KR950004375A - 기판 포토리소그라피 시스템에서의 실리콘 기판을 소성하고 냉각하기 위한 장치 및 그 방법 - Google Patents

기판 포토리소그라피 시스템에서의 실리콘 기판을 소성하고 냉각하기 위한 장치 및 그 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950004375A
KR950004375A KR1019940017247A KR19940017247A KR950004375A KR 950004375 A KR950004375 A KR 950004375A KR 1019940017247 A KR1019940017247 A KR 1019940017247A KR 19940017247 A KR19940017247 A KR 19940017247A KR 950004375 A KR950004375 A KR 950004375A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
process module
plate
thermal process
transfer arm
Prior art date
Application number
KR1019940017247A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100234816B1 (ko
Inventor
알. 비셰 마이클
안델슨 알렉산더
Original Assignee
제리마스테르슨
세미컨덕터 시스템즈, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제리마스테르슨, 세미컨덕터 시스템즈, 인코포레이티드 filed Critical 제리마스테르슨
Publication of KR950004375A publication Critical patent/KR950004375A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100234816B1 publication Critical patent/KR100234816B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/136—Associated with semiconductor wafer handling including wafer orienting means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 포토리소그라피 시스템에서의 실리콘 기판을 소성하고 냉각하기 위한 장치 및 방법에 관한 것으로, 실리콘 기판의 소성 냉각 둘다는 단일집적 열 공정모듈내에서 행해지고 각각의 열 공정모듈은 두개의 고온 플레이트 조립체, 냉각 플레이트 조립체, 두개의 국부적인 선형 이송팔 및 마이크로-프로세서 베이스된 모듈 조절기를 포함하며, 이송팔 둘다는 냉각 플레이트 조립체 및 고온 플레이트 조립체중에 기판을 이송할 수 있고 모듈 조절기는 이송팔의 사용이나 고온 및 냉각 플레이트 조립체의 사용에 어려움이 없게하는 결과 이송팔은 기판이 소성이 마무리될 적에 항상 이용가능하고 중앙 기판처리 로봇은 기판을 열 공정모듈의 냉각 플레이트 조립체로부터 및 상기 냉각 플레이트 조립체로만 이송하고 진공판이 독특한 풀리배열을 거쳐 순서가 정해져 빽빽하게 장착되고 느슨한 튜빙을 제거하는 것을 특징으로 한다.

Description

기판 포토리소그라피 시스템에서의 실리콘 기판을 소성하고 냉각하기 위한 장치 및 그 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 열 공정모듈의 사시도이다.

Claims (27)

  1. 기판 포토리소그라피 시스템에 있어서, 상기 기판을 소정하기 위한 고온 플레이트를 포함하는 고온플레이트 조립체, 상기 기판을 냉각시키기 위한 냉 플레이트를 포함하며 상기 고온 플레이트 조립체에 인접하여 배치되는 냉각 플레이트 조립체, 상기 기판을 상기 냉 플레이트 위의 영역으로부터 상기 고온 플레이트위의 영역으로 이송하고 상기 고온 플레이트 위의 영역으로부터 상기 냉 플레이트 영역으로 이송하기 위해 충분히 움직일 수 있는 이송팔로 구성된 것을 특징으로 하는 기판을 소성하고 냉각시키기 위한 열 공정 모듈.
  2. 제1항에 있어서, (a) 상기 이송팔이 상기 고온 플레이트 및 냉각 플레이트 조립체에 인접한 정위치내 배치되고, (b) 상기 이송팔은 단일의 자유도를 가지는 것을 특징으로 하는 기판을 소성하고 냉각시키기 위한 열 공정 모듈.
  3. 제2항에 있어서, 상기 이송팔이 상기 고온 플레이트의 평면에 평행한 평면내 직선을 따라 회전하는 것을 특징으로 하는 기판을 소성하고 냉각시키기 위한 열 공정 모듈.
  4. 제1항에 있어서, 상기 고온 플레이트가 리프트 핀을 위한 리프트 핀 구멍을 가지고, 상기 구멍이 상기 고온 플레이트 중심과 중심이 같은 원둘레에 배치되며, 상기 리프트 핀 구멍 위치는 상기 리프트 핀이 상기 고온 플레이트 위에 충분히 올려진 위치내 있을 적에 상기 고온 플레이트의 중앙으로 상기 이송팔이 움직이기에 충분한 각으로 갈라져 있는 것을 특징으로 하는 기판을 소성하고 냉각시키기 위한 열 공정 모듈.
  5. 제1항에 있어서, 다수의 이송팔로 구성되며, 각각의 상기 다수의 이송팔이 상기 다수의 어떤 다른 이송팔의 상응하는 평면에 평행하고 멀리 떨어진 평면으로 움직이도록 강제되는 것을 특징으로 하는 기판을 소성하고 냉각시키기 위한 열 공정 모듈.
  6. 제5항에 있어서, 이송팔의 상기 평면과 임의의 다른 이송팔의 상응하는 평면사이의 거리가 적어도 상기 이공팔상에 운반되는 기판을 수용하기에 충분한 것을 특징으로 하는 기판을 소성하고 냉각시키기 위한 열 공정 모듈.
  7. 제1항에 있어서, 다수의 고온 플레이트 및 다수의 이송팔로 구성되고 이송팔의 총수가 적어도 고온플레이트의 총수와 일치하는 것을 특징으로 하는 기판을 소성하고 냉각시키기 위한 열 공정 모듈.
  8. 제7항에 있어서, 상기 다수의 이송팔 중 적어도 하나가 상기 다수의 고온 플레이트중 소정의 고온플레이트로부터 상기 냉 플레이트로 기판을 이송할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판을 소성하고 냉각시키기 위한 열 공정 모듈.
  9. 제7항에 있어서, 각각의 상기 다수의 이송팔이 기판을 상기 다수의 고온 플레이트중 소정을 고온 플레이트로부터 상기 냉 플레이트로 이송할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판을 소성하고 냉각시키기 위한 열 공정 모듈.
  10. 제7항에 있어서, 상기 다수의 이송팔중 적어도 하나가 상기 다수의 고온 플레이트중 제1고온 플레이트로부터 상기 고온 플레이트중 제2고온 플레이트로 기판을 이송할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판을 소성하고 냉각시키기 위한 열 공정 모듈.
  11. 제7항에 있어서, 상기 다수의 이송팔이 상기 다수의 고온 플레이트중 제1고온 플레이트로부터 상기 다수의 고온 플레이트중 제2고온 플레이트로 기판을 이송할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판을 소성하고 냉각시키기 위한 열 공정 모듈.
  12. 제7항에 있어서, 이송팔의 상기 평면과 상기 냉 플레이트 평면사이의 거리가 기판이 상기 냉 플레이트 위의 리프트 핀상에 운반되는 동안 상기 이송팔이 제1고온 플레이트로부터 제2고온 플레이트로 기판을 이송하기에 충분한 것을 특징으로 하는 기판을 소성하고 냉각시키기 위한 열 공정 모듈.
  13. 제7항에 있어서, 각각의 상기 다수의 이송팔이 상기 고온 플레이트의 중앙으로 이동될 적에 리프트 핀을 수용하는 슬롯을 가지는 것을 특징으로 하는 기판을 소성하고 냉각시키기 위한 열 공정 모듈.
  14. 카세트 입력/출력 유니트; 도포/현상 부; (ⅰ)고온 플레이트, (ⅱ)상기 고온 플레이트에 인접하여 배치된 냉 플레이트 및, (ⅲ)상기 고온 플레이트 및 상기 냉 플레이트에 인접한 벽내 슬롯을 통해 장착되고 단일 자유도를 가지는 이송팔로 구성된 열 공정모듈; 및 고정축에 대해 회전할 수 있고 (a) 상기 카세트 입력/출력 유니트, (b) 상기 도포/현상 부 및 (c) 상기 열 공정모듈의 상기 냉 플레이트위의 영역사이에 기판을 이송할 수 있는 로봇팔을 다루는 기판으로 구성된 것을 특징으로 하는 기판을 소성하고 냉각시키기 위한 열 공정 모듈.
  15. 제14항에 있어서, 제2열 공정모듈로 구성되고, 상기 제2열 공정모듈이 상기 열 공정모듈의 상부에 쌓아 올려지며 상기 로봇팔이 제2열 공정모듈의 냉 플레이트에 인접한 영역으로 및 상기 영역으로부터 기판을 이송할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판을 소성하고 냉각시키기 위한 열 공정 모듈.
  16. 기판 포토리소그라피 시스템에 있어서, (ⅰ)상기 기판을 움직일 수 있고, 제1말단 및 상기 제1말단의 반대위치에 제2말단을 가지며, 상기 이송팔이 상기 기판을 지지하기 위해 상기 제1말단에 진공 클램프를 가지고 상기 제1말단 및 상기 제2말단 사이에 진공라인을 가지는 이송팔; 및 (ⅱ)진공관 및 다수의 풀리로 구성되고, 상기 진공관이 상기 다수의 풀리중 적어도 하나의 풀리 둘레에 싸여지며 상기 진공관이 상기 이송팔의 상기 제2말단에 연결되어지는 지는 것을 특징으로 하는 기판을 소성하고 냉각시키기 위한 열 공정 모듈.
  17. 제16항에 있어서, 상기 진공관 메카니즘의 진공관이 상기 다수의 풀리중 각각의 풀리 둘레에 싸이는 것을 특징으로 하는 기판을 소성하고 냉각시키기 위한 열 공정 모듈.
  18. 제16항에 있어서, 상기 진공관을 경유하여 상기 진공 클램프로 진공을 공급하기 위한 제2진공라인을 가지고, 상기 진공관은 이동가능한 말단 및 정지 말단을 가지며, 상기 이동가능한 말단이 상기 이송팔의 상기 진공라인에 연결되고 상기 정지 말단이 상기 하우징의 상기 제2진공라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판을 소성하고 냉각시키기 위한 열 공정 모듈.
  19. 제17항에 있어서, 상기 다수의 풀리중 하나가 상기 이송팔의 회전 속도의 절반에 해당하는 속도로 회전하는 것을 특징으로 하는 기판을 소성하고 냉각시키기 위한 열 공정 모듈.
  20. 기판 포토리소그라피 시스템에서, 상기 다수의 기판중 어느 하나를 소성하기위한 다수의 고온 플레이트; 상기 다수의 기판중 어느 하나를 냉각시키고 상기 다수의 고온 플레이트중 적어도 하나에 위치하는 냉 플레이트; 상기 다수의 고온 플레이트중 하나와 상기 냉 플레이트 사이에 기판을 이송하고 각각의 이송팔이 단일 자유도를 가지는 다수의 이송팔; 및 상기 다수의 기판중 임의의 기판이 소성을 마치자마자 이송팔이 항상 이용가능하도록 상기 다수의 기판중 각각의 것의 소성시간 및 냉각의 계획을 짜는 모듈 조절기로 구성된 것을 특징으로 하는 기판을 소성하고 냉각시키기 위한 열 공정 모듈.
  21. 제20항에 있어서, 상기 기판이 상기 냉 플레이트가 이용가능하도록 이송팔상의 버퍼 위치내 수용되는 것을 특징으로 하는 기판을 소성하고 냉각시키기 위한 열 공정 모듈.
  22. (ⅱ)포토리소그라피 시스템의 부품으로부터 열 공정모듈의 냉 플레이트에 인접한 영역으로 기판을 이송하는 단계; 및 (ⅱ) 상기 냉 플레이트에 인접한 영역으로부터 상기 열 공정모듈의 고온 플레이트로 상기 기판을 이송하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피 시스템내 기판을 소성하고 냉각하는 방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 고온 플레이트로 기판을 이송하는 것은 상기 열 공정모듈의 제1국부적인 선형 이송팔에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피 시스템내 기판을 소성하고 냉각하는 방법.
  24. 제22항에 있어서, (ⅰ)소성 시간동안 상기 고온 플레이트상에 기판을 소성하는 단계; (ⅱ) (a)제1 국부적인 선형 이송팔이나 (b) 상기 열 공정모듈의 제2국부적인 선형 이송팔을 사용해서 상기 기판을 상기 고온 플레이트로부터 상기 냉 플레이트로 이송하는 단계; 및 (ⅲ)상기 냉 플레이트상에 상기 기판을 냉각하는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 포토리소그라피 시스템내 기판을 소성하고 냉각하는 방법.
  25. 제24항에 있어서, 이송팔이 상기 기판이 소성을 마감하자마자 항상 이용가능하도록 상기 기판의 소성 시간 및 냉각시간의 계획을 잡는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 포토리소그라피 시스템내 기판을 소성하고 냉각하는 방법.
  26. 제24항에 있어서, 제2기판이 소성을 마감하자마자 상기 냉 플레이트가 이용가능하게 되도록 하기 위해 이송팔상의 버퍼 위치내 상기 기판을 지지하는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 포토리소그라피 시스템내 기판을 소성하고 냉각하는 방법.
  27. 제24항에 있어서, 상기 냉 플레이트상에서 상기 기판을 냉각한 후 상기 로봇팔을 사용해서 상기 냉 플레이트로부터 상기 포토리소그라피 시프템의 유니트로 상기 기판을 이송하는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 포토리소그라피 시스템내 기판을 소성하고 냉각하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940017247A 1993-07-16 1994-07-15 기판포토리소그라피 시스템 에서의 실리콘 기판을 베이킹하고 냉각하기 위한 장치 및 그 방법 KR100234816B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US9325093A 1993-07-16 1993-07-16
US8/093,250 1993-07-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950004375A true KR950004375A (ko) 1995-02-17
KR100234816B1 KR100234816B1 (ko) 1999-12-15

Family

ID=22237941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940017247A KR100234816B1 (ko) 1993-07-16 1994-07-15 기판포토리소그라피 시스템 에서의 실리콘 기판을 베이킹하고 냉각하기 위한 장치 및 그 방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US5553994A (ko)
EP (1) EP0634783B1 (ko)
JP (1) JP2832154B2 (ko)
KR (1) KR100234816B1 (ko)
DE (2) DE634783T1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100948888B1 (ko) * 2007-12-05 2010-03-24 전홍희 텔레스코프식 이송유닛을 구비한 반도체기판 가공장치
US11441256B2 (en) 2017-09-19 2022-09-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Dryer

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6008500A (en) * 1995-04-04 1999-12-28 Nikon Corporation Exposure apparatus having dynamically isolated reaction frame
EP0915507B1 (en) * 1996-06-07 2008-03-12 Tokyo Electron Limited Device for controlling treating station
US6540466B2 (en) * 1996-12-11 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Compact apparatus and method for storing and loading semiconductor wafer carriers
AT411304B (de) * 1997-06-18 2003-11-25 Sez Ag Träger für scheibenförmige gegenstände, insbesondere silizium-wafer
JP3340945B2 (ja) * 1997-08-06 2002-11-05 東京エレクトロン株式会社 塗布現像処理装置
KR100238251B1 (ko) * 1997-08-20 2000-01-15 윤종용 하나의 도포 및 현상을 수행하는 장치에 복수의 정렬 및 노광장치를 병렬적으로 인-라인시킨 포토리쏘그래피장치
JP3368200B2 (ja) * 1998-02-26 2003-01-20 シャープ株式会社 フォトマスク作成方法および熱処理装置
WO2000041048A1 (en) * 1998-12-31 2000-07-13 Silicon Valley Group, Inc. Method and apparatus for synchronizing a substrate processing system
US6861619B1 (en) 2000-02-07 2005-03-01 Therma-Wave, Inc. Method and apparatus for preparing semiconductor wafers for measurement
US6261853B1 (en) * 2000-02-07 2001-07-17 Therma-Wave, Inc. Method and apparatus for preparing semiconductor wafers for measurement
EP1124252A2 (en) * 2000-02-10 2001-08-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for processing substrates
JP2002110761A (ja) * 2000-05-04 2002-04-12 Applied Materials Inc 温度感知用途を有するロボット用装置及び方法
US6703169B2 (en) * 2001-07-23 2004-03-09 Applied Materials, Inc. Method of preparing optically imaged high performance photomasks
JP4274736B2 (ja) 2002-03-28 2009-06-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4381121B2 (ja) * 2003-12-11 2009-12-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4270457B2 (ja) * 2004-03-10 2009-06-03 大日本スクリーン製造株式会社 有機物除去装置および膜厚測定装置
US20050221019A1 (en) * 2004-04-02 2005-10-06 Applied Materials, Inc. Method of improving the uniformity of a patterned resist on a photomask
US7583357B2 (en) * 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US20060182589A1 (en) * 2005-01-20 2006-08-17 Pi-Tang Chiu Plate support having movable ribs for adjusting and guiding a wafer
JP4541966B2 (ja) * 2005-05-06 2010-09-08 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法及び塗布処理装置並びにコンピュータプログラム
KR100637717B1 (ko) 2005-09-28 2006-10-25 세메스 주식회사 베이크 유닛, 상기 베이크 유닛에 사용되는 가열플레이트를 냉각하는 방법, 그리고 상기 베이크 유닛을포함하는 기판 처리 장치 및 방법
TWI274034B (en) * 2006-03-15 2007-02-21 Mjc Probe Inc Multi-directional gripping apparatus
US20080073569A1 (en) * 2006-09-23 2008-03-27 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Mask position detection
KR100840970B1 (ko) * 2006-12-27 2008-06-24 세메스 주식회사 반도체 제조 장치
US7694688B2 (en) 2007-01-05 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Wet clean system design
US7950407B2 (en) * 2007-02-07 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Apparatus for rapid filling of a processing volume
JP4499147B2 (ja) * 2007-11-21 2010-07-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US8847122B2 (en) * 2009-06-08 2014-09-30 Macronix International Co., Ltd. Method and apparatus for transferring substrate
CN102114455A (zh) * 2010-12-23 2011-07-06 沈阳芯源微电子设备有限公司 平面模块式设备结构
JP5728770B2 (ja) * 2011-02-03 2015-06-03 株式会社昭和真空 基板処理装置、基板処理方法、ならびに、プログラム
JP6001961B2 (ja) 2012-08-29 2016-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
GB2516276A (en) 2013-07-17 2015-01-21 Shoprobotic Ltd A vending machine and associated methods
CH708881B1 (de) * 2013-11-20 2017-06-15 Besi Switzerland Ag Durchlaufofen für Substrate, die mit Bauteilen bestückt werden, und Die Bonder.
JP6615698B2 (ja) * 2016-06-20 2019-12-04 東京エレクトロン株式会社 搬送装置および搬送方法、ならびに検査システム
US10978333B2 (en) * 2017-11-14 2021-04-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for robotic arm sensing
GB201905138D0 (en) * 2019-04-11 2019-05-29 Spts Technologies Ltd Apparatus and method for processing a substrate

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1590089A (en) * 1977-10-20 1981-05-28 Tool Production & Design Co Lt Workpiece feed mechanism
NL8201532A (nl) * 1982-04-13 1983-11-01 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het controleren van de aanwezigheid respectievelijk afwezigheid van een voorwerp op het uiteinde van een vacuuem-opnemer.
AU548550B2 (en) * 1983-03-01 1985-12-19 Dart Industries Inc. Extensible workpiece manipulator
JPS6027141A (ja) * 1983-07-25 1985-02-12 Ushio Inc ウエハ−のセツト機構
JPS61133761A (ja) * 1984-12-04 1986-06-21 Canon Inc 画像読取装置
JPS61156814A (ja) * 1984-12-28 1986-07-16 Toshiba Corp レジストベ−キング方法およびレジストベ−キング装置
JPS61186211A (ja) * 1985-02-13 1986-08-19 Kanebo Ltd 炭素多孔体の製造法
US4971515A (en) * 1985-06-03 1990-11-20 Roberts Corporation Apparatus for moving individual sheets from a stack of sheets
JPS6255341U (ko) * 1985-09-26 1987-04-06
JPH0230194B2 (ja) * 1986-07-04 1990-07-04 Kyanon Kk Handotaiseizosochi
US4808059A (en) * 1986-07-15 1989-02-28 Peak Systems, Inc. Apparatus and method for transferring workpieces
JPH0723431B2 (ja) * 1986-08-05 1995-03-15 広栄化学工業株式会社 コ−テイング用組成物及びそれを用いた合成樹脂成形品
JPS6365639A (ja) * 1986-09-05 1988-03-24 Nec Corp 半導体ウエハ移載装置
JPS6390841A (ja) * 1986-10-03 1988-04-21 Nec Corp 半導体集積回路装置の製造方法
FR2605834B1 (fr) * 1986-11-05 1989-01-06 Pellenc & Motte Machine robotisee, notamment pour la recolte de fruits
US4842683A (en) * 1986-12-19 1989-06-27 Applied Materials, Inc. Magnetic field-enhanced plasma etch reactor
US5193972A (en) * 1987-02-09 1993-03-16 Svg Lithography Systems, Inc. Wafer handling system
KR970003907B1 (ko) * 1988-02-12 1997-03-22 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 기판처리 장치 및 기판처리 방법
JP2660285B2 (ja) * 1988-02-17 1997-10-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2673239B2 (ja) * 1988-11-07 1997-11-05 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US5061144A (en) * 1988-11-30 1991-10-29 Tokyo Electron Limited Resist process apparatus
JPH02196414A (ja) * 1989-01-25 1990-08-03 Fujitsu Ltd レジスト処理装置
JP2717108B2 (ja) * 1989-07-21 1998-02-18 東京エレクトロン株式会社 レジスト処理方法
JP3271140B2 (ja) * 1990-03-30 2002-04-02 ソニー株式会社 連続処理装置および連続処理方法
JP2849458B2 (ja) * 1990-07-03 1999-01-20 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法および製造装置
JP2704309B2 (ja) * 1990-06-12 1998-01-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板の熱処理方法
JPH04155848A (ja) * 1990-10-19 1992-05-28 Tokyo Electron Ltd レジスト処理装置
JP2901746B2 (ja) * 1990-11-16 1999-06-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
US5180276A (en) * 1991-04-18 1993-01-19 Brooks Automation, Inc. Articulated arm transfer device
JP3266287B2 (ja) * 1991-06-03 2002-03-18 東京応化工業株式会社 加熱処理装置
JPH04365348A (ja) * 1991-06-13 1992-12-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100948888B1 (ko) * 2007-12-05 2010-03-24 전홍희 텔레스코프식 이송유닛을 구비한 반도체기판 가공장치
US11441256B2 (en) 2017-09-19 2022-09-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Dryer

Also Published As

Publication number Publication date
EP0634783B1 (en) 1997-08-06
KR100234816B1 (ko) 1999-12-15
EP0634783A1 (en) 1995-01-18
US5935768A (en) 1999-08-10
JPH07161632A (ja) 1995-06-23
DE634783T1 (de) 1996-02-15
DE69404778T2 (de) 1997-12-18
JP2832154B2 (ja) 1998-12-02
DE69404778D1 (de) 1997-09-11
US5553994A (en) 1996-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950004375A (ko) 기판 포토리소그라피 시스템에서의 실리콘 기판을 소성하고 냉각하기 위한 장치 및 그 방법
USRE37470E1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US5651823A (en) Clustered photolithography system
US6515731B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI279876B (en) Substrate support, load-lock chamber for transferring substrates and methods for aligning a substrate on a substrate support
US6752543B2 (en) Substrate processing apparatus
JPH05275511A (ja) 被処理体の移載システム及び処理装置
US5954472A (en) Batch loader arm
US4960298A (en) Semiconductor wafer pick-up device
KR20150125593A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US6319322B1 (en) Substrate processing apparatus
US5052886A (en) Semiconductor wafer orientation device
KR20010103544A (ko) 웨이퍼 공정 장치
JPH0430552A (ja) 板状体搬送装置
JPH0846010A (ja) 処理システム
KR100204942B1 (ko) 열처리 장치
JPH0786371A (ja) 基板搬送装置
JPH0936195A (ja) 基板処理装置
KR960013626B1 (ko) 캐리어 수납용 스토커(Stocker)
US6432204B1 (en) Temperature and humidity controlled processing system
JP2957854B2 (ja) 基板処理装置
JPH09330971A (ja) 基板処理装置
WO2021069167A1 (en) Substrate support unit, and apparatus and method for depositing a layer using the same
JPH10177945A (ja) 基板処理装置
JPH10189685A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
O035 Opposition [patent]: request for opposition
G170 Re-publication after modification of scope of protection [patent]
O132 Decision on opposition [patent]
O074 Maintenance of registration after opposition [patent]: final registration of opposition
LAPS Lapse due to unpaid annual fee