KR950002023A - 반도체 메모리 장치의 비트라인 구조 - Google Patents

반도체 메모리 장치의 비트라인 구조 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 메모리 장치의 비트라인 구조에 관한 것으로서, 특히 Y-셀렉터라인 동작시 Y-셀렉터신호에 의한 인접한 비트라인에 미치는 영향을 최소한으로 감소시킴으로서 고집적 메모리 소자에 적당하도록 한 반도체 메모리 장치의 비트라인 구조에 관한 것이다.
이를 위하여 다수의 제1 및 제 2 비트라인(A,/A)(B,/B)쌍과 Y-셀렉터라인(YL)을 갖는 반도체 메모리 장치의 비트라인 구조에 있어서, 상기 한 쌍의 제 1 비트라인 (A,/A)은 직선으로 배치되고, 상기 제 1 비트라인(A,/A)에 이웃한 다른 한 쌍의 제 2 비트라인(B,/B)은 1/2위치에서 교차되고, 상기 Y-셀렉터라인(YL)은 1/2은 교차되지 않은 제 1 비트라인(A,/A) 사이에 위치되고, 상기 Y-셀렉터라인(YL)의 나머니 1/2은 교차되어 있는 제 2 비트라인(B,/B) 사이에 배치되고, 상기 Y-셀렉터라인(YL)은 제1 및 제 2 비트라인(A,/A)(B,/B)의 중앙부분에서 연결되어 이루어진 것이다.

Description

반도체 메모리 장치의 비트라인 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치의 비트라인 구조도.

Claims (2)

  1. 다수의 제1 및 제 2 비트라인(A,/A)(B,/B)쌍과 Y-셀렉터라인(YL)을 갖는 반도체 메모리 장치의 비트라인 구조에 있어서, 상기 한 쌍의 제 1 비트라인(A,/A)은 직선으로 배치되고, 상기 제 1 비트라인(A,/A)에 이웃한 다른 한쌍의 제 2 비트라인(B,/B)은 1/2위치에서 교차되고, 상기 Y-셀렉터라인(YL)은 1/2은 교차되지 않은 제 1 비트라인(A,/A) 사이에 위치되고, 상기 Y-셀렉터라인(YL)은 나머지 1/2은 교차되어 있는 제 2 비트라인(B,/B) 사이에 배치되고, 상기 Y-셀렉터라인(YL)은 제1 및 제 2 비트라인(A,/A)(B,/B)의 중앙부분에서 연결되도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 비트라인 구조.
  2. 제 1 항에 있어서 상기 Y-셀렉터라인(YL)은, 상기 제 1 비트라인(A,/A)의 1/2지점에서는 위로 배치되고, 상기 제 2 비트라인(B,/B)의 1/2지점에서는 아래로 배치되도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 비트라인 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930009851A 1993-06-02 1993-06-02 반도체 메모리 장치의 비트라인 구조 KR100298871B1 (ko)

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JPS63108593A (ja) * 1986-10-27 1988-05-13 Fujitsu Ltd ダイナミツクランダムアクセスメモリ
JPH07109878B2 (ja) * 1988-11-16 1995-11-22 株式会社東芝 半導体記憶装置

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