KR950009717A - 입력신호 변화 감지기 - Google Patents

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KR950009717A
KR950009717A KR1019930018818A KR930018818A KR950009717A KR 950009717 A KR950009717 A KR 950009717A KR 1019930018818 A KR1019930018818 A KR 1019930018818A KR 930018818 A KR930018818 A KR 930018818A KR 950009717 A KR950009717 A KR 950009717A
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이재진
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • G11INFORMATION STORAGE
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    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1078Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 

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Abstract

본 발명은 입력신호 변화 감지기를 입력신호가 로우 상태로 전이하는 경우와 하이 상태로 전이하는 경우에 동일한 지연회로를 사용하도록 회로를 구현함으로써, 소자 내부에서 차지하는 면적을 감소시킨 반도체 기억소자의 입력신호 변화감지기에 관한 기술이다.

Description

입력신호 변화 감지기
제2도는 본 발명의 입력신호 변화 감지기의 제1실시예를 도시한 회로도,
제3도는 본 발명의 입력신호 변화 감지기의 제2실시예를 도시한 회로도,
제4도는 제2도의 회로를 병렬 연결한 회로도,
제5도는 제3도의 회로를 병렬 연결한 회로도.

Claims (6)

  1. 반도체 기억소자의 입력신호 변화 감지기(ATD : Address Transition Detector)에 있어서, 출력단과 전원 전압 사이에 접속되어 있는 부하 저항 성분과, 입력신호를 일정시간 동안 지연시키는 지연회로와, 각각의 드레인이 공통 접속되고 게이트가 각각 입력신호와 상기 지연회로의 출력에 의해 각각 제어되며 각각의 소오스가 상기 출력단에 공통 접속된 제1및 제2PMOS 트랜지스터와, 각각의 드레인이 상기 제1및 제2PMOS 트랜지스터의 공통 드레인에 공통 접속되고 각각의 게이트가 입력신호와 상기 지연회로의 출력에 의해 제어되며 각각의 소오스가 접지전압에 접속된 제1및 제2NMOS트랜지스터로 구성되며, 초기에 고전위(high)를 유지하다가 입력신호의 상태가 변화하면 저전위(low)로 전이하였다가 상기 지연회로에 의한 일정시간이 경과한 후에 다시 고전위로 전이하여 출력단으로 일정폭의 저전위를 갖는 펄스 신호를 출력하도록 구현된 것을 특징으로 하는 입력신호 변화 감지기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 부하 저항 성분으로 게이트가 접지전압에 접속되어 있는 PMOS 트랜지스터를 사용하는 것을 특징으로 하는 입력신호 변화 감지기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 입력신호 변화 감지기가 출력단을 공유하며 하나 이상이 병렬 접속되어 잇는 것을 특징으로 하는 입력신호 변화 감지기.
  4. 반도체 기억소자의 입력신호 변화 감지기에 있어서, 출력단과 접지전압 사이에 접속되어 있는 부하 저항성분과, 입력신호를 일정시간 동안 지연시키는 지연회로와, 각각의 드레인이 공통 접속되고 각각의 게이트가 입력신호와 상기 지연회로의 출력에 의해 제어되며 각각의 소오스가 전원전압에 접속되어 있는 제1및 제2PMOS트랜지스터와, 각각의 드레인이 상기 제1및 제2PMOS트랜지스터의 공통 드레인에 공통 접속되고 각각의 게이트가 입력신호와 상기 지연회로를 출력에 의해 제어되며 각각의 소오스가 출력단에 접속된 제1및 제2NMOS트랜지스터로 구성되어, 출력단은 초기에 저전위를 유지하다가 입력신호의 상태가 변화하면 고전위로 전이하였다가 상기 지연회로에 의한 일정시간이 경과한 후에 다시 저전위로 전이하여 출력단으로 일정폭의 고전위를 갖는 펄스 신호를 출력하도록 구현된 것을 특징으로 하는 입력신호 변화 감지기.
  5. 제4항에 있어서, 상기 부하 저항 성분으로 게이트가 전원전압에 접속되어 있는 NMOS 트랜지스터를 사용하는 것을 특징으로 하는 입력신호 변화 감지기.
  6. 제4항에 있어서, 상기 입력신호 변화 감지기가 출력단을 공유하며 하나 이상이 병렬 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 입력신호 변화 감지기.
    ※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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