JPS6318686A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents

半導体レ−ザ素子

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JPS6318686A
JPS6318686A JP61164150A JP16415086A JPS6318686A JP S6318686 A JPS6318686 A JP S6318686A JP 61164150 A JP61164150 A JP 61164150A JP 16415086 A JP16415086 A JP 16415086A JP S6318686 A JPS6318686 A JP S6318686A
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layer
diffraction grating
refractive index
semiconductor laser
light guide
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JP61164150A
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Haruhisa Takiguchi
治久 瀧口
Shinji Kaneiwa
進治 兼岩
Hiroaki Kudo
裕章 工藤
Tomohiko Yoshida
智彦 吉田
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Sharp Corp
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
    • H—ELECTRICITY
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    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/321—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures having intermediate bandgap layers

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は、回折格子が形成され単一縦モードでレーザ発
振する発振波長６６０〜８９０　ｎｍの分布帰還形また
は分布ブラッグ反射形半導体レーザ素子に関するもので
ある。
〈従来技術〉 光ファイバを利用した光情報伝送システムあるいは光計
測システムにおける光源として半導体レーザ装置を利用
する場合、半導体レーザ装置は単−縦モードで発振する
動作特性をもつことが望ましい。単一縦モードのレーザ
発振特性を得るためのレーザ素子構造としては、活性領
域もしくは活性領域に近接して周期的な凹凸形状の回折
格子を形成した分布帰還形ｔｉは分布ブラッグ反射形の
レーザ素子が知られている。
第３図に従来の一般的な分布帰還形半導体レーザ素子の
構造を示す。ｎ型ＩｎＰ基板１上９こｎ型ＩｎＰクラッ
ド層（緩衝層）２、ノンドープＩｎＧａＰＡｓ活性層３
、ｐ型ＩｎＧａＰＡｓ光ガイド層４、ｐ型１ｎＰクラッ
ド層５及びｐ型１ｎＧａＰＡｓキャップ層６が順次積層
されて力る。またキャップ層６と基板１１こはそれぞれ
ｐ側及びｎ側のオーミック電極７．８が形成され、レー
ザ発振波長制御用回折格子は光ガイド層４の上面に形成
されている。このレーザ素子は発振波長１．３００ｎｍ
のＩｎＧａＰＡｓ／ＩｎＰ系半導体レーザであり、半導
体レーザとしては長波長の発振特性を有する。一方これ
に対［７て一般的ｌこ用カられる発振波長８９０　ｎｍ
以下の半導体レーザにおいても同様な構造のものが考え
られる。この場合のレーザ素子は、ｎ型ＧａＡｓ基板１
上にｎ型ＧａＡ）Ａｓクラッド層２、ノンドープＧａＡ
ｓまたはＧ　ａ　ＡｆｆｌＡｓ活性層３、ｐ型ＧａＡノ
Ａｓ光ガイド層４、ｐ型ＧａＡｆｆｌＡｓクラッド層５
．ｐ型ＧａＡｓキャップ層６を順次積層した構造のもの
となる。しかしながらこの場合の構造はＧａＡノＡｓ光
ガイド層４上に回折格子を形成し、その上にＧａＡｉＡ
Ｓクラッド層５を成長させることになるが、Ｇ　ａ　Ａ
ｉＡ　ｓのようなＡＪ２を成分として含む結晶層は空気
中で容易ｌこ酸化して瞬時に酸化膜全形成する性質を有
するため、ＧａＡｌＡｓ上への結晶の再成長を困難なも
のとする。従って、発振波長８９０　ｎｍ以下のレーザ
素子においては、回折格子を形成した半導体レーザの技
術はまだ充分（こ確立されていないのが実情である。
上記問題点に鑑み、回折格子を印刻する光ガイド層とし
て、酸化の問題がなくＧａＡｓに格子整合するＩ　ｎｌ
−ｋＧａｋＰｌ−７Ａｓｆｆｌ（０，５１≦に≦ｌ。
Ｏ≦〕≦１．ノー２．０４に−１，０４）を利用した素
子構造が提唱されてｂる。このレーザ素子構造（こつい
て再度第３図を参照しながら説明する。ｎ型ＧａＡｓ基
板ｌ上にｎ型ＧａＡ、ＡＡｓクラッド層２、ノンドープ
ＧａＡｓ活性層３、ｐ型ＩｎＧａＰＡｓ光ガイド層４？
液相エピタキシャル成長法により連続的ｌこ成長させる
。
次に、光ガイド層４上にホトレジスト膜を塗布し、紫外
線レーザを用いた干渉露光により、周期２５００λでホ
トし・シストの回折格子全形成するこれをマスクとして
化学エツチングにより光ガイド層４上に清音刻設し、ホ
トレジスト膜を除去する。以上により光ガイド農４上に
周期２５００人の凹凸状回折格子が形成される。この表
面ｌと回折格子を備えた光ガイド局４上ｌこ同様の液相
エピタキシャルｌｆｆ１長法によりｐ型ＧａＡ）Ａｓク
ラッド層５、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６全順次成長させ
た後、キャップ層６上及び基板ｌ上ｌこそれぞれオーミ
ック性金属電極７．８を形成する。
上記構造のレーザ素子において、ダブルへテロ接合のレ
ーザ動作用多層結晶構造を構成する各層は、活性層３が
ＧａＡｓから成り、クラッド層２゜５がＧ　ａ　１−Ｘ
　Ａ　ｌｘＡ、　ｓの混晶で混晶比Ｘが０．２以上（こ
設定された層より成る。この場合の発振波長は約８９Ｑ
ｎｍとなる。また光ガイド層４はＩｎ１−ｙＧａｙＰｌ
−ｚＡｓｚの４元混晶で各混晶比は０．６８＜ｙ＜１．
０．３４≦ｚ≦１．ｚ＝２．０４ｙ−〇、４の範囲で選
択され、禁制帯幅及び屈折率が活性層３とクラッド層５
の中間の値となるように設定される。発振波長８９０ｎ
ｍ以下とするためには活性層３とクラッド層２．５の組
成は上記以外に、活性層３ｉＧａｌ−ＸＡ）ＸＡＳで構
成し混晶比Ｘを０≦ｘ≦０４の範囲で選定するととも（
こクラッド層２　、５　ｋ　Ｇ　ａＪ−ｘ　Ａ）ＸＡＳ
で構成しその混晶比ｘｋ活性層３よりも高め０．２≦ｘ
≦１の範囲で選定し活性層３に対してバンドギャップエ
ネルギーが０．３ｅＶ以上の差を有するように設定して
も良い。このような範囲で適宜混晶比全選定することに
より発振波長が６６０　ｎｍから８９０ｎｍのレーザ素
子が得られる。発振波長？この範囲に収めるための材料
としてはＧａＡｓ−ＧａＡ、Ｉ２Ａｓ系の池、活性層３
としてＩ　ｎｌ−、ｃ　ａｙＰｌ−ｚＡｓｚを使用し各
混晶比を０．５１≦ｙ≦１．０≦ｚ≦１゜ｚ−２，０４
ｙ−１，０４の範囲で選定しまたクラッド層２．５とし
てＩ　ｎｌ−ｙＧａｙＰｌ−２Ａｓ　ｚ　ｆ使用し各混
晶比を０．５１≦ｙ≦０．８１．０≦ｚ≦０．６　、　
ｚ＝２．０４ｙ−１，０４の範囲で選定してもよい。光
ガイド偕４は従来のＡノの酸化を回避するためＧａＡＪ
２Ａｓを使用せず Ｉ　ｎｌ−ｙｃ　ａｙＰｘ−ｚＡｓｚ　（ｚ＝２．０４
　ｙ−１，０４）の４元混晶とし、活性層３とクラッド
層２．５の双方の材料全選定することによりその混品比
全決定している。
この構造におりては光ガイド層４としてＩｎＧａＰＡｓ
を用いているため、後の回折格子を形成するホトエツヂ
ング等の加工（こ際して光ガイド層表面が酸化すること
なく再成長が容易に行われ、再現性よく高品質の分布帰
還形レーザ素子を得ることができる。しかしながら、こ
の半導体レーザ素子（こおいても以下（こ述べるような
問題点がある。
即ち、ＧａＡｓ１こ格子整合したＩｎＧａＰＡｓ混晶（
こは、混合不安定領域の存在することが知られている。
混合不安定領域については、例えば、尾鍋研太部、応用
物理第５３巻８０２頁（１９８４）等に詳述されている
が、この混合不安定領域の念めｌこ第３図の半導体レー
ザ素子の一般的な成長温度である８００℃の成長温度で
は、禁制帯幅が１．７７〜１．６８　ｅＶでＩｎ１−ｋ
ＧａｋＰｌ−ｊｌＡＳ４（０，６４≦に≦０．７２，０
．２７≦）≦０．４３）の範囲の組成のＩｎＧａＡｓ層
は成長が困難である。
またこの組成の近傍のＩｎＧａＰＡｓ層は一応成長ハス
るもののフォトルミネッセンスＬ発光強度が小さくスペ
クトルの半値幅も広ｒなど、結晶性が良くない。
そこで、ＧａＡｓに格子整合するＩｎＧａＰＡｓ混晶の
うち、結晶品質が最も良ｌＡＩ　ｎＧ、５１　Ｇ　ａｏ
、４ｇ　Ｐをガイド層として使用することが要求される
。ところで−Ｇａ１−ＸＡノＸ　Ａ　ｓ系の可視光半導
体レーザで最も信頼性のある活性層は発振波長７８０ｎ
ｍ全得るＧａ８０ｇ７Ａノ。、□３Ａｓである。この発
振波長の分布帰還型半導体レーザを構成する場合、活性
層。
光ガイド層およびクラッド層の各々の屈折率を基ｌこ各
層の層厚を決定する必要がある。この場合、回折格子に
よる等偏屈折率の変化が大きくなり帰還がか力・るよう
ｌこガイド側に十分なＨＪｏの光が導波されることが必
要である。ところが、ＡＩ２混晶比がｘ＝ｏ、＋３であ
るＡ、ｇＧａＡｓ活性層の発振波長７８０ｎｍでの屈折
率は３．５６である。一方、光ガイド層としてＩｎＯ，
５□ＧａＯ，４９Ｐ　’Ｔ：使用した場合光ガイド層の
屈折率は３３７となる。従って、活性層の屈折率とガイ
ド層の屈折率の差が大きすぎ活性層内の光が光ガイド層
側（こ充分に洩れないため回折格子による充分な帰還が
か≠・らないという問題が生じている。
〈発明の目的〉 未発明は、上述の問題点に還み、活性層の屈折率（こ比
して過小な屈折率を有する材料全回折格子付の光ガイド
層とし念場合も充分に光ガイド層側（こ光が導波され、
回折格子による帰還が十分ｌこ大きくなる構造の半導体
レーザ素子を提供すること全目的とする。
〈発明の構成〉 未発明の半導体レーザ素子は、回折格子を印刻し次光ガ
イド層の活性層と反対側の位置に屈折率の高い層を介設
した構造を有する。即ち、活性層の屈折率ｋｎＡＬ、光
ガイド層の屈折率ｆ　ｎ　ａとした場合にｎＧ＜ｎ＜ｎ
ＡＬの範囲の屈折率ｎｆ有する層を挿入して活性層−光
ガイド層−屈折率ｎの層の順に配置し、屈折率ｎの層で
活性層の光を引き出すことにより途中にある光ガイド層
の光密度を高くしたものである。
〈実施例〉 第１図は、未発明の一実施例を示す半導体レーザ素子の
構成図である。ｎ型ＧａＡｓ基板１１上に光全閉じ込め
るｎ型Ｇ　ａＱ、５　Ａ’０．５　Ａｓクラッド層１２
、レーザ発振を得るためのノンドープＧａｏ、ｇ９Ａ　
Ｉｏ、ｚ　！　Ａｓ活性層１３．回折格子全形成するｐ
型Ｉ　ｎｏ、ｓ　Ｉ　Ｇ　ａｏ、４９　Ｐ光ガイド層１
４？順次エピタキシャル成長法で積層させる。ここで、
光ガイド層１４は活性層１３より禁制帯幅が大きく屈折
率の小さい二元混晶である。次に光ガイド層１４上（こ
従来と同様の方法で回折格子を印刻する。即ち。
光ガイド層１４上にホトレジストＶｆＪ：塗布し、紫外
線レーザを用ｌ、−また干渉露光により、周期２５００
Ａでホトレジストの回折格子？形成する。これをマスク
としてエツチングにより光ガイド層１４上ニ１苺を刻設
した後、ホトレジスト膜を除去する。これにより光ガイ
ド層１４上に周期２５０　ＯＡの凹凸回折格子が形成さ
れる。この表面（こ回折格子を備えた光ガイド層１４上
（こ同様のエビタキンヤル成長法でｐ型Ｇａ０．７５Ａ
ノ０．２５ＡＳ中′Ｊ！！１層１５．ｐ型Ｇ　ａ　ｏ、
ｓ　ＡＪｏ、５　Ａ　ｓクララド層１６．電極とオーミ
ックコンタクｈ’を得るためのｐ型ＧａＡｓキャップ韻
１７を、・順次成長させた後、キャップ層１７及び基板
１１裏面にそれぞれオーミック性金属電極１８．１９を
形成する。以上番こより、発振波長７８０ｎｍの半導体
レーザ素子が作製される。活性層１３のＡノ混晶比全制
御することにより発振波長は適宜変更可能である。
上記実施例において、中間層１５はその屈折率ｎが活性
層の屈折率”ｎＡＬ’回折格子を印刻し次光ガイド層の
屈折率ｋｎ。とするとｎ。＜ｎ＜ｎＡＬとなるような混
晶比のＧａＡＪ！Ａｓ又はＧａＡｓ基板と格子整合した
ＩｎＧａＰＡｓで形成される。上記実施例ではＡノ混晶
比が０．２５のＧａＡＪＡｓで形成されている。
上記実施例の半導体レーザ素子ｌこおける各層の層厚方
向の屈折率変化を第２図に示す。中間層１５を挿入する
ことにより、活性層１３の光が屈折率差の小さい中間層
１５に引き出され、中間層１５に洩出しようとするため
、屈折率差の大きい光ガイド層１４の光密度も高くなる
。その結果、光が光ガイド層１４側に洩れやすくなる。
従って光ガイド層１４の回折格子によって波長選択性全
付与された光が多量に活性層１３に帰還される念め、単
一波長のレーザ発振が得られる。尚、本発明は上述の分
布帰還型（こ限定されるものではなく分布ブラッグ反射
形のレーザ索子にも適用することができる。
〈発明の効果〉 以上詳細番こ説明したように、未発明によれば、活性層
の屈折率に比し最小な屈折率を有する光ガイド層全使用
した回折格子付の半導体レーザ素子においても、充分光
ガイド層に光を導波することができ１回折格子による十
分な帰還が行なえる。
【図面の簡単な説明】
第１図は未発明の一実施例を示す分布帰還型半導体レー
ザ索子の模式断面図である。第２図は第１図に示す半導
体レーザ素子の層厚方向の屈折率分布を示す説明図であ
る。第３図は従来の半導体レーザ索子の構造を示す模式
断面図である。 １１・・・基板、１２・・・ｎ−クラッド層、１３・・
・活性層、１４・・・光ガイド層、１５・・・中間層。 １６・・・ｐ−クラッド層、１７・・・キャップ層。 代理人　弁理士　杉　山　毅　至（他１名）第１図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、Ｇａ＿１＿−＿ｘＡｌ＿ｘＡｓ（０≦ｘ≦０．４）
    又はＩｎ＿１＿−＿ｙＧａ＿ｙＰ＿１＿−＿ｚＡｓ＿ｚ
    （０．５１≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１，ｚ＝２．０４ｙ−１
    ．０４）から成る活性層を有する発振波長６６０ｎｍ乃
    至８９０ｎｍの半導体レーザ素子に於いて、前記活性層
    の近傍にＩｎ＿１＿−＿ｕＧａ＿ｖＰ＿１＿−＿ｖＡｓ
    （ｖ＝２．０４ｕ−１．０４）から成る回折格子の形成
    された層を付設しかつ該回折格子の形成された層の前記
    活性層と反対の位置に、屈折率ｎが、前記活性層の屈折
    率をｎ＿ａ＿ｌ、前記回折格子の形成された層の屈折率
    をｎ＿Ｇとした場合にｎ＿ａ＿ｌ＞ｎ＞ｎ＿Ｇとなる組
    成のＧａ＿１＿−＿ｗＡｌ＿ｗＡｓ（０≦ｗ≦１．０）
    又はＩｎ＿１＿−＿ｋＧａ＿ｋｐ＿１＿−＿ｌＡｓ＿ｌ
    （０．５１≦ｋ≦１，０≦ｌ≦１，ｌ＝２．０４ｋ−１
    ．０４）から成る層を挿設したことを特徴とする半導体
    レーザ素子。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002111126A (ja) * 2000-09-28 2002-04-12 Fujitsu Ltd 半導体レーザ

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3809609A1 (de) * 1988-03-22 1989-10-05 Siemens Ag Laserdiode zur erzeugung streng monochromatischer laserstrahlung
JP2703784B2 (ja) * 1988-11-08 1998-01-26 シャープ株式会社 半導体レーザ素子
EP0458409B1 (en) * 1990-05-23 2002-02-20 Uniphase Opto Holdings, Inc. Radiation-emitting semiconductor device and method of manufacturing same
US5292685A (en) * 1991-07-24 1994-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Method for producing a distributed feedback semiconductor laser device
JP2725569B2 (ja) * 1992-11-18 1998-03-11 松下電器産業株式会社 レーザ発振器
US5469459A (en) * 1993-01-08 1995-11-21 Nec Corporation Laser diode element with excellent intermodulation distortion characteristic
US5319666A (en) * 1993-04-07 1994-06-07 At&T Bell Laboratories Article comprising a distributed feedback laser
JPH07154024A (ja) * 1993-11-30 1995-06-16 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザー
JP3007928B2 (ja) * 1995-02-22 2000-02-14 日本電気株式会社 光半導体素子の製造方法
US5889805A (en) * 1996-11-01 1999-03-30 Coherent, Inc. Low-threshold high-efficiency laser diodes with aluminum-free active region
US6195381B1 (en) 1998-04-27 2001-02-27 Wisconsin Alumni Research Foundation Narrow spectral width high-power distributed feedback semiconductor lasers
EP1043818B1 (en) * 1999-04-09 2011-07-20 Mitsui Chemicals, Inc. Semiconductor laser device, semiconductor laser module, rare-earth-element-doped optical fiber amplifier and fiber laser
US6611544B1 (en) 2000-04-11 2003-08-26 E20 Communications, Inc. Method and apparatus for narrow bandwidth distributed bragg reflector semiconductor lasers
JP2008088515A (ja) * 2006-10-03 2008-04-17 Seiko Epson Corp めっき基板およびその製造方法
US8213751B1 (en) * 2008-11-26 2012-07-03 Optonet Inc. Electronic-integration compatible photonic integrated circuit and method for fabricating electronic-integration compatible photonic integrated circuit

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4178604A (en) * 1973-10-05 1979-12-11 Hitachi, Ltd. Semiconductor laser device
JPS5329479B2 (ja) * 1973-10-05 1978-08-21
US4045749A (en) * 1975-11-24 1977-08-30 Xerox Corporation Corrugation coupled twin guide laser
JPS52144991A (en) * 1976-05-28 1977-12-02 Agency Of Ind Science & Technol Production of distribution feedback type semiconductor laser
JPS60145685A (ja) * 1984-01-09 1985-08-01 Nec Corp 分布帰還型半導体レ−ザ
JPS61100991A (ja) * 1984-10-22 1986-05-19 Sharp Corp 半導体レ−ザ素子
JPS61190994A (ja) * 1985-02-19 1986-08-25 Sharp Corp 半導体レ−ザ素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002111126A (ja) * 2000-09-28 2002-04-12 Fujitsu Ltd 半導体レーザ

Also Published As

Publication number Publication date
EP0253597B1 (en) 1994-05-18
DE3789832D1 (de) 1994-06-23
EP0253597A3 (en) 1988-10-12
US4852116A (en) 1989-07-25
EP0253597A2 (en) 1988-01-20
DE3789832T2 (de) 1994-10-20

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