JPS61100991A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
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- JPS61100991A JPS61100991A JP59223576A JP22357684A JPS61100991A JP S61100991 A JPS61100991 A JP S61100991A JP 59223576 A JP59223576 A JP 59223576A JP 22357684 A JP22357684 A JP 22357684A JP S61100991 A JPS61100991 A JP S61100991A
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- Japan
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- laser
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- semiconductor laser
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、回折格子がか成され単−縦モードでレーザ発
振する発振波長６６０〜８９０ ｎｍの分布帰還形また
は分布ブラッグ反射形半導体レーザ素子に関するもので
ある。
振する発振波長６６０〜８９０ ｎｍの分布帰還形また
は分布ブラッグ反射形半導体レーザ素子に関するもので
ある。
〈従来技術〉
光ファイバを利用した光情報伝送システムあるいは光計
測システムにおける光源として半導体レーザ装置を利用
する場合には、半導体レーザ装置は単−縦モードで発振
する動作特性をもつことが望ましい。単−縦モードのレ
ーザ発振特性を得るためのレーザ素子構造としては、活
性領域もしくは活性領域に近接して周期的な凹凸形状の
回折格子を形成した分布帰還形または分布ブラッグ反射
形のレーザ素子が知られている。
測システムにおける光源として半導体レーザ装置を利用
する場合には、半導体レーザ装置は単−縦モードで発振
する動作特性をもつことが望ましい。単−縦モードのレ
ーザ発振特性を得るためのレーザ素子構造としては、活
性領域もしくは活性領域に近接して周期的な凹凸形状の
回折格子を形成した分布帰還形または分布ブラッグ反射
形のレーザ素子が知られている。
第１図に従来の一般的な分布帰還形半導体レーザ素子の
構造を示す。ｎ型１ｎＰ基板１上にｎ型ＩｎＰクラッド
層（緩衝層）２、ノンドープＩｎＧａＰＡｓ活性層３、
ｐ型１ｎＧａＰＡｓ光ガイド層４、ｐ型ＩｎＰクラッド
層５及びｐ型Ｉｎ ＧａＰＡｓキャップ層６が順次積層
されている。またキャップ層６と基板１にはそれぞれｐ
側及びｎ側のオーミック電極７，８が形成され、レーザ
発振動作用回折格子は光ガイド層４の上面に形成されて
いる。このレーザ素子は発振波長１．３００ｎｍのＩｎ
ＧａＰＡｓ／ＩｎＰｎＧａＰＡｓ／Ｉｎ溝体レーザとし
ては長波長の発振特性を有する。一方これに対して一般
的に用いられる発振波長８９０ｎｍ以下の半導体レーザ
においても同様な構造のものが考えられる。この場合の
レーザ素子は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｌＡ
ｓクラッド層２・、ノンドープＧａＡｓまたはＧａＡＡ
ｉＡｓ活性層３、ｐ型ＧａＡｌＡｓ光ガイド層４、ｐ型
Ｇ ａＡ６Ａｓクラッド層５、ｐ型ＧａＡｓキャップ層
６を順次積層した構造のものとなる。しかしながらこの
場合の構造はＧａ ＡＩ！Ａｓ光ガイド層４上に回折格
子を形成し、その上にＧａＡ＃Ａｓクラッド層５を成長
さすることになシ、従って、ＧａＡｌＡｓのようなＡｌ
ｔ成分として含む結晶は空気中で容易に酸化して瞬時に
酸化膜を形成する性質を有するためＧａＡＪｉ！Ａｓ
上への結晶の再成長を困難なものとする。従って発振波
長８９０ ｎｍ以下のレーザ素子においては回折格子を
形成した半導体レーザの技術はまだ充分に確立されてい
ないのが実情である。
構造を示す。ｎ型１ｎＰ基板１上にｎ型ＩｎＰクラッド
層（緩衝層）２、ノンドープＩｎＧａＰＡｓ活性層３、
ｐ型１ｎＧａＰＡｓ光ガイド層４、ｐ型ＩｎＰクラッド
層５及びｐ型Ｉｎ ＧａＰＡｓキャップ層６が順次積層
されている。またキャップ層６と基板１にはそれぞれｐ
側及びｎ側のオーミック電極７，８が形成され、レーザ
発振動作用回折格子は光ガイド層４の上面に形成されて
いる。このレーザ素子は発振波長１．３００ｎｍのＩｎ
ＧａＰＡｓ／ＩｎＰｎＧａＰＡｓ／Ｉｎ溝体レーザとし
ては長波長の発振特性を有する。一方これに対して一般
的に用いられる発振波長８９０ｎｍ以下の半導体レーザ
においても同様な構造のものが考えられる。この場合の
レーザ素子は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｌＡ
ｓクラッド層２・、ノンドープＧａＡｓまたはＧａＡＡ
ｉＡｓ活性層３、ｐ型ＧａＡｌＡｓ光ガイド層４、ｐ型
Ｇ ａＡ６Ａｓクラッド層５、ｐ型ＧａＡｓキャップ層
６を順次積層した構造のものとなる。しかしながらこの
場合の構造はＧａ ＡＩ！Ａｓ光ガイド層４上に回折格
子を形成し、その上にＧａＡ＃Ａｓクラッド層５を成長
さすることになシ、従って、ＧａＡｌＡｓのようなＡｌ
ｔ成分として含む結晶は空気中で容易に酸化して瞬時に
酸化膜を形成する性質を有するためＧａＡＪｉ！Ａｓ
上への結晶の再成長を困難なものとする。従って発振波
長８９０ ｎｍ以下のレーザ素子においては回折格子を
形成した半導体レーザの技術はまだ充分に確立されてい
ないのが実情である。
〈発明の目的〉
本発明は、ＧａＡｌＡｓの代シにＩｎＧａＰＡｓを回折
格子形成用材料として用いることにより、発振波長８９
０ｎｍ以下のレーザ素子においても回會格′ｆ−を形成
した後、この上への再成長を容易にし、良好な素子特性
を有する新規な分布帰還形あるいは分布ブラッグ反射形
の半導体レーザ素子分提供することを目的とする。
格子形成用材料として用いることにより、発振波長８９
０ｎｍ以下のレーザ素子においても回會格′ｆ−を形成
した後、この上への再成長を容易にし、良好な素子特性
を有する新規な分布帰還形あるいは分布ブラッグ反射形
の半導体レーザ素子分提供することを目的とする。
〈実施例１〉
本発明の１実施例について第１図とともに説明する。ｎ
型ＧａＡｓ 基板１上にｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２
、ノンドープＧａＡｓ活性層３、ｐ型Ｉ ｎ Ｇａ Ｐ
Ａｓ光光ガイド層４液液相エピタキシヤμ成長法よシ
連続的に成長させる。ここで、光ガイドＭ４は禁制帯幅
、屈折率ともに活性層３とクラッド層２双方の中間の値
を有する４元混晶である。次に、光ガイド層４上にホト
レジスト膜を塗布し、紫外線レーザを用いた干渉露光に
より、周期２５００Ａでホトレジストの回折格子を形成
する、これをマスクとして化学エツチングによシ光ガイ
ド層４上に溝を刻設し、ホトレジスト膜を除去する。以
上によシ光ガイド層４上に周期２５００人の凹凸状回折
略字が形成される。この表面に回折格子を備えた光ガイ
ド層４上に同様の液相エピタキシャル成長法によシル型
Ｇ’ａ Ａｌ’Ａ ｓクラッド層５、ｐ型ＧａＡｓキャ
ップＭ６’ｔ、順次成長させた後、キャップ層６上及び
基板１上にそれぞれオーミック性金属電極７，８を形成
する。
型ＧａＡｓ 基板１上にｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２
、ノンドープＧａＡｓ活性層３、ｐ型Ｉ ｎ Ｇａ Ｐ
Ａｓ光光ガイド層４液液相エピタキシヤμ成長法よシ
連続的に成長させる。ここで、光ガイドＭ４は禁制帯幅
、屈折率ともに活性層３とクラッド層２双方の中間の値
を有する４元混晶である。次に、光ガイド層４上にホト
レジスト膜を塗布し、紫外線レーザを用いた干渉露光に
より、周期２５００Ａでホトレジストの回折格子を形成
する、これをマスクとして化学エツチングによシ光ガイ
ド層４上に溝を刻設し、ホトレジスト膜を除去する。以
上によシ光ガイド層４上に周期２５００人の凹凸状回折
略字が形成される。この表面に回折格子を備えた光ガイ
ド層４上に同様の液相エピタキシャル成長法によシル型
Ｇ’ａ Ａｌ’Ａ ｓクラッド層５、ｐ型ＧａＡｓキャ
ップＭ６’ｔ、順次成長させた後、キャップ層６上及び
基板１上にそれぞれオーミック性金属電極７，８を形成
する。
上記実施例において、ダブルへテロ接合レーザ動作用多
層結晶構造を構成する各層は、活性層３がＧ ａ Ａ”
ｓから成り、クラッド層２，５がＧａ１−ＸＡ１１ｘｋ
ｓの混晶で混晶比Ｘが０．２以上に設定された層より成
る。この場合の発振波長は約８９０ｎｍとなる。また光
ガイド層４はＩ ｎｌ−ｙ Ｇａｙ Ｐ、−ｚＡｓｚの
４元混晶で各混晶比は０．６８≦ｙ≦１．０．３４≦ｚ
≦１．ｚ＝２．０４ｙ−１，０４の範囲で選択され、禁
制帯幅及び屈折率が活性層３とクラッド層２．５の中間
の値となるように設定される。発振波長８９０ ｎｍ以
下とするためには活性層３とクラッド層２．５の組成は
上記以外に、活性層３をＧａ１−ＸＡＩＸＡＳで渦成し
混晶比Ｘを０≦ｘ≦０．４の範囲で選定するとともにク
ラッド層２．５をＧａ１−ｘＡＩＸＡＳで構成しその混
晶比Ｘを活性層３−よシも高い０．２≦ｘ≦１の範囲で
選定し活性層３に対してバンドギャップエネルギーが０
．３・ｅＶ以上の差を有するように設定しても艮い。こ
のような範囲で適宜混晶比を選定することにより発振波
長が６６０ ｎｍから８９０ ｎｍのレーザ素子が得ら
れる。発振波長をこの範囲に収めるための材料としては
ＧａＡｓ−ＧａＡｌＡｓの他活性層３としてＩｎ１−、
Ｇａ、Ｐ、−ｚＡｓｚを使用し各混晶比を０．５１≦ｙ
≦１，０≦ｚ≦１．ｚ＝２．０４ｙ−１，０４の範囲で
選定しまたクラッド層２．５としてＩｎ、−ｙ”ＹＰｌ
−ｚＡｓｚを使用し各混晶比ｉ０．５１≦ｙ≦０．８１
．０≦ｚ≦０．６． ｚ＝２．０４ｙ−１，０４の範
囲で選定してもよい。光ガイドＮ４は従来のＡｌの酸化
を回避するためＧａＡｎＡｓは使用せずＩｎ１−ｙ Ｇ
ａｙＰ、−２Ａｓｚ （ｚ ＝ ２．０４ ｙ １．
０４ ）の４元混晶とし、活性層３とクラッド層２．５
の双方の材料を選定することによシその混晶化分決定す
る。
層結晶構造を構成する各層は、活性層３がＧ ａ Ａ”
ｓから成り、クラッド層２，５がＧａ１−ＸＡ１１ｘｋ
ｓの混晶で混晶比Ｘが０．２以上に設定された層より成
る。この場合の発振波長は約８９０ｎｍとなる。また光
ガイド層４はＩ ｎｌ−ｙ Ｇａｙ Ｐ、−ｚＡｓｚの
４元混晶で各混晶比は０．６８≦ｙ≦１．０．３４≦ｚ
≦１．ｚ＝２．０４ｙ−１，０４の範囲で選択され、禁
制帯幅及び屈折率が活性層３とクラッド層２．５の中間
の値となるように設定される。発振波長８９０ ｎｍ以
下とするためには活性層３とクラッド層２．５の組成は
上記以外に、活性層３をＧａ１−ＸＡＩＸＡＳで渦成し
混晶比Ｘを０≦ｘ≦０．４の範囲で選定するとともにク
ラッド層２．５をＧａ１−ｘＡＩＸＡＳで構成しその混
晶比Ｘを活性層３−よシも高い０．２≦ｘ≦１の範囲で
選定し活性層３に対してバンドギャップエネルギーが０
．３・ｅＶ以上の差を有するように設定しても艮い。こ
のような範囲で適宜混晶比を選定することにより発振波
長が６６０ ｎｍから８９０ ｎｍのレーザ素子が得ら
れる。発振波長をこの範囲に収めるための材料としては
ＧａＡｓ−ＧａＡｌＡｓの他活性層３としてＩｎ１−、
Ｇａ、Ｐ、−ｚＡｓｚを使用し各混晶比を０．５１≦ｙ
≦１，０≦ｚ≦１．ｚ＝２．０４ｙ−１，０４の範囲で
選定しまたクラッド層２．５としてＩｎ、−ｙ”ＹＰｌ
−ｚＡｓｚを使用し各混晶比ｉ０．５１≦ｙ≦０．８１
．０≦ｚ≦０．６． ｚ＝２．０４ｙ−１，０４の範
囲で選定してもよい。光ガイドＮ４は従来のＡｌの酸化
を回避するためＧａＡｎＡｓは使用せずＩｎ１−ｙ Ｇ
ａｙＰ、−２Ａｓｚ （ｚ ＝ ２．０４ ｙ １．
０４ ）の４元混晶とし、活性層３とクラッド層２．５
の双方の材料を選定することによシその混晶化分決定す
る。
本実施例においては光ガイド層４としてＩｎＧａＰＡｓ
を用いているため、後の回折格子を形成するホトエツチ
ング等の加工に際して光力イト層表面が酸化することな
く再成長が容易に行われ、再現性よく高品質の分布帰還
形レーザ素子を得ることができる。
を用いているため、後の回折格子を形成するホトエツチ
ング等の加工に際して光力イト層表面が酸化することな
く再成長が容易に行われ、再現性よく高品質の分布帰還
形レーザ素子を得ることができる。
ｐ側電極８及びｎ側電極７を介してレーザ索子内へキャ
リアを注入すると活性層３でレーザ動作が開始され発振
波長６６０ｎｍ−８９０ｎｍのレーザ光が出力される。
リアを注入すると活性層３でレーザ動作が開始され発振
波長６６０ｎｍ−８９０ｎｍのレーザ光が出力される。
レーザ光は図中の左右方向を共振方向とし左右の端面よ
シ放射される。光ガイド層４に形成された同期的な回折
格子によって共振長が定まり、放射されるレーザ光は単
−縦モードの発振状態となる。従って光ファイバー等を
用いた情報伝送用光源として適する出力特性を有するレ
ーザ装置が得られる。
シ放射される。光ガイド層４に形成された同期的な回折
格子によって共振長が定まり、放射されるレーザ光は単
−縦モードの発振状態となる。従って光ファイバー等を
用いた情報伝送用光源として適する出力特性を有するレ
ーザ装置が得られる。
尚、分布帰還形レーザ素子以外に分布フ゛ラング反射形
半導体レーザ素子に対しても本発明は同様に適用可能で
ある。
半導体レーザ素子に対しても本発明は同様に適用可能で
ある。
〈実施例２〉
ｎ型ＧａＡｓ基板ｌｌ上にｎ型ＩｎＧａＰクラッド層１
２を成長させ、このＩｎＧａＰクラッド層１２上に実施
例１と同様の手段により回折格子を形成した後、ｎ型Ｉ
ｎＧａＰＡｓ光ガイド層１３、ノンドープＧａＡｓ活性
層１４、ｎ型ＩｎＧａＰクラッド層上５、ｐ型ＧａＡｓ
キャップ層１６を順次エピタキシャル成長させる。本実
施例では回折格子をｎ型ＩｎＧａＰクラッド層上に形成
しておシ、この点で実施例１と相違するが実施例１のＩ
ｎＧａＰＡｓ光ガイド層に回折格子を形成した場合と同
様に酸化はなく、回折格子上への再成長が容易である。
２を成長させ、このＩｎＧａＰクラッド層１２上に実施
例１と同様の手段により回折格子を形成した後、ｎ型Ｉ
ｎＧａＰＡｓ光ガイド層１３、ノンドープＧａＡｓ活性
層１４、ｎ型ＩｎＧａＰクラッド層上５、ｐ型ＧａＡｓ
キャップ層１６を順次エピタキシャル成長させる。本実
施例では回折格子をｎ型ＩｎＧａＰクラッド層上に形成
しておシ、この点で実施例１と相違するが実施例１のＩ
ｎＧａＰＡｓ光ガイド層に回折格子を形成した場合と同
様に酸化はなく、回折格子上への再成長が容易である。
キャップ層１６及び基板１１上にそれぞれオーミック電
極１７．１８を形成することによりレーザ素子が作製さ
れる。
極１７．１８を形成することによりレーザ素子が作製さ
れる。
本実施例においてもオーミック電極１７．１８を介して
キャリアを注入することによシ発振波長８９０ ｎｍ以
下の単−縦モードレーザ発振が得られる。レーザ光は図
中の左右方向の端面よシ放射される。
キャリアを注入することによシ発振波長８９０ ｎｍ以
下の単−縦モードレーザ発振が得られる。レーザ光は図
中の左右方向の端面よシ放射される。
尚、活性層１４及びクラッド層１２．１５ＦｉＧａＡｓ
とＩｎＧａＰの組み合わせ以外に実施例１で説明したＧ
ａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＰＡｓ等を用いることができるこ
とは本実施例の構造においても同様である。活性層１２
としてＧａ１−ｘＡｌｘＡｓを用いた場合混晶比はＯ≦
ｘ≦０．１５− Ｉ ｎｌ−ｙ ＧａｙＰｌ−ｚＡｓ
ｚｆ：用いた場合各混晶比は０．７８≦ｙ≦１゜０．５
６≦ｚ≦１．ｚ＝２．０４ｙ−１，０４の範囲となシ、
発振波長８９０ ｎｍ〜７７０ ｎｍのレーザ光が得ら
れる。本実施例の構造を分布ブラッグ反射形のレーザ素
子に適用することも当然に可能である。
とＩｎＧａＰの組み合わせ以外に実施例１で説明したＧ
ａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＰＡｓ等を用いることができるこ
とは本実施例の構造においても同様である。活性層１２
としてＧａ１−ｘＡｌｘＡｓを用いた場合混晶比はＯ≦
ｘ≦０．１５− Ｉ ｎｌ−ｙ ＧａｙＰｌ−ｚＡｓ
ｚｆ：用いた場合各混晶比は０．７８≦ｙ≦１゜０．５
６≦ｚ≦１．ｚ＝２．０４ｙ−１，０４の範囲となシ、
発振波長８９０ ｎｍ〜７７０ ｎｍのレーザ光が得ら
れる。本実施例の構造を分布ブラッグ反射形のレーザ素
子に適用することも当然に可能である。
〈発明の効果〉
以上詳説した如く、発振波長８９０ ｎｍ以下の短波長
レーザ素子において酸化の激しいＧａＡｌＡｓの代シに
ＩｎＧａＰＡｓ又はＩｎＧａＰｅ回折格子形成層として
用いることによシ回折格子上への再成長が容易になシ、
高品質の分布帰還形またはブラッグ分布反射形半導体レ
ーザが得られる。
レーザ素子において酸化の激しいＧａＡｌＡｓの代シに
ＩｎＧａＰＡｓ又はＩｎＧａＰｅ回折格子形成層として
用いることによシ回折格子上への再成長が容易になシ、
高品質の分布帰還形またはブラッグ分布反射形半導体レ
ーザが得られる。
第１図、第２図ともに分布帰還形半導体レーザの横断面
図である。
図である。
Claims (1)
- １、Ｇａ＿１＿−＿ｘＡｌ＿ｘＡｓ（０≦ｘ≦０．４）
又はＩｎ＿１＿−＿ｙＧａ＿ｙＰ＿１＿−＿ｚＡｓ＿ｚ
（０．５１≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｚ＝２．０４ｙ−１
．０４）から成る活性層を有する発振波長６６０ｎｍ乃
至８９０ｎｍの半導体レーザ素子に於いて、前記活性層
の近傍にＩｎ＿１＿−＿ｙＧａ＿ｙＰ＿１＿−＿ｚＡｓ
（ｚ＝２．０４ｙ−１．０４）から成る回折格子の形成
された層を挿入したことを特徴とする半導体レーザ素子
。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223576A JPS61100991A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 半導体レ−ザ素子 |
| US06/789,787 US4745615A (en) | 1984-10-22 | 1985-10-21 | Semiconductor laser device with a diffraction grating |
| EP85307630A EP0182508A3 (en) | 1984-10-22 | 1985-10-22 | A semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223576A JPS61100991A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61100991A true JPS61100991A (ja) | 1986-05-19 |
| JPH0211027B2 JPH0211027B2 (ja) | 1990-03-12 |
Family
ID=16800325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59223576A Granted JPS61100991A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4745615A (ja) |
| EP (1) | EP0182508A3 (ja) |
| JP (1) | JPS61100991A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6216591A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4837775A (en) * | 1985-10-21 | 1989-06-06 | General Electric Company | Electro-optic device having a laterally varying region |
| JPS6318686A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-26 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JP2513186B2 (ja) * | 1986-07-28 | 1996-07-03 | ソニー株式会社 | 分布帰還型半導体レ―ザの製造方法 |
| JP2703784B2 (ja) * | 1988-11-08 | 1998-01-26 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| EP0475714B1 (en) * | 1990-09-10 | 1995-12-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | A distributed feedback semiconductor laser device and a method of producing the same |
| EP0526128B1 (en) * | 1991-07-24 | 1997-06-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | A method for producing a distributed feedback semiconductor laser device |
| US5224113A (en) * | 1991-12-20 | 1993-06-29 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor laser having reduced temperature dependence |
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