JP3266287B2 - 加熱処理装置 - Google Patents
加熱処理装置Info
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は例えばガラス基板表面に
塗布した塗布液を乾燥せしめた後に加熱して被膜を形成
する加熱処理装置に関する。
塗布した塗布液を乾燥せしめた後に加熱して被膜を形成
する加熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）を連続して
効率よく製造する装置を本出願人は特願平２−９１６８
４号として先に提案した。この装置は上流部にガラス基
板の投入部を設け、この投入部の下流側に順次塗布装
置、減圧乾燥装置、ガラス基板の裏面洗浄装置及び加熱
部を配置した構成としている。
効率よく製造する装置を本出願人は特願平２−９１６８
４号として先に提案した。この装置は上流部にガラス基
板の投入部を設け、この投入部の下流側に順次塗布装
置、減圧乾燥装置、ガラス基板の裏面洗浄装置及び加熱
部を配置した構成としている。
【０００３】そして、加熱部における処理時間は他のス
テーションにおける処理よりも長時間を要するため、加
熱部には搬送方向に沿って複数のホットプレートを配置
し、クランク動をなす搬送装置でガラス基板を順に複数
のホットプレート上を移載することで他のステーション
における処理時間と合わせている。
テーションにおける処理よりも長時間を要するため、加
熱部には搬送方向に沿って複数のホットプレートを配置
し、クランク動をなす搬送装置でガラス基板を順に複数
のホットプレート上を移載することで他のステーション
における処理時間と合わせている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、処理
時間を合わせて時間的な効率を向上するために複数のホ
ットプレートを搬送方向に配列すると、装置全体が大型
化し、スペース的に不利が生じる。
時間を合わせて時間的な効率を向上するために複数のホ
ットプレートを搬送方向に配列すると、装置全体が大型
化し、スペース的に不利が生じる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明の加熱処理装置は、板状被処理物を搬送方向に沿っ
て順次処理する被膜形成ライン上で行われている板状被
処理物を所定時間加熱して板状被処理物表面に塗布され
た被膜を加熱乾燥せしめた後に搬出する加熱処理装置に
おいて、前記加熱処理装置は、上下方向に複数段のホッ
トプレートを備えた加熱部を有し、この加熱部は前記被
膜形成ライン上に配置され、前記加熱部の被膜形成ライ
ンの上流側には加熱部に沿った昇降機構が設けられ、こ
の昇降機構には前記加熱部の各段内に被膜形成ライン上
に沿って出入り可能なハンドラーユニットが設けられ、
又前記加熱部の各段内には前記ハンドラーユニットとホ
ットプレートとの間で板状被処理物を受け渡す受け渡し
ユニットが設けられ、更に加熱部の下流側には加熱乾燥
せしめた板状被処理物を被膜形成ラインに沿って搬出す
る搬送装置を設けた構成とした。
発明の加熱処理装置は、板状被処理物を搬送方向に沿っ
て順次処理する被膜形成ライン上で行われている板状被
処理物を所定時間加熱して板状被処理物表面に塗布され
た被膜を加熱乾燥せしめた後に搬出する加熱処理装置に
おいて、前記加熱処理装置は、上下方向に複数段のホッ
トプレートを備えた加熱部を有し、この加熱部は前記被
膜形成ライン上に配置され、前記加熱部の被膜形成ライ
ンの上流側には加熱部に沿った昇降機構が設けられ、こ
の昇降機構には前記加熱部の各段内に被膜形成ライン上
に沿って出入り可能なハンドラーユニットが設けられ、
又前記加熱部の各段内には前記ハンドラーユニットとホ
ットプレートとの間で板状被処理物を受け渡す受け渡し
ユニットが設けられ、更に加熱部の下流側には加熱乾燥
せしめた板状被処理物を被膜形成ラインに沿って搬出す
る搬送装置を設けた構成とした。
【０００６】
【作用】加熱部まで搬送されてきた板状被処理物はハン
ドラーユニットにより、上下方向に配列された複数のホ
ットプレートのいずれかの上方に送り込まれて加熱処理
され、加熱処理が終了したら、再びハンドラーユニット
にて取り出され冷却部等に送り込まれる。
ドラーユニットにより、上下方向に配列された複数のホ
ットプレートのいずれかの上方に送り込まれて加熱処理
され、加熱処理が終了したら、再びハンドラーユニット
にて取り出され冷却部等に送り込まれる。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図１は本発明に係る加熱処理装置を
組み込んだ被膜形成ラインの平面図、図２は同加熱処理
装置の正面図、図３は図２のＡ−Ａ方向矢視図、図４は
図２のＢ−Ｂ方向矢視図、図５は図２のＣ−Ｃ方向矢視
図である。
説明する。ここで、図１は本発明に係る加熱処理装置を
組み込んだ被膜形成ラインの平面図、図２は同加熱処理
装置の正面図、図３は図２のＡ−Ａ方向矢視図、図４は
図２のＢ−Ｂ方向矢視図、図５は図２のＣ−Ｃ方向矢視
図である。
【０００８】被膜形成ラインは図１の左側を上流部と
し、この上流部に矩形状をなす板状被処理物としてのガ
ラス基板Ｗの投入部１を設け、この投入部１の下流側に
塗布装置２を配置し、この塗布装置２の下流側に減圧乾
燥装置３、ガラス基板Ｗの裏面洗浄装置４及び本発明に
係る加熱処理装置５を配置している。そして、投入部１
から加熱処理装置５に至るまでは搬送装置６によってガ
ラス基板Ｗの下面を支持した状態で搬送するようにして
いる。
し、この上流部に矩形状をなす板状被処理物としてのガ
ラス基板Ｗの投入部１を設け、この投入部１の下流側に
塗布装置２を配置し、この塗布装置２の下流側に減圧乾
燥装置３、ガラス基板Ｗの裏面洗浄装置４及び本発明に
係る加熱処理装置５を配置している。そして、投入部１
から加熱処理装置５に至るまでは搬送装置６によってガ
ラス基板Ｗの下面を支持した状態で搬送するようにして
いる。
【０００９】加熱処理装置５は図２乃至図５に示すよう
に、中央を加熱部１０とし、この加熱部１０の上流側に
昇降機構２０とハンドラーユニット３０を配置し、下流
側にはガラス基板Ｗの下面を支持した状態で払い出す搬
送装置４０を設けている。
に、中央を加熱部１０とし、この加熱部１０の上流側に
昇降機構２０とハンドラーユニット３０を配置し、下流
側にはガラス基板Ｗの下面を支持した状態で払い出す搬
送装置４０を設けている。
【００１０】加熱部１０はボックス状をなすケース１１
内を複数段（図示例では四段）に区画し、上から三段ま
でにはホットプレート１２…を配置し、最下段にはクー
リングプレート１３を配置した冷却部１４としている。
内を複数段（図示例では四段）に区画し、上から三段ま
でにはホットプレート１２…を配置し、最下段にはクー
リングプレート１３を配置した冷却部１４としている。
【００１１】また加熱部１０の各段内には前記ハンドラ
ーユニット３０とホットプレート１２との間でガラス基
板Ｗを受け渡す受け渡しユニット５０を設けている。こ
の受け渡しユニット５０はケース１１の背面に図４及び
図５に示すようにパルスモータ５１…を固着し、このパ
ルスモータ５１にて回転せしめられるボールネジ５２に
プレート５３の基部を螺合し、プレート５３にＨ状をな
すようにバー５４，５４を取り付け、このバー５４に前
記ホットプレート１２に形成した穴に下方から貫通する
ピン５５を固着している。
ーユニット３０とホットプレート１２との間でガラス基
板Ｗを受け渡す受け渡しユニット５０を設けている。こ
の受け渡しユニット５０はケース１１の背面に図４及び
図５に示すようにパルスモータ５１…を固着し、このパ
ルスモータ５１にて回転せしめられるボールネジ５２に
プレート５３の基部を螺合し、プレート５３にＨ状をな
すようにバー５４，５４を取り付け、このバー５４に前
記ホットプレート１２に形成した穴に下方から貫通する
ピン５５を固着している。
【００１２】而して、パルスモータ５１を駆動すること
でピン５５は上下動し、ホットプレート１２に形成した
穴からその先端が出没する。つまりピン５５が上昇する
ことでホットプレート１２上に載置されていたガラス基
板Ｗが持ち上げられ、下降することでガラス基板Ｗがホ
ットプレート１２上に載置される。特にガラス基板Ｗを
ホットプレート１２上に載置するにあたり、ガラス基板
Ｗがホットプレート１２に接触する直前で一旦パルスモ
ータ５１を停止する等の操作を行うことで、ガラス基板
Ｗの加熱速度をコントロールすることができ、最適な加
熱条件を設定することが可能となる。
でピン５５は上下動し、ホットプレート１２に形成した
穴からその先端が出没する。つまりピン５５が上昇する
ことでホットプレート１２上に載置されていたガラス基
板Ｗが持ち上げられ、下降することでガラス基板Ｗがホ
ットプレート１２上に載置される。特にガラス基板Ｗを
ホットプレート１２上に載置するにあたり、ガラス基板
Ｗがホットプレート１２に接触する直前で一旦パルスモ
ータ５１を停止する等の操作を行うことで、ガラス基板
Ｗの加熱速度をコントロールすることができ、最適な加
熱条件を設定することが可能となる。
【００１３】また冷却部１４にもハンドラーユニット３
０とクーリングプレート１３との間でガラス基板Ｗを受
け渡す受け渡しユニット５６を設けているが、この受け
渡しユニット５６は基台上面に取り付けたパルスモータ
５７にてピン５８を昇降動かせしめるようにしている。
０とクーリングプレート１３との間でガラス基板Ｗを受
け渡す受け渡しユニット５６を設けているが、この受け
渡しユニット５６は基台上面に取り付けたパルスモータ
５７にてピン５８を昇降動かせしめるようにしている。
【００１４】一方、昇降機構２０はモータ２１にて回転
せしめられる上下方向のボールネジ２２にスライダ２３
のナット部を螺合し、このスライダ２３の上端に昇降プ
レート２４を取り付け、更に昇降プレート２４上に平行
な一対のボールネジ２５，２６を配置し、これらボール
ネジ２５，２６に前記ハンドラーユニット３０を支持せ
しめている。
せしめられる上下方向のボールネジ２２にスライダ２３
のナット部を螺合し、このスライダ２３の上端に昇降プ
レート２４を取り付け、更に昇降プレート２４上に平行
な一対のボールネジ２５，２６を配置し、これらボール
ネジ２５，２６に前記ハンドラーユニット３０を支持せ
しめている。
【００１５】即ちハンドラーユニット３０は上下一対の
アーム３１，３２からなり、それぞれのアーム３１，３
２がナット部材３１ａ，３２ａを介して前記ボールネジ
２５，２６に螺合し、ボールネジ２５，２６を個別に回
転せしめることで独立して加熱部１０に対して進退動を
なすようにしている。
アーム３１，３２からなり、それぞれのアーム３１，３
２がナット部材３１ａ，３２ａを介して前記ボールネジ
２５，２６に螺合し、ボールネジ２５，２６を個別に回
転せしめることで独立して加熱部１０に対して進退動を
なすようにしている。
【００１６】尚、アーム３１，３２はケース１１の側面
に形成した開口１１ａ…を介して加熱部１０の各段に出
入りし、またアーム３１，３２の上面にはテフロン製の
パッド３３を貼着している。
に形成した開口１１ａ…を介して加熱部１０の各段に出
入りし、またアーム３１，３２の上面にはテフロン製の
パッド３３を貼着している。
【００１７】以上において、投入部１にセットされたガ
ラス基板Ｗは搬送装置６により塗布装置２に送られ、こ
の塗布装置２においてノズル２ａからガラス基板Ｗ上に
塗布液を滴下し、次いでスピンナを回転し遠心力でガラ
ス基板Ｗ上面に塗布液を均一に拡散せしめ、この後減圧
乾燥装置３及び裏面洗浄装置４を経てガラス基板Ｗを加
熱処理装置５の下方位置で待機していたハンドラーユニ
ット３０のアーム３１上に載置する。
ラス基板Ｗは搬送装置６により塗布装置２に送られ、こ
の塗布装置２においてノズル２ａからガラス基板Ｗ上に
塗布液を滴下し、次いでスピンナを回転し遠心力でガラ
ス基板Ｗ上面に塗布液を均一に拡散せしめ、この後減圧
乾燥装置３及び裏面洗浄装置４を経てガラス基板Ｗを加
熱処理装置５の下方位置で待機していたハンドラーユニ
ット３０のアーム３１上に載置する。
【００１８】次いで、昇降機構２０にてハンドラーユニ
ット３０を加熱部１０の所定の段の高さまで上昇せし
め、更にボールネジ２５を回転せしめてガラス基板Ｗを
載置したアーム３１を開口１１ａを介して所定の段のホ
ットプレート１２上方に臨ませる。
ット３０を加熱部１０の所定の段の高さまで上昇せし
め、更にボールネジ２５を回転せしめてガラス基板Ｗを
載置したアーム３１を開口１１ａを介して所定の段のホ
ットプレート１２上方に臨ませる。
【００１９】そして、受け渡しユニット５０のパルスモ
ータ５１を駆動してピン５５をホットプレート１２を貫
通して上昇させ、ピン５５の先端にてガラス基板Ｗを受
け取る。
ータ５１を駆動してピン５５をホットプレート１２を貫
通して上昇させ、ピン５５の先端にてガラス基板Ｗを受
け取る。
【００２０】而る後、アーム３１を加熱部１０外に引き
出し、パルスモータ５１を逆方向に回転してピン５５を
下降させ、ホットプレート１２上にガラス基板Ｗを載置
する。この際、載置直前にパルスモータを停止する等の
操作で所定の加熱条件を設定できるのは前記した通りで
ある。
出し、パルスモータ５１を逆方向に回転してピン５５を
下降させ、ホットプレート１２上にガラス基板Ｗを載置
する。この際、載置直前にパルスモータを停止する等の
操作で所定の加熱条件を設定できるのは前記した通りで
ある。
【００２１】このようにして、加熱部１０の各段にガラ
ス基板Ｗを投入するために、ハンドラーユニット３０は
昇降機構２０によって上下動を繰り返すわけであるが、
下降する際には加熱処理が終了したガラス基板Ｗをアー
ム３２上に載置して下降してくる。
ス基板Ｗを投入するために、ハンドラーユニット３０は
昇降機構２０によって上下動を繰り返すわけであるが、
下降する際には加熱処理が終了したガラス基板Ｗをアー
ム３２上に載置して下降してくる。
【００２２】即ち、最初にガラス基板Ｗを投入する場合
を除いて、加熱部１０の各段には既に前に投入したガラ
ス基板Ｗが入っているので、未処理のガラス基板Ｗを載
置しているアーム３１を加熱部１０内に挿入する前に、
予め受け渡しユニット５０にて処理後のガラス基板Ｗを
ホットプレート１２から持ち上げておき、この持ち上げ
られたガラス基板Ｗの下に空のアーム３２を臨ませ、ア
ーム３２上に処理後のガラス基板Ｗを載置し、加熱部１
０外に処理後のガラス基板Ｗを引き出した後に未処理の
ガラス基板Ｗを載置したアーム３１を加熱部１０内に挿
入する。
を除いて、加熱部１０の各段には既に前に投入したガラ
ス基板Ｗが入っているので、未処理のガラス基板Ｗを載
置しているアーム３１を加熱部１０内に挿入する前に、
予め受け渡しユニット５０にて処理後のガラス基板Ｗを
ホットプレート１２から持ち上げておき、この持ち上げ
られたガラス基板Ｗの下に空のアーム３２を臨ませ、ア
ーム３２上に処理後のガラス基板Ｗを載置し、加熱部１
０外に処理後のガラス基板Ｗを引き出した後に未処理の
ガラス基板Ｗを載置したアーム３１を加熱部１０内に挿
入する。
【００２３】そして、処理後のガラス基板Ｗを載置した
アーム３２と、加熱部１０に未処理のガラス基板Ｗを送
り込んで空になったアーム３１は一体的に下降し、アー
ム３１には新たなガラス基板Ｗが載せられ、アーム３２
は更に前進して冷却部１４のクーリングプレート１３上
に処理後のガラス基板Ｗを受け渡しユニット５６を介し
て移載する。
アーム３２と、加熱部１０に未処理のガラス基板Ｗを送
り込んで空になったアーム３１は一体的に下降し、アー
ム３１には新たなガラス基板Ｗが載せられ、アーム３２
は更に前進して冷却部１４のクーリングプレート１３上
に処理後のガラス基板Ｗを受け渡しユニット５６を介し
て移載する。
【００２４】尚、実施例にあっては加熱部の各段をそれ
ぞれ個別の加熱部として作用するようにしたが、例えば
最上段のホットプレートで予備の加熱処理を行い、この
後更に下方のホットプレートで加熱処理する等の使用方
法は任意である。また冷却部の位置も任意であり、例え
ば最上段にクーリングプレートを配置してもよい。
ぞれ個別の加熱部として作用するようにしたが、例えば
最上段のホットプレートで予備の加熱処理を行い、この
後更に下方のホットプレートで加熱処理する等の使用方
法は任意である。また冷却部の位置も任意であり、例え
ば最上段にクーリングプレートを配置してもよい。
【００２５】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
ガラス基板等の板状被処理物を加熱処理する装置の加熱
部を、上下方向に複数段にし、各段にホットプレートを
設けるとともに各段にハンドラーユニットによって板状
被処理物を出し入れ可能としたので、例えば加熱処理装
置を組み込んだ被膜形成ラインの全長を時間的効率を低
下させることなく短くできる。
ガラス基板等の板状被処理物を加熱処理する装置の加熱
部を、上下方向に複数段にし、各段にホットプレートを
設けるとともに各段にハンドラーユニットによって板状
被処理物を出し入れ可能としたので、例えば加熱処理装
置を組み込んだ被膜形成ラインの全長を時間的効率を低
下させることなく短くできる。
【図１】本発明に係る加熱処理装置を組み込んだ被膜形
成ラインの平面図
成ラインの平面図
【図２】同加熱処理装置の正面図
【図３】図２のＡ−Ａ方向矢視図
【図４】図２のＢ−Ｂ方向矢視図
【図５】図２のＣ−Ｃ方向矢視図
２…塗布装置、５…加熱処理装置、１０…加熱部、１２
…ホットプレート、１３…クーリングプレート、１４…
冷却部、２０…昇降機構、３０…ハンドラーユニット、
５０，５６…受け渡しユニット、５１，５７…パルスモ
ータ、５５，５８…ピン、Ｗ…板状被処理物。
…ホットプレート、１３…クーリングプレート、１４…
冷却部、２０…昇降機構、３０…ハンドラーユニット、
５０，５６…受け渡しユニット、５１，５７…パルスモ
ータ、５５，５８…ピン、Ｗ…板状被処理物。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 工藤 勝彦 神奈川県相模原市相南３丁目27番１− 304 (72)発明者 熊澤 博嗣 神奈川県平塚市万田140湘南アメニティ 旭405 (72)発明者 藤山 重美 神奈川県藤沢市本藤沢６−13−14−201 (72)発明者 川上 和志 岡山県小田郡矢掛町東三成2397−１ (56)参考文献 特開 平２−1907（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−196414（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 板状被処理物を搬送方向に沿って順次処
理する被膜形成ライン上で行われている板状被処理物を
所定時間加熱して板状被処理物表面に塗布された被膜を
加熱乾燥せしめた後に搬出する加熱処理装置において、前記 加熱処理装置は、上下方向に複数段のホットプレー
トを備えた加熱部を有し、この加熱部は前記被膜形成ラ
イン上に配置され、前記加熱部の被膜形成ラインの上流
側には加熱部に沿った昇降機構が設けられ、この昇降機
構には前記加熱部の各段内に被膜形成ライン上に沿って
出入り可能なハンドラーユニットが設けられ、又前記加
熱部の各段内には前記ハンドラーユニットとホットプレ
ートとの間で板状被処理物を受け渡す受け渡しユニット
が設けられ、更に加熱部の下流側には加熱乾燥せしめた
板状被処理物を被膜形成ラインに沿って搬出する搬送装
置を設けたことを特徴とする加熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16000591A JP3266287B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 加熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16000591A JP3266287B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 加熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04357823A JPH04357823A (ja) | 1992-12-10 |
| JP3266287B2 true JP3266287B2 (ja) | 2002-03-18 |
Family
ID=15705922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16000591A Expired - Fee Related JP3266287B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 加熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3266287B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0634783B1 (en) * | 1993-07-16 | 1997-08-06 | Semiconductor Systems, Inc. | Thermal process module for substrate coat/develop system |
| US6861619B1 (en) | 2000-02-07 | 2005-03-01 | Therma-Wave, Inc. | Method and apparatus for preparing semiconductor wafers for measurement |
| US6261853B1 (en) | 2000-02-07 | 2001-07-17 | Therma-Wave, Inc. | Method and apparatus for preparing semiconductor wafers for measurement |
-
1991
- 1991-06-03 JP JP16000591A patent/JP3266287B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04357823A (ja) | 1992-12-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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