｙプ層、２１はｎ側電極、２２は
駆動電極、２３は制御電極、２４は電極を分離する溝。 ２５はＳ ｉＯ，膜、２６はＡｕ膜ｅ ＩＩは駆動電流
ｐ１１は制御電流である。第３図は本発明による単一軸
モード複合形半導体レーザ装置の動作原理を示す図であ
シ、第３図（ａ）は本発明による単一軸モード複合型半
導体レーザ装置の模式図、第３図の）はそれと等価な素
子の模式図であシ、第３図（ｅ）は発振閾値利得と波長
の関係を示したものである。第４図は従来の端面位相制
御盤ＤＦＢＬＤの動作原理を示す図であシ、第４図（ａ
）はその模式図、第４図中〕は発振閾値利得と波長の関
係を示したものである。 ■瑛人弁理士 内原 習 ！′！（］ −Ｊ ポ 第２図 （ｅ） 第３図 ノフツン；ｔ！ｉう
導体レーザ装置の構造図であシ、第２図はその製作工程
を示した構造図である。符号及び名称は第１図第２図と
も同じであシ、１は回折格子、２はレーザ領域、３は制
御領域、１１は’ｎ−ＩｎＰ基板、１２はｎ −ＩｎＱ
ａＡｓＰ光導波路層、１３はＩｎＧａＡｓＰ活性層、１
４はＰ −ＩｎＰクラッド層。 １５は２本の平行な溝、１６はメサストライプ。 １７はＰ −ＩｎＰブロック層、１８はｎ −ＩｎＰブ
ロック層、１９はＰ −ＩｎＰ埋め込み層、２０はＰ−
ＪｎＧａＡｓＰキａｒｙプ層、２１はｎ側電極、２２は
駆動電極、２３は制御電極、２４は電極を分離する溝。 ２５はＳ ｉＯ，膜、２６はＡｕ膜ｅ ＩＩは駆動電流
ｐ１１は制御電流である。第３図は本発明による単一軸
モード複合形半導体レーザ装置の動作原理を示す図であ
シ、第３図（ａ）は本発明による単一軸モード複合型半
導体レーザ装置の模式図、第３図の）はそれと等価な素
子の模式図であシ、第３図（ｅ）は発振閾値利得と波長
の関係を示したものである。第４図は従来の端面位相制
御盤ＤＦＢＬＤの動作原理を示す図であシ、第４図（ａ
）はその模式図、第４図中〕は発振閾値利得と波長の関
係を示したものである。 ■瑛人弁理士 内原 習 ！′！（］ −Ｊ ポ 第２図 （ｅ） 第３図 ノフツン；ｔ！ｉう
Claims (1)
- 活性層及び前記活性層の近くに設けられた回折格子を少
くとも有するレーザ領域と、前記レーザ領域に光学的に
結合している光導波路層を少くとも有する制御領域と、
前記制御領域側の光導波路層に直流注入する手段とを少
くとも備え、且つ前記制御領域側の出射端面が光の反射
率５０％以上の高反射率構造をなしていることを特徴と
する半導体レーザ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15611684A JPS6134988A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 半導体レ−ザ |
| US06/758,238 US4751710A (en) | 1984-07-26 | 1985-07-24 | Semiconductor laser device |
| CA000487530A CA1253946A (en) | 1984-07-26 | 1985-07-25 | Semiconductor laser device |
| DE8585109337T DE3584330D1 (de) | 1984-07-26 | 1985-07-25 | Halbleiterlaservorrichtung. |
| EP85109337A EP0169567B1 (en) | 1984-07-26 | 1985-07-25 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15611684A JPS6134988A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6134988A true JPS6134988A (ja) | 1986-02-19 |
Family
ID=15620662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15611684A Pending JPS6134988A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6134988A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6333891A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-13 | Sony Corp | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
| JPH02156691A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2019004106A (ja) * | 2017-06-19 | 2019-01-10 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケード半導体レーザ、発光装置、半導体レーザを作製する方法 |
| JP2022506323A (ja) * | 2018-11-05 | 2022-01-17 | 華為技術有限公司 | 外部反射戻り光耐性レーザ |
| US11374380B2 (en) * | 2017-12-15 | 2022-06-28 | Horiba, Ltd. | Semiconductor laser |
-
1984
- 1984-07-26 JP JP15611684A patent/JPS6134988A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6333891A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-13 | Sony Corp | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
| JPH02156691A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2019004106A (ja) * | 2017-06-19 | 2019-01-10 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケード半導体レーザ、発光装置、半導体レーザを作製する方法 |
| US11374380B2 (en) * | 2017-12-15 | 2022-06-28 | Horiba, Ltd. | Semiconductor laser |
| JP2022506323A (ja) * | 2018-11-05 | 2022-01-17 | 華為技術有限公司 | 外部反射戻り光耐性レーザ |
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