JPS6027141A - ウエハ−のセツト機構 - Google Patents
ウエハ−のセツト機構Info
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- JPS6027141A JPS6027141A JP13436883A JP13436883A JPS6027141A JP S6027141 A JPS6027141 A JP S6027141A JP 13436883 A JP13436883 A JP 13436883A JP 13436883 A JP13436883 A JP 13436883A JP S6027141 A JPS6027141 A JP S6027141A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は光照射炉への半導体ウェハー（不明細書では単
にウェハーと河う）のセット機構に関するものである。
にウェハーと河う）のセット機構に関するものである。
一般に加熱処理を行なうための昧謹のうち、白軌電球よ
りの放射光を被処理物に照射する光照射炉は、種々の特
長を有するため、■材等の熱処理及び乾燥、グラスチッ
ク成型、熱特性試験側１５に巾広くλ１１甲を引ている
。ｔ；寺に最近に卦いては、半導体の製造における加熱
が必要とさすする工程、例えば不純物拡散工程、化学的
気相成長工程、イオン打ち込み層の結晶欠陥の回復工部
、電気的活性化のための熱処理工程、史にｄシリコンウ
ェハーの表１１！″ｌｆ窒化若しくは酸化せしめるため
熱処理工程を縁付する場合の加熱炉として、従来力・ら
用いられている電気炉、高周波炉等に代って、光ｊ！４
１射炉の利用が検討きれている。こね、は、光照射炉に
かいては、被処理物を汚染し或いは電気的に惑影巻を与
えることがないこと、精神電力が小格いこと等の＃！１
ρ島、従来の加熱炉では大面積の仮処理物を均一に加熱
することができず、最近における半導体の大面積化に対
応することができないからである。
りの放射光を被処理物に照射する光照射炉は、種々の特
長を有するため、■材等の熱処理及び乾燥、グラスチッ
ク成型、熱特性試験側１５に巾広くλ１１甲を引ている
。ｔ；寺に最近に卦いては、半導体の製造における加熱
が必要とさすする工程、例えば不純物拡散工程、化学的
気相成長工程、イオン打ち込み層の結晶欠陥の回復工部
、電気的活性化のための熱処理工程、史にｄシリコンウ
ェハーの表１１！″ｌｆ窒化若しくは酸化せしめるため
熱処理工程を縁付する場合の加熱炉として、従来力・ら
用いられている電気炉、高周波炉等に代って、光ｊ！４
１射炉の利用が検討きれている。こね、は、光照射炉に
かいては、被処理物を汚染し或いは電気的に惑影巻を与
えることがないこと、精神電力が小格いこと等の＃！１
ρ島、従来の加熱炉では大面積の仮処理物を均一に加熱
することができず、最近における半導体の大面積化に対
応することができないからである。
トコ口で、ウェハーは石英ガラスなどの光透過性材料で
作られた搬送台によって光照射炉内の熱処理位置と炉外
の待機位置との間を搬送さ名、この待機位置で搬送台に
何えられたウニノ１−支持具に真空チャックなどの唖、
着機鷹により、生処理のウェハーを供給してセットＬ、
また、ｙ＋処理の完了したウェハーを支持具〃為ら回収
していた。１かＬながら、搬送台や支持、１．は石英ガ
ラスなどの光透過性材料で作られて込るために跪くて弱
く、更に、寸法精度よく製作することが困駿なため、支
持埒れたウニＩ・−の表面レベルが不均一となる。
作られた搬送台によって光照射炉内の熱処理位置と炉外
の待機位置との間を搬送さ名、この待機位置で搬送台に
何えられたウニノ１−支持具に真空チャックなどの唖、
着機鷹により、生処理のウェハーを供給してセットＬ、
また、ｙ＋処理の完了したウェハーを支持具〃為ら回収
していた。１かＬながら、搬送台や支持、１．は石英ガ
ラスなどの光透過性材料で作られて込るために跪くて弱
く、更に、寸法精度よく製作することが困駿なため、支
持埒れたウニＩ・−の表面レベルが不均一となる。
従って、Ｘ符〕チャックなどの一定のレベル２ Ｔ １
？、賃下する脱着様相でウェハーを脱着する際に、ウェ
ハ−のａ面しベルか少しでも高けれは搬送台などに力が
加わるため破１μする危険性があった。そして、熱処理
が完了した直後の高温のウニノ・−は、同じく高温の支
持几に支持嘔れて待機位置に搬送されて来るので、待博
位着のウニノー−は冷却づわにくく、従って、高温のウ
ニノ・−を取拐わかけ幻（７ｆなら斤い不桟合があった
。
？、賃下する脱着様相でウェハーを脱着する際に、ウェ
ハ−のａ面しベルか少しでも高けれは搬送台などに力が
加わるため破１μする危険性があった。そして、熱処理
が完了した直後の高温のウニノ・−は、同じく高温の支
持几に支持嘔れて待機位置に搬送されて来るので、待博
位着のウニノー−は冷却づわにくく、従って、高温のウ
ニノ・−を取拐わかけ幻（７ｆなら斤い不桟合があった
。
そこで本発明に、搬送白々どか破４０する危険性がすど
、そしてウエノ１−が十Ｂｔで冷却可能なウェハーのセ
ット校１構を提供ゴることを目的と【−１七の構成に、
中央の開口周縁部によりウニノ１−の周辺部を叉える支
持具を備えた光透過性材質よりなる搬送台と、ウニ／・
−を光照射炉内のｋ・処理位置と炉外の待機位置との凹
１．Ｐ送するべく搬送台を移動させる駆動機構と、熱処
理が完了して待ネでｐ位置に来たウニＩ・−を上方に突
き上げ、かつ台上に載１青さねた未処理のウエノ・−を
降下しながら支持具にセットする昇降台と、上昇限位置
にある昇降台上にウニノ・−を供給し、回収するウニノ
・−脱着機構とを含むことを特徴とする。
、そしてウエノ１−が十Ｂｔで冷却可能なウェハーのセ
ット校１構を提供ゴることを目的と【−１七の構成に、
中央の開口周縁部によりウニノ１−の周辺部を叉える支
持具を備えた光透過性材質よりなる搬送台と、ウニ／・
−を光照射炉内のｋ・処理位置と炉外の待機位置との凹
１．Ｐ送するべく搬送台を移動させる駆動機構と、熱処
理が完了して待ネでｐ位置に来たウニＩ・−を上方に突
き上げ、かつ台上に載１青さねた未処理のウエノ・−を
降下しながら支持具にセットする昇降台と、上昇限位置
にある昇降台上にウニノ・−を供給し、回収するウニノ
・−脱着機構とを含むことを特徴とする。
以下に図面に示す実施例に基いて本発明′ｆ：、Ｊ’ｌ
一体的に説明する。
一体的に説明する。
光照射炉１内にけ長尺なハロゲンランプなどよりなるラ
ング２が加熱空間３を囲むように上方および下方にそわ
それ平面状に密に並んで設けらねでかり、その発光が加
熱空間３に向けて囮射されるようにランプ２の背後にそ
れぞｆ１王ミラー４が設けられ、個１１方にも側方ミラ
ー５が設けらガている。これら主ミラー４、側方ミラー
５には図示略の冷却水路が設けられて冷却１ｔｌている
。光照射炉１０両端にはウェハー６を加熱空間３に出し
入れするための出入口１ａが設けられ、７７１］熱空間
３内には出入口１ａに面した両端に開口が設けられた石
英ガラス製の容器７が配置されているが、この中央部が
熱処理位ｆＲＴＰである。そして、必要に応じて出入口
１ａにはクヤッターが設けられる。
ング２が加熱空間３を囲むように上方および下方にそわ
それ平面状に密に並んで設けらねでかり、その発光が加
熱空間３に向けて囮射されるようにランプ２の背後にそ
れぞｆ１王ミラー４が設けられ、個１１方にも側方ミラ
ー５が設けらガている。これら主ミラー４、側方ミラー
５には図示略の冷却水路が設けられて冷却１ｔｌている
。光照射炉１０両端にはウェハー６を加熱空間３に出し
入れするための出入口１ａが設けられ、７７１］熱空間
３内には出入口１ａに面した両端に開口が設けられた石
英ガラス製の容器７が配置されているが、この中央部が
熱処理位ｆＲＴＰである。そして、必要に応じて出入口
１ａにはクヤッターが設けられる。
ウェハー６はホウ素をイオン注入した単結晶シリコンで
あり、搬送台８に工っで熱処理位１ｔ？、（ＴＰと出入
口１ａ近傍の待機位置ｗｐ１’ｒたケＷＰ、との間を搬
送されるが、搬送台８け光箒禍（壬材゛ｈ例えば石英ガ
ラス製であり、２木の長いフレーム８ａとその間のクロ
スメンバー８ｂとによりはしご状に形成されている。そ
して２本のクロスメンバー８ｂの段部によっで支持具９
が脱着自在に保接ζ名でいるが、この支持具９け２個備
えら台、その中心間距鴎は熱処理位ＲＴＰと待搏位蓋Ｗ
Ｐとの甲離に等しい。この支持具９の中央ｆｆｆ（にウ
ェハー６の大鋤さに相応する内形の開口が明けられ、こ
の開口にウェハー６″ｆ瞼め込んで、開口周邦の段Ｎ（
Ｋ 、Ｃリウエハー６′ｆ支持するようになっている。
あり、搬送台８に工っで熱処理位１ｔ？、（ＴＰと出入
口１ａ近傍の待機位置ｗｐ１’ｒたケＷＰ、との間を搬
送されるが、搬送台８け光箒禍（壬材゛ｈ例えば石英ガ
ラス製であり、２木の長いフレーム８ａとその間のクロ
スメンバー８ｂとによりはしご状に形成されている。そ
して２本のクロスメンバー８ｂの段部によっで支持具９
が脱着自在に保接ζ名でいるが、この支持具９け２個備
えら台、その中心間距鴎は熱処理位ＲＴＰと待搏位蓋Ｗ
Ｐとの甲離に等しい。この支持具９の中央ｆｆｆ（にウ
ェハー６の大鋤さに相応する内形の開口が明けられ、こ
の開口にウェハー６″ｆ瞼め込んで、開口周邦の段Ｎ（
Ｋ 、Ｃリウエハー６′ｆ支持するようになっている。
次に、両方の出入口１ａからそれぞれ外方にガイドレー
ル１０が設けられ、搬送台８の両端の町ηｈ枠８Ｃがこ
のガイドレール１０に摺動自在に保持されている。そし
て−力の可動枠８ＣとモータＭとけ図示略の送りねじ梓
で連結式れており、モータＭが正逆回転することにより
搬送台８が往復運動し、２個の支持具９が熱処理位置Ｔ
Ｐと２ケ所の待機位＋？ＪＷＰ＋およびＷＰ、のいずれ
力・どの間を移動する。そ【−て待琳位置ＷＰを挾んで
増大コンベヤー１１と搬出コンベヤー１２が対置さ幻、
ウェハー脱落機構である４本の真空チャックアーム１３
がそ：Ｍぞねのコンベヤー１１．１２の近傍に設けられ
ており、搬入コンベヤー１１上のウェハー６を待機位置
ＷＰへ、訃よび待機位置ＷＰのウェハー６ｆ搬出コンベ
ヤー１２上に吸引チャックして移送させる。更に待機位
置ＷＰＩお工びＷＰ、にはそ力、ぞれステンレス製の昇
降台１４Ａお工び１４Ｂが設けら引て上下運動を行うか
、昇降台１４の外径寸法は支持具９の中央開口の内径寸
法より小さくて、この中央開口を通過可能となってｈ
６ 、その上昇限位置はコンベヤー１１．１２ と同レ
ベルとなっている。そして、ウェハー６が支持具９に支
持されているときに、昇降台１４か下刃から上昇すると
ウェハー６は突き上げられ、逆に上方に位置する昇降台
１４かウェハー６を台上に載置して降下すると支持具９
の開口を３Ａ堝する陣にウェハー６が支持具９に支持さ
れるようにでる。
ル１０が設けられ、搬送台８の両端の町ηｈ枠８Ｃがこ
のガイドレール１０に摺動自在に保持されている。そし
て−力の可動枠８ＣとモータＭとけ図示略の送りねじ梓
で連結式れており、モータＭが正逆回転することにより
搬送台８が往復運動し、２個の支持具９が熱処理位置Ｔ
Ｐと２ケ所の待機位＋？ＪＷＰ＋およびＷＰ、のいずれ
力・どの間を移動する。そ【−て待琳位置ＷＰを挾んで
増大コンベヤー１１と搬出コンベヤー１２が対置さ幻、
ウェハー脱落機構である４本の真空チャックアーム１３
がそ：Ｍぞねのコンベヤー１１．１２の近傍に設けられ
ており、搬入コンベヤー１１上のウェハー６を待機位置
ＷＰへ、訃よび待機位置ＷＰのウェハー６ｆ搬出コンベ
ヤー１２上に吸引チャックして移送させる。更に待機位
置ＷＰＩお工びＷＰ、にはそ力、ぞれステンレス製の昇
降台１４Ａお工び１４Ｂが設けら引て上下運動を行うか
、昇降台１４の外径寸法は支持具９の中央開口の内径寸
法より小さくて、この中央開口を通過可能となってｈ
６ 、その上昇限位置はコンベヤー１１．１２ と同レ
ベルとなっている。そして、ウェハー６が支持具９に支
持されているときに、昇降台１４か下刃から上昇すると
ウェハー６は突き上げられ、逆に上方に位置する昇降台
１４かウェハー６を台上に載置して降下すると支持具９
の開口を３Ａ堝する陣にウェハー６が支持具９に支持さ
れるようにでる。
次に上計ｉ構成のセット機構のＦＴＥ １ｆｄ＋をｙ９
明すると、壕ず、一方の支持具９が待也４ｙｒＦｌ杼Ｗ
Ｐ、に位置すると昇降台１４Ａが上昇眼位ｆ母寸で上昇
する。そして、搬入コンベヤー１１上のウェハ−６が宵
空チャックアーム１３にチャックされて巧−降台１４Ａ
上番で移送これて載置ざねると昇降台１４Ａが降下し、
支持具９の開口′５ｒ通過する際にウェハー６が支持具
９に支持ζわる。そして、搬送台８が移１Ｔ１１してウ
ェハー６は熱処理位６９．ＴＰ ＶＣ搬送されるととも
に１１！！方の支持具９が待１−ｉ４４ イλン噴ＷＰ
、に位置し、ウェハー６が熱処理されている間に昇降台
１４Ｂが上昇し、先に説明した昇降台１４Ａにおける
と同じ作動で未処理のウェハー６が支持具９に支持され
る。そしてｐ）処理が完了すると再ひ裕送む８か逆方間
に移！Ｊｂ して処理痛のウェハー６が待イと位ｉｊ７
． Ｗ’ Ｐ＋に搬送さｔ′１．６とともに未処理のウ
ェハ−６が熱処理位ｖＴＰＫ考送イ台で熱処理が開始さ
ｔｌふ。この熱処理中にかいて昇［隆台１４Ａが再び下
方から上昇し、処理済のウェハー６を支持ｊル９から突
き上げて上昇限位置に停止する。そして、′：ｖｔ、？
チャックアーム１３がこのウェハー６をチャックして搬
出コンベヤー１２に移送して１サイクルが完了し１この
よう斤サイクルが１顆次繰返ざねることによりウェハー
６の熱処理が効率よ〈行わわる。
明すると、壕ず、一方の支持具９が待也４ｙｒＦｌ杼Ｗ
Ｐ、に位置すると昇降台１４Ａが上昇眼位ｆ母寸で上昇
する。そして、搬入コンベヤー１１上のウェハ−６が宵
空チャックアーム１３にチャックされて巧−降台１４Ａ
上番で移送これて載置ざねると昇降台１４Ａが降下し、
支持具９の開口′５ｒ通過する際にウェハー６が支持具
９に支持ζわる。そして、搬送台８が移１Ｔ１１してウ
ェハー６は熱処理位６９．ＴＰ ＶＣ搬送されるととも
に１１！！方の支持具９が待１−ｉ４４ イλン噴ＷＰ
、に位置し、ウェハー６が熱処理されている間に昇降台
１４Ｂが上昇し、先に説明した昇降台１４Ａにおける
と同じ作動で未処理のウェハー６が支持具９に支持され
る。そしてｐ）処理が完了すると再ひ裕送む８か逆方間
に移！Ｊｂ して処理痛のウェハー６が待イと位ｉｊ７
． Ｗ’ Ｐ＋に搬送さｔ′１．６とともに未処理のウ
ェハ−６が熱処理位ｖＴＰＫ考送イ台で熱処理が開始さ
ｔｌふ。この熱処理中にかいて昇［隆台１４Ａが再び下
方から上昇し、処理済のウェハー６を支持ｊル９から突
き上げて上昇限位置に停止する。そして、′：ｖｔ、？
チャックアーム１３がこのウェハー６をチャックして搬
出コンベヤー１２に移送して１サイクルが完了し１この
よう斤サイクルが１顆次繰返ざねることによりウェハー
６の熱処理が効率よ〈行わわる。
この様に本実施例によ名ば、待抄位情に昇降台を上下動
可能に設け、支持具に支持式りだ処理済のウェハーをこ
の昇降台で突き上げ、また昇降台を降下させて未処理の
ウェハーを支持具にセットするようにし、昇降台上で処
理済のウェハーの回収と未処理のウェハーυ、・供給を
行うようにしたので、脆くて弱い楡送台や支持具にウェ
ハー脱着機構を直接作用させてウェハーの供給、回収を
イ〕うことがなく、従って搬送台などがウェハー脱清時
に破損する危険性がなく、マだ、従来要求をれた破損防
止のための高寸法精度も要求さｆｌない。そして高温に
加熱さｈて炉外の待坤位ｖ４“に搬迦さ引たウェハーを
、同じく高潟に加熱；名た支持基から昇降台によりｆ＋
離上昇させるのでウェハーは効率よく冷却される。
可能に設け、支持具に支持式りだ処理済のウェハーをこ
の昇降台で突き上げ、また昇降台を降下させて未処理の
ウェハーを支持具にセットするようにし、昇降台上で処
理済のウェハーの回収と未処理のウェハーυ、・供給を
行うようにしたので、脆くて弱い楡送台や支持具にウェ
ハー脱着機構を直接作用させてウェハーの供給、回収を
イ〕うことがなく、従って搬送台などがウェハー脱清時
に破損する危険性がなく、マだ、従来要求をれた破損防
止のための高寸法精度も要求さｆｌない。そして高温に
加熱さｈて炉外の待坤位ｖ４“に搬迦さ引たウェハーを
、同じく高潟に加熱；名た支持基から昇降台によりｆ＋
離上昇させるのでウェハーは効率よく冷却される。
なお、本発明の構成は実施例において説明したものに限
らねるものではなく、特許請求の箱間を逸脱することな
く、種々の構成が可能である。
らねるものではなく、特許請求の箱間を逸脱することな
く、種々の構成が可能である。
以上説明したように、本発明によれば節牟な構造で、搬
送台などが破債する危険性がなく、そしてウェハーが十
分に冷却可能なウェハーのセット機構を提供することが
できる。
送台などが破債する危険性がなく、そしてウェハーが十
分に冷却可能なウェハーのセット機構を提供することが
できる。
第１図は本発明実施例の平面図、第２１７１ｆ−ｉ、同
じく正面図、第３図、第４図目間じく装部の正面］ネｊ
である。 １・・・光照射炉 ２・・・シンク ６・・・ウヱハ−
８・・・搬送台 ９・・・支持具 １１・・・搬入コン
ベヤー１２・・・搬出コンベヤー １３・・・真空チャ
ックアーム１４ （１４Ａ、１４Ｂ）・・・昇降台ＴＰ
・・・熱処理位置 ｗｐ、 、 ｗｐ、・・・待楼位置 出願人 ウシオを機株式会社 代理人 弁理士 田原寅之助
じく正面図、第３図、第４図目間じく装部の正面］ネｊ
である。 １・・・光照射炉 ２・・・シンク ６・・・ウヱハ−
８・・・搬送台 ９・・・支持具 １１・・・搬入コン
ベヤー１２・・・搬出コンベヤー １３・・・真空チャ
ックアーム１４ （１４Ａ、１４Ｂ）・・・昇降台ＴＰ
・・・熱処理位置 ｗｐ、 、 ｗｐ、・・・待楼位置 出願人 ウシオを機株式会社 代理人 弁理士 田原寅之助
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 中央の開口周縁部によりウェハーの周辺部を支える支持
具を備えた光透過性材質よりなる搬送台と、ウェハーを
光照射炉内の熱処理位ｆりと炉外の待機位置との間を搬
送するべく搬送台を移動させる駆動機構と、熱処理が完
了して待機位置に来たウェハーを上方に突き上げ、かつ
台上に載置ざ名。 た未処理のウェハーを降下しながら支持具にセットする
昇降台と、上昇限位漱にある昇降台上にウェハーを供給
し、回収するウェハー脱着機構とを含むウェハーのセｙ
ト機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13436883A JPS6027141A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | ウエハ−のセツト機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13436883A JPS6027141A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | ウエハ−のセツト機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027141A true JPS6027141A (ja) | 1985-02-12 |
| JPS6334622B2 JPS6334622B2 (ja) | 1988-07-11 |
Family
ID=15126740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13436883A Granted JPS6027141A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | ウエハ−のセツト機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027141A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07161632A (ja) * | 1993-07-16 | 1995-06-23 | Semiconductor Syst Inc | 基板コーティング／現像システム用熱処理モジュール |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5457867A (en) * | 1977-10-17 | 1979-05-10 | Nichiden Varian Kk | Vacuum processor with automatic wafer feeder |
| JPS56123552U (ja) * | 1980-02-20 | 1981-09-19 | ||
| JPS58118112A (ja) * | 1981-12-30 | 1983-07-14 | ア−ノン・エマニエル・ガツト | 半導体材料の熱処理装置 |
-
1983
- 1983-07-25 JP JP13436883A patent/JPS6027141A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5457867A (en) * | 1977-10-17 | 1979-05-10 | Nichiden Varian Kk | Vacuum processor with automatic wafer feeder |
| JPS56123552U (ja) * | 1980-02-20 | 1981-09-19 | ||
| JPS58118112A (ja) * | 1981-12-30 | 1983-07-14 | ア−ノン・エマニエル・ガツト | 半導体材料の熱処理装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07161632A (ja) * | 1993-07-16 | 1995-06-23 | Semiconductor Syst Inc | 基板コーティング／現像システム用熱処理モジュール |
| US5935768A (en) * | 1993-07-16 | 1999-08-10 | Semiconductor Systems, Inc. | Method of processing a substrate in a photolithography system utilizing a thermal process module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6334622B2 (ja) | 1988-07-11 |
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