KR950001671B1 - 실리카 피막을 형성시키기 위한 급속 열처리법 - Google Patents

실리카 피막을 형성시키기 위한 급속 열처리법 Download PDF

Info

Publication number
KR950001671B1
KR950001671B1 KR1019910009913A KR910009713A KR950001671B1 KR 950001671 B1 KR950001671 B1 KR 950001671B1 KR 1019910009913 A KR1019910009913 A KR 1019910009913A KR 910009713 A KR910009713 A KR 910009713A KR 950001671 B1 KR950001671 B1 KR 950001671B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
resin
silica
coating
rtp
Prior art date
Application number
KR1019910009913A
Other languages
English (en)
Other versions
KR930000800A (ko
Inventor
찬드라 그리쉬
아일린 젠틀 테레사
Original Assignee
다우 코닝 코포레이션
노만 에드워드 루이스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다우 코닝 코포레이션, 노만 에드워드 루이스 filed Critical 다우 코닝 코포레이션
Publication of KR930000800A publication Critical patent/KR930000800A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950001671B1 publication Critical patent/KR950001671B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/14—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silica
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
    • C23C18/1212—Zeolites, glasses
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • C23C18/122—Inorganic polymers, e.g. silanes, polysilazanes, polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
    • C23C18/1279—Process of deposition of the inorganic material performed under reactive atmosphere, e.g. oxidising or reducing atmospheres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
    • C23C18/143—Radiation by light, e.g. photolysis or pyrolysis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/02134—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material comprising hydrogen silsesquioxane, e.g. HSQ
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02345—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
    • H01L21/3121—Layers comprising organo-silicon compounds
    • H01L21/3122—Layers comprising organo-silicon compounds layers comprising polysiloxane compounds
    • H01L21/3124—Layers comprising organo-silicon compounds layers comprising polysiloxane compounds layers comprising hydrogen silsesquioxane

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Consolidation Of Soil By Introduction Of Solidifying Substances Into Soil (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

실리카 피막을 형성시키기 위한 급속 열처리법
본 발명은 급속 열처리법(RTP)에 의해 수소 실세스퀴옥산 수지 피막을 세라믹 실리카 피막으로 전환시킬 수 있다는 발견에 기초하고 있다. 이 기술은 전자장치에 보호층과 유전 실리카층을 형성시키는데 특히 유용하다.
전자장치용의 보호 및 유전층으로서 박막의 세라믹 실리카 피막을 사용하는 것은 본 기술분야에 공지되어 있다. 예를 들면, 미합중국 특허 제4,756,977호에는 전자장치를 포함하는 다양한 기판에 수소 실세스퀴옥산 수지 유도된 실리카 피막을 시용하는 방법이 기술되어 있다. 이 특허에는, 수소 실세스퀴옥산 수지용액을 기판에 도포하고, 용매를 증발시켜 예비세라믹 피막을 침착시킨 다음, 통상의 노 내에서 150 내지 1000℃의 온도로 가열하여 기판을 피복시키는 방법이 교시되어 있다. 이렇게 형성된 피막은 하부 기판에 대해 탁월한 환경보호를 제공하며 전기 전도를 효과적으로 방지한다.
이들의 유호성에도 불구하고, 이러한 통상의 방법은 수소 실세스퀴옥산 수지의 산화 및 치밀화를 위해 높은 열 예산 (thermal budget ; 온도 ×시간)의 사용을 필요로 한다. 이러한 높은 열 예산은 기판을 손상 또는 파괴할 수 있기 때문에 온도에 민감한 많은 용도에 적합하지 않다. 특히 문제가 되는 것은 전자산업의 경우인데, 그 이유는 최근의 전자산업이 장치의 치수를 줄이고 웨이퍼당 회로수를 증가시키는 방향으로 진보하고 있어서 웨이퍼를 열처리하는 데에는 심각한 제약이 따르기 때문이다.
수소 실세스퀴옥산 수지에 필요한 열 예산을 줄이기 위한 시도로서, 연구자들은 다양한 저온 전환방법을 개발하였다. 예를 들면, 미합중국 특허원 제07/312,457호에는, 수소 실세스퀴옥산을 40℃의 낮은 온도에서 실리카로 전환시키는 방법이 기술되어 있다.
급속 열처리법(RTP)은 기판이 승온에 있는 기산을 감소시킴으로써 기판의 열 예산을 줄이는 기술이다. 이 기술은 목적하는 물리적 또는 화학적 처리가 완료되지만 기판이 악영향을 받지 않는 시간 동안 얇은 피막을 승온으로 급속하게 가열(50 내지 300℃/초)하는 고강도 방사선을 사용한다. 이 기술은 그 자체로서, 예를 들면, 반도체의 결정의 질을 향상시키고, 이온-주입된 단결정 실리콘을 어닐링하며, 이온-주입된 다결정 실리콘을 어닐링하고, 이온-주입된 화학물 반도체를 어닐링하며, 금속 반도체 접점을 어닐링히고, 규화물을 형성시키며, 유전체를 형성시켜 어닐링하고, 표면안정화 유리를 재유동시킴을 포함하는 전자산업에 적용된다.
문헌[참조 : Singh in J. Appl.Phys.63(8), 15 April 1988]은 급속 등온 처리(RTP와 동의어), 이의 메카니즘 및 다양한 용도를 전반적으로 검토하고 있다. 이 문헌에는 열성장 SiO2층의 형성에 이의 용도가 포함된다. 그러나, 이 문헌은 실리카 공급원으로서 수소 실세스퀴옥산 수지를 사용하는 것에 대해서 기술하고 있지 않다.
마찬가지로, 문헌[참조 : Lassig et al. of Peak Systems, Inc.]에는 RTP를 사용하여 다양한 스핀-온유리 필름을 SiO2피복물로 전환시키는 방법이 기술되어 있다. 싱(Singh)의 문헌에서와 같이 라시그(Lassig) 등도 실리카 공급원으로서 수소 실세스퀴옥산 수지를 사용하는 것에 대해 기술하지 않았다.
본 발명에 이르러, RTP를 사용하여 수소 실세스퀴옥산수지를 고밀도 및 저필름 응력과 같은 바람직한 특성을 갖는 실리카 피막으로 급속히 전환시킬 수 있음을 예기치 않게 밝혀내게 되었다.
본 발명은 실리카 피막을 기판에 피복하는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 기판을 수소 실세스퀴옥산 수지와 용매를 포함하는 용액으로 피복하는 것을 포함한다. 용매를 증발시켜 수소 실세스퀴옥산 수지 피막을 침착시킨다. 그런 다음, 피복된 기판을 수소 실세스퀴옥산 수지 피막의 실리카 피막으로의 전환을 촉진시키기에 충분하도록 가열하기 위해 가시광 영역, 적외선 영역, 자외선 영역 및 이들의 혼합 영역으로 이루어지는 그룹 중에서 선택된 스펙트럼 영역의 비간섭 광을 포함하는 고강도 방사선에 노출시킨다.
본 발명은 급속 열처리법(RTP)을 사용하여 수소 실세스퀴옥산 수지(H-수지)피막을 낮은 열 예산으로 실리카 피막으로 급속히 전환시킬 수 있다는 발견에 기초하고 있다. 이러한 급속 전환은 특히 예기치 못한 것인데, 이는 무엇보다도 본 기술이 Si-H결합의 Si-OH로의 전환 및 당해 물질의 실리카로의 축합에 장시간(즉, 통상 1시간 초과)이 요구됨을 교시하고 있기 때문이다. 더우기, 본 기술은 RTP가 Si-H산화시간을 초 또는 분 단위로 줄일 수 있다는 것을 전혀 시사하지 않는다.
RTP의 근본 개념은 열적으로 고립된 기판에서 피막을 복사 가열 및 냉각시키면 온도 변화가 급속하면서도 균일해져 기판에 원치 않는 유해한 반응이 일어나지 않고 피막에 목적하는 반응이 일어나는 시점까지 열 예산이 감소된다는 점이다. 이를 달성하기 위해, 기판과 피막을 가시광, 적외선 및/또는 자외선 영역(파장 약 0.1 내지 4μm)의 비간섭 광을 포함하는 고강도 방사선 조사를 중단하고 피복된 기판을 방사선에 의해 주위온도로 냉각시킨다. 가열과 냉각은, 기판을 낮은 열량 및 매우 낮은 열전도성을 갖는 수단에 의해 열적으로 고립시킨 조절된 환경(온도, 얍력 및 기압)에서 일어난다.
본 발명에서는 이 개념을 이용하여 H-수지 유도된 실리카 피막을 도포할 수 있음을 밝혀내었다. 이 방법에서, 고강도 방사선 공급원을 사용하여 예비 세라믹 H-수지 피막을 실피카 피막을 전환시키기에 충분한 온도(약 200℃이상)로 가열(초당 약 30 내지 약 500℃)하고 실리카를 전환시키기에는 충분하면서도 기판을 손상시키기에는 충분하지 않은 시간(약 1초 이상)동안 이 온도를 유지시킨다. 그런 다음, 방사선 조사를 중단하고 피복된 기판을 냉각시킨다. 이 방법에 의해, 기판에 악영향을 미치지 않고 평면화, 무균열 실리카 피막이 급속히 형성된다. 더우기, 조절된 환경을 사용하기 때문에, 산소, 습윤 또는 건조 암모니아 또는 아민과 같은 반응성 기체를 도입하여 실리카 전환을 보조할 수 있다.
급속 열처리는 또한 통상의 노 열분해에 비해 다수의 다른 이점을 갖는다. 예를 들면, 1) 이 방법은 비교적 저렴하다. 본 명세서에서 기술되어 있는 RTP시스템의 비용은 다른 보다 통상적인 열분해 장비에 비해 비싸지 않다. 2) 이 방법은 비교적 에너지가 효율적이다. 이 효과는 전기가 비교적 효과적으로 고장도 방사선으로 전환되고 열 에너지가 기판에 직접 커플링됨으로써 수득된다. 3) 이 방법은 기판의 처리량을 높히기 위한 수단을 제공한다. 잇점은 처리에 짧은 시간이 필요하다는 것이며, 따라서 이 방법을 대량 제조에 적용 할 수 있다.
마찬가지로, 이 기술에 의해 제조된 피막은 통상의 노 소성시킨 피막에 비해 다수의 바람직한 특성을 갖는다. 1) 이 방법에 의해 제조된 필름의 응력의 양은 통상적으로 노 처리된 것보다 훨씬 감소된다. 본 명세서에서 논의한 바와 같이, 이 효과는, 피막을 기판 외부로부터 가열하여 휘발성분을 증발시킴으로써 수득된 결과이다. 2) 이렇게 피복된 전자장치는 a) 결합 용착부에서 최소의 결합 강도 손실(결합 인장), b) 힐록(Hillock) 성장의 둔화 및 c) 결합 용착부에서 금속간 화합물 형성의 저하(자색 플라크)를 나타낸다. 3) 이렇게 피복된 전자 장치의 성능은 변하지 않는다. 반면에, 높은 열 예산을 사용하는 통상의 처리는 장치 기능에 악영향을 미칠 수 있다. 4)RTP를 사용하여 제조한 피막은 통상의 기술을 사용하여 제조한 피막보다 밀도가 높다. 이러한 피막은 그 자체로서 뛰어난 보호 및 유전효과를 제공한다.
상기 처리 및 제품-관련 잇점 때문에, 본 발명의 방법은 전자 장치, 전자 회로 또는 예를 들면 폴리이미드, 에폭시드, 폴리테트라플루오로에틸렌 및 이의 공중합체, 폴리카보네이트, 아크릴 화합물 및 폴리에스테르를 포함하는 플라스틱 상에 보호 또는 유전 피막을 침착시키는데 특히 유용하다. 그러나, 본 발명에 의해 피복될 기판 및 장치의 선택은 RTP에 사용되는 조건하에서 기판의 열적 및 화학적 안정성의 필요에 의해서만 제한된다. 본 명세서에서 교시한 피막은 또한 트랜지스터 유사장치를 제조하기 위한 인터레벨 유전층, 도우핑된 유전층, 캐패시터 및 캐패시터 유사 장치를 제조하기 위한 실리콘-함유 안료 첨가 결합제 시스템, 다층 장치, 3-D 장치, 절연체 장치상의 실리콘, 초전도체용 피복물, 초격자 장치 등으로 사용할 수 있다.
본 발명에 사용되는 바와 같이, "실리카"(SiO2)란 무정형 실리카 및 잔류 탄소, 실라놀(Si-OH) 및/또는 수소가 완전히 제거되지 않은 무정형 실리카-유사 물질 둘 다를 포함한다. 또한 이 "실리카"란 표현은 하기하는 바와 같이 개질 세라믹 산화물을 30중량% 이하 함유할 수 있다. 이러한 실리카 또는 실리카-유사 물질은 실리카 전환에 사용되는 온도 및 시간에 따라 다양한 밀도를 가질 수 있다. "수소 실세스퀴옥산 수지" 또는 "H-수지"란 표현은 완전히 축합된 하이드리도실란 수지 및 단지 부분적으로 가수분해되고/되거나 부분적으로 축합됨으로써 잔류 SiOR 및/도는 SiOH치환제를 함유할 수 있는 수지를 포함한다. "전자 장치" 또는 "전자 회로"란 표현은 실리콘을 기본으로 하는 장치, 비소화 갈륨을 기본으로 하는 장치, 초점면 어레이, 광전자 장치, 광전지 및 광학 장치가 포함되지만 이에 한정되지는 않는다.
위에서 정의한 바와 같이, 본 발명에 사용되는 수소 실세스퀴옥산 수지에는 완전히 축합된 수지 및 단지 부분적으로 가수분해 및/또는 축합된 수지도 포함된다. 완전히 축합된 H-수지의 예에는 프라이에(Frye) 등의 미합중국 특허 제3,615,272호에 기재되어 있는 방법에 의해 형성된 수지가 있다. 이 중합체 물질을 일반식(HSiO3/2)n(여기서, n은 통상 8 내지 1000이다)의 단위를 갖는다. 수지는 수평균분자량이 약 800 내지 2900의 중량평균분자량이 약 8000 내지 28,000이다. 충분히 가열될 경우, 이 물질은 사실상 SiH결합이 없는 세라믹 실리카 피막을 생성한다. 이 물질이 완전히 축합되것으로 기술되어 있으나, 최근의 분석 결과 100 내지 200ppm이하의 실라놀이 존재할 수 있음이 확인되었다.
완전히 축합되지 않을 수 있는 H-수지[일반식 HSi(OH)aO3-8/2(여기서, a는 0 내지 2이다)의 단위를 포함하는 중합체]의 예에는 뱅크(Bank) 등의 미합중국 특허원 제07/401,726호의 수지 또는 프라이에 등의 미합중국 특허원 제07/386,450호의 수지가 있다. 뱅크 등은 하이드리도실란을 아릴설폰산 하이드레이트 가수분해 매질중에서 가수분해시켜 수지를 형성시킨 다음, 중화제와 접촉시키는 단계를 포함하는 방법을 기술하고 있다. 최근의 실험에 따르면, 사실상 균열이 없는 피막을 형성하는 특히 바람직한 H-수지는 산/실란비가 약 2.67: 1이상, 바람직하게는 약 6/1인 방법으로 제조할수 있다. 프라이에 등은 물 또는 HCl 및 금속 산화물을 가하여 비-황 함유 극성 유기 용매 중에서 트리클로로실란을 가수분해하는 것을 포함하는 방법을 기술하고 있다. 여기서 금속 산화물은 HCl 스캔빈저로서 작용함으로써 계속적인 수 공급원으로서의 역할을 한다.
완전히 가수분해 또는 축합되지 않은 H-수지의 예에는 바니(Baney) 등의 미합중국 특허원 제07/483,525호가 있다. 이 특허원에는 일반식 HSi(OH)×(OR)yO2/2(여기서, R은 각각 독립적으로, 산소원자를 통해 규소에 결합시 가수분해성 치환제를 형성하는 유기 그룹이고, x는 0 내지 2이며, y는 0 내지 2이고, z는 1 내지 3이며, x,y 및 z의 합은 3이고, 중합체 단위 전체에 걸쳐 y의 평균치는 0을 초과한다)의 단위를 갖는 가용성 중합체가 기술되어 있다. 이 식에서 R그룹의 예에는 메틸, 에틸, 프로필 등과 같은 탄소수 1 내지 6의 알킬, 페닐과 같은 아릴 및 비닐과 같은 알케닐이 포함된다. 이 특허원에 기술되어 있는 바와 같이, 이들 수지는 산성화된 산소-함유 극성 유기 용매 중에서 물로 하이드로카본옥시 하이드리도실란을 가수분해 하는 것을 포함하는 방법으로 제조할 수 있다.
H-수지를 용매에 용해시켜 도포용 용액을 형성시킨다. 용해시 교반 및/ 또는 가열과 같은 다양한 촉진수단을 사용하여 H-수지를 더욱 효과적으로 용해시켜 더욱 균일한 용액을 형성시킨다. 용매는 H-수지를 용해시켜 세라믹 피막에 영향을 미치지 않고 균일한 용액을 형성시키는 시약 또는 시약들의 혼합물일 수 있다. 이들 용매는, 예를 들면, 에틸 또는 이소프로필과 같은 알콜, 벤젠 또는 톨루엔과 같은 방향족 탄화수소, n-헵탄 또는 도데칸과 같은 알칸, 케톤, 에스테르, 글리콜 에테르 또는 사이클릭 디메틸실록산을, 상기 물질을 저함량의 고체로 용해시키기에 충분한 양으로 포함할 수 있다. 통상, 용매를 충분히 사용하여 0.1 내지 50중량 %용액을 형성시킨다.
H-수지 이외에. 피복 용액은 또한 개질 세라믹 산화물 전구체를 포함할 수 있다. 본 명세서에서 사용될 수 있는 개질 세락믹 산화물 전구체에는 알루미늄, 타탄, 지르코늄, 탄탈, 니오브 및/또는 바나듐과 같은 다양한 금속의 화합물 이외에 붕소 또는 인의 화합물과 같은 다양한 비금속의 화합물이 포함된다. 따라서, "개질 세라믹 산화물 전구체"란 표현은 이러한 금속 또는 비금속에 결합되어 있는 하나 이상의 가수분해성 그룹을 갖는 금속 및 비금속 화합물을 포함한다. 가수분해성 그룹의 예에는 알콕시(예 : 메톡시, 에톡시, 프로폭시 등), 아실옥시(예 : 아세톡시) 또는 산소를 통해 위의 금속 또는 비금속에 결합된 다른 유기 그룹이 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 이들 조성물은 실리카 전구체와 혼합시 가용성 용액을 형성하여야 하며 비교적 저온에서 비교적 빠른 반응속도로 가수분해된 후, 계속하여 열분해되어 개질 세라믹 산화물 피복물을 형성할수 있어야 한다. 이러한 개질 세라믹 산화물 전구체를 사용할 때, 이는 통상 최종 세라믹 피복물이 0.1 내지 30중량%의 개질 세라믹 산화물을 함유하도록 하는 양으로 예비 세라믹 혼합물중에 존재한다.
개질 세라믹 산화물 전구체의 예에는 테트라 n-프로폭시 지르코늄, 케트라이소부톡시 티탄, 알루미늄 트리스펜탄 디오네이트, 펜타에톡시 탄탈, 트리프로폭시 바타듐, 펜타에톡시니오브, 지르코늄 펜탄디오네이트 및 티탄 디부톡시 비스펜탄 디오네이트가 포함된다.
개질 세라믹 산화물 전구체가 H-수지 예비세라믹 용액에 포함되어야 할 경우, 이들 전구체를 H-수지 및 용매를 포함하는 용액에 용해시키고 개질 세라믹 산화물 전구체가 H-수지 구조내로 반응하기에 충분한 시간 동안 실온에서 방치한다. 통상, 상기 반응이 일어나는데 약 2시간이 넘게 걸린다. 그런 다음, 다음과 같이 용액을 기판에 도포한다. 다르게는, 개질 산화물 전구체를 가수분해시키거나 부분적으로 가수분해시키고 용매 및 H-수지를 포함하는 용액에 용해시킨 다음, 바로 기판에 도포한다. 교반과 같은 다양한 촉진수단을 필요에 따라 사용하여 용액을 제조한다.
백금 또는 로듐 촉매를 용액에 임의로 포함시켜 실리카 형성 속도 및 정도를 증가시킬 수 있다. 일반적으로, 이 용액에 용해될 수 있는 백금 또는 로듐 화합물 또는 착물이면 작용성이 있을 것이다. 예를 들면, 백금 아세틸아세토네이트와 같은 유기 백금 조성물 또는 로듐 촉매 RhCl3[S(CH2CH2CH2CH3)2]3(미들랜드 미시간주 소재의 다우 코닝 코포레이션 제품)은 모두 본 발명의 범위에 속한다. 이들 촉매는 일반적으로 용액중 H-수지의 중량을 기준으로 백금 또는 로듐 약 5내지 500ppm의 양으로 용액에 가한다.
그런다음, H-수지, 용매 및 임의로, 개질 세라믹 산화물 전구체 및/또는 백금 또는 로듐 촉매를 포함하는 용액을 기판상에 피복시킨다. 피복방법에는 스핀 피복, 침지 피복, 분무 피복 또는 유동 피복이 있을 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 그러나, 다른 동등한 수단이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것으로 생각된다.
용매를 피복된 기판으로부터 증발시켜 예비세라믹 피막이 침착되도록 한다. 주위 환경에의 노출이나 진공 또는 온화한 열을 적용하는 간단한 공기 건조와 같은 적합한 증발수단을 사용할 수 있다. 스핀 피복을 사용하는 경우, 스피닝에 의해 용매가 제거되기 때문에 통상 별도의 건조시간이 필요하지 않음을 주목해햐 한다.
그런다음, 피막을 RTP를 사용하여 실리카로 전환시킨다. 수많은 RTP시스템이 시판되고 있고 본 발명에 적용되지만, 이들 시스템은 통상 다음과 같은 5가지 기본 요소를 포함한다 :
1) 피막이 신속하고 균일하게 가열되도록 하는 하나이상의 열원, 2) 웨이퍼를 통해 온도구배가 발생하지 않도록 하는 낮은 열량과 매우 낮은 열 전도성을 갖는 샘플 유지수단, 3) 온도를 정확히 모니터할 수 있도록 하는 수단, 4) 처리 시스템 내외로 샘플을 이송하는 메카니즘 및 5) 열분해 및 냉각을 위한 조절된 환경.
RTP시스템에 사용하는 열원은 파장 약 0.1 내지 약 4.0μm 의 방사선을 방출하는데 , 자외선, 적외선 및 가시광 영역을 포함한다. 이 방사선은 강도가 충분하여, 바람직하게는 약 30 내지 500℃/초 이상의 속도로 피막을 신속히 가열할 수 있어야 한다. 이러한 방사선의 일반적인 광원은 통상 텅스텐 할로겐 램프(tungsten halogen lamp), 아아크 램프(arc lamp) 또는 흑연 히터이지만, 동일한 방식으로 작용하는 다른 광원도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 생각된다. 이들 광원은 각각 사용자가 선택해야 되는 나름대로의 이점/단점이 있다. 그러나, 무엇보다도 방사선의 파장이 가장 중요한 것으로 생각된다. 파장이 약 1.4μm미만인 광원이 규소와 가장 효과적으로 커플링됨으로써 투입되는 전력을 사용가능한 방사선으로 전환시키는 전환율이 높다. 한편, 파장이 1.4μm이상인 열원(적외선 흡수가 많다. 즉, 통상의 노 가열에 가깝다)은 주로 자유 캐리어 흡수에 가열되기 때문에 효과가 적다.
상기한 바와 같은 파장의 구별은 실제적 입장에서 중요한데, 이는 규소와 효과적으로 커플링되는 광원이 기판 외부로부터 피막을 가열하는 경향이 있어서 휘발물질이 휘발하여 필름 응력이 감소되도록 하기 때문이다. 한편, 자유캐리어 흡수에 의존하는 열원은 피막 표면에서 안쪽으로 가열하여 휘발 물질을 가두어 필름 응력을 증가시킨다. 필름 응력은 전자 장치상의 피막의 유효성을 결정하는데 중요한 역할을 하는 것으로 보이기 때문에, 이 요인은 조심스럽게 고려해야 한다.
텅스텐 램프는 수많은 조명 및 가열 용도에 다녀간 사용되어 오고 있다. 텅스텐 램프는 0.4 내지 4μm의 방사선을 방출하여 0.5 내지 1μm에서 최고의 강도를 갖는다. 이들 램프는 각각 수 킬로와트(kW)밖에 되지 않기 때문에, 목적하는 속도로 전체 웨이퍼를 균일하게 가열하기 위해서는 통상 일련의 등이 필요하다. 이들 등은 신뢰할 수 있고 구입 및 작동에 비교적 적은 비용이 드는 점에서 특히 이점이 있다.
아아크 램프 또한 인기있는 열원이다. 아아크 램프는 통상 약 1μm미만의 범위의 스펙트럼 방사선을 가짐으로써 규소와 더욱 직접적으로 커플링된다(약 70%). 아아크 램프는 낮은 열량 때문에 마이크로초의 반응시간을 가짐으로써 보다 빠른 램핑-업(ramping-up)(피막이 가열되는 속도)을 갖는다. 이들 램프 각각은 통상 출력이 약 35 내지 100kW이기 때문에, 단 하나의 램프만이 필요하면 보다 넓은 안정된 상태의 온도 범위가 가능하다. 그러나, 아아크 램프는 일반적으로 좀더 비싸며 텅스텐 램프보다 신뢰성이 낮다.
또한, 흑연 가열소자를 RTP용 열원으로 사용할 수 있다. 통상의 흑연 시스템에서, 가열소자는 통상 약 1000 내지 1400℃로 (히터의 산화를 방지하기 위해 진공상태에서)예비가열하며, 여기에서 나오는 방서선은 일련의 반사경을 사용하여 강화시킨다. 그런 다음, 피복된 기판을 셔터 수단에 의해 열원으로부터 분리 되어 있는 열분해실에 넣는다. 셔터를 열어 방사선에 신속하게 노출시킨 다음, 셔터를 닫아 냉각시킨다. 이 열원으로부터 나오는 방사선은 주로 적외선 영역의 것으로서, 방사선의 커플링은 주로 자유 캐리어 흡수에의해 이루어진다.
샘플을 유지시키는 수단은 가열 및 냉각의 균일성을 보장하기 위해 중요하다. 온도가 불균일해지면, 피막 및/또는 하부 기판이 악영향을 받을 수 있다. 유지수단은 자체 열 구배가 발생하는 것을 방지하기 위해서 열량이 낮아야 하며, 기판으로부터 열이 전도되어 발산되는 것을 방지하기 위해서 열 전도성은 더욱 낮아야 한다. 핀(pin) 또는 홀더(holder)와 같은 석영 장치를 통상 이 목적에 사용하지만, 다른 동등한 수단도 본 목적에 적용될 수 있을 것이다.
온도를 확실히 측정하는 수단이 RTP에 극히 중요한데, 이는 열 예산에 미치는 약간의 효과가 기판에 악영향을 줄 수 있기 때문이다. 급속한 온도변화 및 다양한 안정상태 온도와 같은 용인이 이러한 측정을 곤란한게 만들 수 있다. 통상, 대부분의 시스템을 고온계(적외선 또는 광학), 열전쌍 또는 둘 모두를 사용한다.
그러나, 다른 동등한 방법도 마찬가지로 적용될 것이다. 고온계 또는 열전쌍은 통상 컴퓨터가 측정된 신호를 받아 방사선 수준, 웨이퍼 온도, 당해 온도에서의 유지 시간 및 램핑 속도를 자동적으로 조절하는 폐쇄된 루프 시스템에 사용된다.
샘플을 시스템 내외로 이송시키는 메카니즘은 실제적 수단에 의한 것일 수 있다. 예를 들면, 기판을 유지 수단 또는 자동화된 시스템(예 : 통상의 운반 시스템 또는 로보트 장치)상에 위치시키는 수동 시스템을 본 발명에 사용할 수 있다. 이러한 이송 수단을 오염물질을 도입하거나 피막에 해를 끼쳐서는 안된다.
RTP가열 및 냉각은 통상 최적의 균일하고 재현가능한 처리를 가능하게 하는 조절된 환경 처리실 내에서 수행한다. 예를 들면, 열분해실 벽의 온도는 웨이퍼 내의 온도 구배를 방지히고 일련의 웨이퍼가 가열되면서 온도가 점차 상승되는 것을 피하기 위해 조심스럽게 조절하여야 한다. 더우기, 처리 기체 (즉, 산소, 암모니아 등) 및/또는 대기압은 실내에서 최적화하여 유지시킴으로써 효과적인 실리카 형성을 보장하여야 한다. 그러나, 조절된 환경 또한 기판의 오염되는 것을 방지함으로써 원치않는 피막을 피한다.
표준공정에 따르는 동안, 피복된 기판을 열분해실에 도입하고, 비간섭 광원을, 피막의 온도가 목적하는 온도로 신속히 램프 업 되도록 사용하고, 온도를 주어진 시간 동안 유지시킨 다음, 방사 선원을 중단시키고, 피복된 기판을 방사선에 의해 신속히 냉각시킨 다음, 피복된 기판을 열분해실에서 꺼낸다.
또한, RTP가 피막 형성 공정에 단일 단계로서 사용될 수 있음을 고려하였다. 예를 들면, 본 명세서에서는 수소 실세스퀴옥산 수지 피막을, 먼저, 예를 들면 습윤 암모니아 환경을 사용하여 가수분해하고 계속하여 RTP처리법을 사용하여 가열할 수 있다는 것을 고려하였다.
위의 처리에 사용되는 온도는 H-수지를 실리카로 전환시키는데 유효한 온도이다. 통상, 온도가 높을수록 결과가 빨리 나타나겠지만, 이러한 온도에 노출시키는 시간은 조심스럽게 모니터하여 기판을 변화시키는 열 예산을 방지해야 한다. 통상 약 50 내지 약 1000℃의 온도 범위를 사용하며, 약 300 내지 약 900℃의 온도범위가 바람직하다.
온도에 노출시키는 시간은 실리카를 전환시키기에는 충분하면서도 기판에 악영향을 미치기에는 충분하지 않는 시간이다. 상기한 바와 같이, 통상 보다 높은 온도는 보다 짧은 노출을 요한다. 통상적으로, 약 1초 내지 약 1시간의 노출시간이 위의 온도 범위에 적당하며, 약 1초 내지 약 15분의 시간이 바람직하다.
처리실에 사용되는 처리 기체 및 대기압은 중요하지 않으며, 실리카 형성에 도움이 되는 환경이면 된다.
진공 내지 초대기압 이상의 압력이 본 발명에 유용하며 공기, 산소, 암노니아, 아민 등과 같은 반응성 기체를 모두 사용할 수 있다. H-수지를 실리카로 전환시키는데 통상 약간의 산소가 필요하지만, 산소가 없는 환경에서 가열하면 확실하지 않은 구조를 갖는 세라믹 피막이 형성되는데, 이 또한 바람직한 특성을 갖는다.
위의 방법에 의해, 얇은(2μm미만) 세라믹 평면화 피막이 기판에 생성된다. 피막은 다양한 기판의 불규칙한 표면을 평탄화시키며, 결함 밀도가 낮고, 접착력이 탁월하며, 밀도가 높으며 최소의 응력을 갖는다. 피막은 그 자체가 보호 피막, 내식 및 내마모 피막, 내온도 및 내습 피막, 예를 들어 다층 장치의 유전층 및 나트륨 및 염화물과 같은 이온 불순물에 대한 확산 차단층으로서 전자장치에 유용하다.
또한, 이 평면화 실리카 피막은 추가의 실리카 SiO2피막, siO2/개질 세라믹 산화물층, 규소 함유 피막, 규소 탄소 함유 피막, 규소 질소 함유 피막, 다이아몬드-유사 탄소 피막 및/ 또는 규소 질소 탄소 함유 피막과 같은 다른 피막에 의해 피복될 수 있다.
본 분야의 숙련가가 본 발명을 보다 쉽게 이해할 수 있도록 하기 비재한적인 실시예를 포함시켰다.
[실시예 1]
콜린스(Collins) 등의 미합중국 특허 제3,615,272호의 방법으로 제조한 수소 실세스퀴옥산 수지를 사이클릭 디메틸 실록산 용매에 10중량% 고체로 희석시킨다. 톨루엔에 백금 아세틸아세토네이트를 포함하는 백금 촉매를 H-수지의 중량을 기준으로 하여 백금 약 100ppm의 농도로 용액에 가한다.
lin2실리콘 웨이퍼의 표면에 H-수지 용액 약 100ml를 도포하고 웨이퍼를 300rpm으로 10초간 스핀시킨다.
그런 다음, 웨이퍼를 에이지 어소시에이트 히트 펄스(AG Associates Heat Pulse) RTP시스템으로부터 방사선에 노출시킨다. 이 시스템은 보호 및 격리 열분해실로서 사용되며 기판을 유지시키는데 사용되는 4개의 지점에 석영 핀을 갖는 방사선 투명석영 튜브를 포함한다. 이 시스템을 위한 방사선원은 다수의 석영 텅스텐 할로겐 램프를 포함하는데, 그중 반은 석영 튜브 열분해실 상부에 위치하며 나머지 반은 그 아래에 위치한다. 이들 램프부터 방출되는 비간섭 광의 파장은 약 0.4 내지 4.0μm이다. 온도 감지를 위해 고온계를 이 시스템에 사용한다. 상기 성분들을 수냉 방사 밀폐용기에 넣는다.
피복된 웨이퍼를 400,500,600,700 및 900℃의 온도에서 대기압하에 산소중에서 5,10 및 30초 동안 상기 장치 중에서 가열한다. 그런 다음, 상기 노출후에 잔류하는 SiH의 양은, RTP노출 전후의 SiH피크하의 총면적을 비교하여 FTIR에 의해 계산한다. 하기 표에 결과를 요약한다.
[실시예 2]
lin2실리콘 웨이퍼를 실시예 1에서와 동일하게 피복한다. 이들 웨이퍼를 산소 대기하에서 35kW고강도 아아크 램프를 사용하여 피크 시스템즈(Peak Systems)APL SP35x단위로부터 방사선에 노출시킨다. 웨이퍼를 5분 및 10분 동안 300℃로 가열하고, 5분 10분 동안 400℃로 가열하며, 1분동안 500℃로 가열하고, 1분 동안 600℃로 가열한다.
잔류 SiH%를 실시예 1에서와 같이 FRIR을 사용하여 측정한다(상한치). 그러나, 또한 잔류 SiH％의 두번째 평가는 휘발에 의한 물질의 손실을 보정하여 계산한다(하한치). 보정은 다음과 같이 한다 :
SiH피크 면적/RTP전의 두께 (Å)×10000=X
SiH피크 면적/RTP후의 두께 (Å)×10000=Y
Y/X×100=잔류 SiH%
하기 표에 결과를 요약한다.
[실시예 3]
이 실시예는 산소를 제외한 대기를 RTP와 함께 사용할 수 있음을 보여준다. 콜린스 등의 미합중국 특허 제3,615,272호의 방법으로 제조한 수소 실세스퀴옥산 수지를 헵탄 95중량 % 및 도데칸 5중량 %를 포함하는 용매에 10중량% 고체로 희석시킨다. 톨루엔에 백금 아세틸아세토네이트를 포함하는 백금 촉매를 H-수지의 중량을 기준으로 하여 백금 약 100ppm의 농도로 용액에 가한다.
lin2실리콘 웨이퍼를 실시예 1에서와 동일한 방법으로 위의 용액으로 피복한다. 피복된 웨이퍼를 RTP동안 100% 암모니아 대기를 사용하여 그 효과를 실시예 2의 산소 대기와 비교하는 외에는 실시예 2에서와 동일한 방법으로 RTP에 노출시킨다. 잔류 SiH%를 실시예 1에서와 동일하게 계산한다. 하기 표에 결과를 요약한다.
(1) 2개의 H-수지층을 도포.
(2) 헵탄/도데칸 혼합물 대신 사이클릭 디메틸실록산 용매 사용.
[실시예 4]
이 실시예는 RTP가 중간층 유전체로 사용되는 보다 두꺼운 필름을 경화시킬 수 있음을 보여준다. 콜린스 등의 미합중국 특허 제3,615,272호의 방법으로 제조한 수소 실세스퀴옥산 수지를 사이클릭 디메틸 실록산 용매에 30중량% 고체로 희석시킨다. 톨루엔에 백금 아세틸아세토네이트를 포함하는 백금 촉매를 H-수지의 중량을 기준으로 하여 백금 약 100ppm의 농도로 용액에 가한다.
H-수지 용액 약 1ml를 4in2실리콘 웨이퍼의 표면에 가하고 웨이퍼를 3000rpm으로 10초 동안 스핀시킨다.
웨이퍼를 실시예 2에서와 동일하게 RTP에 노출시키고 SiH%를 실시예 2의 하한치에서와 동일한 방법으로 계산한다. 하기 표에 결과를 요약한다.
[실시예 5]
이 실시예는 통상의 노 내에서 H-수지 피막을 열분해하는 선행기술의 방법에 의해 실리카로 피복한 장치(즉, 미합중국 특허 제4,756,977호)에 비해, RTP를 사용하여 처리하는 경우, CMOS장치의 결합 강도가 예기치 않게 개선됨을 보여준다. 실시예 1에서 제조한 H-수지 용액 약 50μl를 CMOS장치를 실시예 2의 RTP에 노출시킨다. 결합 인장강도를 문헌[참조 : HIL-STD-883C specification method 2011]의 방법을 사용하여 측정한다. 하기 표에 각 장치에서의 14개의 도선(lead wire)의 결합 인장강도를 요약한다(허용 최소치=2.0)
도선을 결합 패드로부터 분리한 영역을 또한 광학 현미경으로 조사하여 '자색 플라그'가 있는지 분석한 결과, 아무 것도 관찰되지 않았다.
[실시예 6]
하기 실시예는 통상의 노 내에서 H-수지 피막을 열분해하는 선행기술의 방법(즉, 미합중국 특허 제4,756,977호)에 의해 실리카로 피복한 웨이퍼에 비해, RTP를 사용하여 처리시 규소 웨이퍼에서 피복 필름 응력이 예기치 않게 감소됨을 보여준다. 실시예 1에서 제조한 H-수지 용액 약 1ml를 4in2실리콘 웨이퍼의 표면에 도포하고 10초동안 3000rpm으로 스핀 시킨다. 그런 다음, 웨이퍼를 실시예 2의 RTP에 노출시킨다. 광학 레이저 빔을 사용하여 웨이퍼 곡률을 측정하는 FSM 8800장치로부터 응력을 측정한다. 하기 표에 결과를 요약한다.
[실시예 7]
하기 실시예는 RTP를 사용하여 아주 치밀화된 실리카 피막을 수득하는 방법을 보여준다. 실시예 1에서 제조한 H-수지용액 약 1ml를 4in2실리콘 웨이퍼의 표면에 도포하고 3000rpm으로 10초 동안 스핀시킨다. 그런 다음, 웨이퍼를 실시예 2의 RTP에 노출시킨다. 미량천칭을 사용하여 피막의 중량을 측정하여 밀도를 계산하고 타원편광측정법으로 두께를 측정한다. 실리카의 이론 최대 밀도는 2.2이다. 하기 표에 결과를 요약한다.
[실시예 8]
하기 실시예 H-수지를 실리카로 전환시키는 다양한 방법을 실시한 후에 잔류하는 SiH의 양을 비교한다. 실시예 1에서 제조한 H-수지 용액 약 100μl를 1in2실리콘 웨이퍼의 표면에 도포하고 웨이퍼를 3000rpm에서 10초 동안 스핀시킨다. 그런 다음, 웨이퍼를 다양한 조건에 노출시켜 실리카로의 전환을 촉진시킨다. 잔류하는 SiH%를 실시예 1의 방법으로 계산한다. 하기 표에 결과를 요약한다(RTP노출은 실시예 2의 방법에 의한다).

Claims (3)

  1. 수소 실세스퀴옥산 수지와 용매를 포함하는 용액으로 기판을 피복하고, 용매를 증발시켜 수소 실세스퀴옥산 수지 피막을 기판에 침착시킨 다음, 피복된 기판을 열적으로 고립시키면서 파장 범위가 약 0.1 내지 4μm인 스펙트럼 영역의 비간섭광을 포함하는 고강도 방사선에 노출시켜 약 1초 내지 약 1시간 동안 약 50 내지 약 1,000℃의 온도로 가열시킴을 포함하여, 실리카 피막을 기판에 도포하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 수소 실세스퀴옥산수지가 일반식(HSiO3/2)n의 단위를 갖는 중합체(여기서, n은 3을 초과하는 정수이다), 일반식 HSi(OH)aO3-8/2의 단위를 갖는 중합체(여기서, a는 0 내지 2이다) 및 일반식 HSi(OH)x(OR)yO2/2의 단위를 갖는 중합체(여기서, R은 각각 독립적으로, 산소원자를 통해 규소에 결합될 때, 가수분해성 치환제를 형성하는 유기 그룹이며, x는 0 내지 2이며, y는 0 내지 2이고, z는 1 내지 3이며, x,y 및 z의 합은 3이고, 중합체 단위 전체에 걸쳐 y의 평균치는 0을 초과한다)로 이루어진 그룹 중에서 선택되고, 용매가 알콜, 방향족 탄화수소, 알칸, 사이클릭 디메틸실록산, 케톤, 에스테르 및 글리콜 에테르로 이루어진 그룹 중에서 선택되며 수소 실세스퀴옥산 수지를 약 0.1내지 약 50중량%까지 용해시키기에 충분한 양으로 존재함을 특징으로 하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 용액이 개질 세라믹 산화물 전구체(당해 전구체는, 티탄, 지르코늄, 알루미늄, 탄탈, 바나듐, 니오브, 붕소 및 인으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 원소를 함유하고 알콕시 또는 아실옥시로 이루어진 그룹 중에서 선택된 가수분해성 치환체를 하나 이상 함유하며 실리카 피막이 개질 세라믹 산화물을 0.1 내지 30중량 % 함유하도록 하는 양으로 존재하는 화합물을 포함한다)를 추가로 함유하는 방법.
KR1019910009913A 1990-06-18 1991-06-13 실리카 피막을 형성시키기 위한 급속 열처리법 KR950001671B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US539,249 1990-06-18
US07/539,249 US5059448A (en) 1990-06-18 1990-06-18 Rapid thermal process for obtaining silica coatings

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930000800A KR930000800A (ko) 1993-01-15
KR950001671B1 true KR950001671B1 (ko) 1995-02-28

Family

ID=24150433

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910009913A KR950001671B1 (ko) 1990-06-18 1991-06-13 실리카 피막을 형성시키기 위한 급속 열처리법
KR1019910009913A KR920000663A (ko) 1990-06-18 1991-06-15 실리카 피막을 형성시키기 위한 급속 열처리법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910009913A KR920000663A (ko) 1990-06-18 1991-06-15 실리카 피막을 형성시키기 위한 급속 열처리법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5059448A (ko)
EP (1) EP0462715B1 (ko)
JP (1) JP2561979B2 (ko)
KR (2) KR950001671B1 (ko)
CA (1) CA2043411A1 (ko)
DE (1) DE69117353T2 (ko)
ES (1) ES2086485T3 (ko)

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5116637A (en) * 1990-06-04 1992-05-26 Dow Corning Corporation Amine catalysts for the low temperature conversion of silica precursors to silica
US5290399A (en) * 1991-02-05 1994-03-01 Advanced Micro Devices, Inc. Surface planarizing methods for integrated circuit devices
US5445894A (en) * 1991-04-22 1995-08-29 Dow Corning Corporation Ceramic coatings
US5339211A (en) * 1991-05-02 1994-08-16 Dow Corning Corporation Variable capacitor
US5436029A (en) * 1992-07-13 1995-07-25 Dow Corning Corporation Curing silicon hydride containing materials by exposure to nitrous oxide
JP3210457B2 (ja) * 1992-12-14 2001-09-17 ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション 酸化ケイ素膜の形成方法
US5258334A (en) * 1993-01-15 1993-11-02 The U.S. Government As Represented By The Director, National Security Agency Process of preventing visual access to a semiconductor device by applying an opaque ceramic coating to integrated circuit devices
US5458912A (en) * 1993-03-08 1995-10-17 Dow Corning Corporation Tamper-proof electronic coatings
JP3418458B2 (ja) * 1993-08-31 2003-06-23 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP2739902B2 (ja) * 1993-09-30 1998-04-15 東京応化工業株式会社 酸化ケイ素系被膜形成用塗布液
EP0686680A4 (en) * 1993-12-27 1996-07-24 Kawasaki Steel Co INSULATING FILM FOR SEMICONDUCTOR DEVICES, COATING FLUID USED TO FORM THE FILM, AND PROCESS FOR PRODUCING SAID FILM
KR950034495A (ko) * 1994-04-20 1995-12-28 윌리엄 이.힐러 반도체 장치 제조를 위한 고 수율 광 경화 공정
US5456952A (en) * 1994-05-17 1995-10-10 Lsi Logic Corporation Process of curing hydrogen silsesquioxane coating to form silicon oxide layer
JP3743519B2 (ja) * 1994-10-18 2006-02-08 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ シリコン−酸化物薄層の製造方法
US5530293A (en) 1994-11-28 1996-06-25 International Business Machines Corporation Carbon-free hydrogen silsesquioxane with dielectric constant less than 3.2 annealed in hydrogen for integrated circuits
US5508238A (en) * 1995-05-11 1996-04-16 Dow Corning Corporation Monolithic ceramic bodies using modified hydrogen silsesquioxane resin
JP3149739B2 (ja) * 1995-07-14 2001-03-26 ヤマハ株式会社 多層配線形成法
JP3070450B2 (ja) * 1995-07-14 2000-07-31 ヤマハ株式会社 多層配線形成法
JP3696939B2 (ja) * 1995-08-11 2005-09-21 東京応化工業株式会社 シリカ系被膜の形成方法
DE69606942T2 (de) * 1995-09-25 2000-10-05 Dow Corning Verwendung von präkeramischen Polymeren als Klebstoffe für Elektronik
US5609925A (en) * 1995-12-04 1997-03-11 Dow Corning Corporation Curing hydrogen silsesquioxane resin with an electron beam
JPH09237785A (ja) * 1995-12-28 1997-09-09 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP3123449B2 (ja) * 1996-11-01 2001-01-09 ヤマハ株式会社 多層配線形成法
JP3082688B2 (ja) * 1996-11-05 2000-08-28 ヤマハ株式会社 配線形成法
JP3225872B2 (ja) 1996-12-24 2001-11-05 ヤマハ株式会社 酸化シリコン膜形成法
JPH10247686A (ja) * 1996-12-30 1998-09-14 Yamaha Corp 多層配線形成法
US6239441B1 (en) 1997-01-20 2001-05-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device
EP0860462A3 (en) * 1997-02-24 1999-04-21 Dow Corning Toray Silicone Company Limited Composition and method for the formation of silica thin films
US6743856B1 (en) 1997-04-21 2004-06-01 Honeywell International Inc. Synthesis of siloxane resins
US6218497B1 (en) 1997-04-21 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with low organic content
US6015457A (en) * 1997-04-21 2000-01-18 Alliedsignal Inc. Stable inorganic polymers
US6143855A (en) * 1997-04-21 2000-11-07 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with high organic content
JP3909912B2 (ja) * 1997-05-09 2007-04-25 東京応化工業株式会社 シリカ系厚膜被膜形成方法
EP0881668A3 (en) * 1997-05-28 2000-11-15 Dow Corning Toray Silicone Company, Ltd. Deposition of an electrically insulating thin film with a low dielectric constant
US5866197A (en) * 1997-06-06 1999-02-02 Dow Corning Corporation Method for producing thick crack-free coating from hydrogen silsequioxane resin
US6030904A (en) * 1997-08-21 2000-02-29 International Business Machines Corporation Stabilization of low-k carbon-based dielectrics
US5935650A (en) * 1997-10-17 1999-08-10 Lerch; Wilfried Method of oxidation of semiconductor wafers in a rapid thermal processing (RTP) system
TW439197B (en) * 1997-10-31 2001-06-07 Dow Corning Electronic coating having low dielectric constant
US6018002A (en) * 1998-02-06 2000-01-25 Dow Corning Corporation Photoluminescent material from hydrogen silsesquioxane resin
US6177199B1 (en) 1999-01-07 2001-01-23 Alliedsignal Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with low organic content
US6218020B1 (en) 1999-01-07 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with high organic content
US6417115B1 (en) * 1998-05-26 2002-07-09 Axeclis Technologies, Inc. Treatment of dielectric materials
US5935638A (en) * 1998-08-06 1999-08-10 Dow Corning Corporation Silicon dioxide containing coating
US6124164A (en) 1998-09-17 2000-09-26 Micron Technology, Inc. Method of making integrated capacitor incorporating high K dielectric
WO2000077575A1 (en) * 1999-06-10 2000-12-21 Alliedsignal Inc. Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
US20060263531A1 (en) * 2003-12-18 2006-11-23 Lichtenhan Joseph D Polyhedral oligomeric silsesquioxanes as glass forming coatings
US6358841B1 (en) 1999-08-23 2002-03-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of copper CMP on low dielectric constant HSQ material
US6440550B1 (en) 1999-10-18 2002-08-27 Honeywell International Inc. Deposition of fluorosilsesquioxane films
US6472076B1 (en) 1999-10-18 2002-10-29 Honeywell International Inc. Deposition of organosilsesquioxane films
US6368400B1 (en) * 2000-07-17 2002-04-09 Honeywell International Absorbing compounds for spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
US20030054115A1 (en) * 2001-09-14 2003-03-20 Ralph Albano Ultraviolet curing process for porous low-K materials
US6705457B2 (en) * 2002-04-01 2004-03-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Transport device and method of transporting to-be-processed elements through a high-temperature zone
US6889410B2 (en) * 2003-01-31 2005-05-10 Indian Institute Of Science Rapid coating process and its application to lead-acid batteries
US7622399B2 (en) * 2003-09-23 2009-11-24 Silecs Oy Method of forming low-k dielectrics using a rapid curing process
US8053159B2 (en) 2003-11-18 2011-11-08 Honeywell International Inc. Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof
WO2005060671A2 (en) * 2003-12-18 2005-07-07 Hybrid Plastics Llp Polyhedral oligomeric silsesquioxanes and metallized polyhedral oligomeric silsesquioxanes as coatings, composites and additives
JP5309316B2 (ja) * 2006-02-06 2013-10-09 国立大学法人東北大学 チップ素子
US7776404B2 (en) * 2006-11-30 2010-08-17 General Electric Company Methods for forming thermal oxidative barrier coatings on organic matrix composite substrates
US8642246B2 (en) 2007-02-26 2014-02-04 Honeywell International Inc. Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof
JP4954758B2 (ja) * 2007-03-19 2012-06-20 新日本製鐵株式会社 耐食性および塗料密着性に優れためっき鋼板の製造方法
JP2009078191A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Ibaraki Prefecture 基材温度上昇の少ない加熱コーティング方法
US8163357B2 (en) * 2009-03-26 2012-04-24 Signet Armorlite, Inc. Scratch-resistant coatings with improved adhesion to inorganic thin film coatings
US8557877B2 (en) 2009-06-10 2013-10-15 Honeywell International Inc. Anti-reflective coatings for optically transparent substrates
US8457540B2 (en) 2009-09-15 2013-06-04 Ricoh Company, Ltd. Fixing device and image forming apparatus incorporating same
KR101303220B1 (ko) * 2010-03-16 2013-09-03 김진욱 활선 상태에서 교체 가능한 탈착용 안전 차단기
US8864898B2 (en) 2011-05-31 2014-10-21 Honeywell International Inc. Coating formulations for optical elements
GB201209695D0 (en) * 2012-05-31 2012-07-18 Dow Corning Silicon wafer coated with passivation layer
US9741918B2 (en) 2013-10-07 2017-08-22 Hypres, Inc. Method for increasing the integration level of superconducting electronics circuits, and a resulting circuit
US10544329B2 (en) 2015-04-13 2020-01-28 Honeywell International Inc. Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications
KR102550414B1 (ko) * 2016-11-03 2023-07-04 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조 방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4822697A (en) * 1986-12-03 1989-04-18 Dow Corning Corporation Platinum and rhodium catalysis of low temperature formation multilayer ceramics
US4911992A (en) * 1986-12-04 1990-03-27 Dow Corning Corporation Platinum or rhodium catalyzed multilayer ceramic coatings from hydrogen silsesquioxane resin and metal oxides
US4753855A (en) * 1986-12-04 1988-06-28 Dow Corning Corporation Multilayer ceramic coatings from metal oxides for protection of electronic devices
JP2624254B2 (ja) * 1987-05-22 1997-06-25 東京応化工業株式会社 シリカ系被膜の膜質改善方法
US4849296A (en) * 1987-12-28 1989-07-18 Dow Corning Corporation Multilayer ceramic coatings from metal oxides and hydrogen silsesquioxane resin ceramified in ammonia
US4847162A (en) * 1987-12-28 1989-07-11 Dow Corning Corporation Multilayer ceramics coatings from the ceramification of hydrogen silsequioxane resin in the presence of ammonia
US4885186A (en) * 1988-12-29 1989-12-05 Bell Communications Research, Inc. Method for preparation of silicate glasses of controlled index of refraction
US4911942A (en) * 1989-01-13 1990-03-27 Asama Chemical Co., Ltd. Stabilized oil and fat powder
CA2010335A1 (en) * 1989-03-09 1990-09-09 Ronald H. Baney Method for protective coating superconductors
US4973526A (en) * 1990-02-15 1990-11-27 Dow Corning Corporation Method of forming ceramic coatings and resulting articles

Also Published As

Publication number Publication date
KR930000800A (ko) 1993-01-15
JPH04298542A (ja) 1992-10-22
JP2561979B2 (ja) 1996-12-11
CA2043411A1 (en) 1991-12-19
DE69117353T2 (de) 1996-09-05
EP0462715A1 (en) 1991-12-27
DE69117353D1 (de) 1996-04-04
EP0462715B1 (en) 1996-02-28
US5059448A (en) 1991-10-22
ES2086485T3 (es) 1996-07-01
KR920000663A (ko) 1992-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950001671B1 (ko) 실리카 피막을 형성시키기 위한 급속 열처리법
EP0517475B1 (en) Process for coating a substrate with a silica precursor
KR100251819B1 (ko) 실리카 함유 세라믹 피복물을 기질 위에 형성시키는 방법
US5547703A (en) Method of forming si-o containing coatings
KR0176259B1 (ko) 실리카 전구체를 실리카로 저온 전환시키는 방법
EP0647965B1 (en) Method of forming Si-O containing coatings
US5336532A (en) Low temperature process for the formation of ceramic coatings
US5262201A (en) Low temperature process for converting silica precursor coatings to ceramic silica coatings by exposure to ammonium hydroxide or an environment to which water vapor and ammonia vapor have been added
US6372666B1 (en) Process for producing dielectric thin films
JPH04275337A (ja) 水素シルセスキオキサン樹脂及びそのコーティング材料としての使用方法
KR100232617B1 (ko) 역방향 열분해 공정에 의한 세라믹 피복물 형성방법
WO2000041230A2 (en) Electron beam treatment of siloxane resins
WO2001029052A1 (en) Deposition of films using organosilsesquioxane-precursors
JPH03183675A (ja) 不活性ガス雰囲気下の気密基板コーティング法
JPH09176516A (ja) 電子保護コーティングの形成方法
GB2319041A (en) Ceramic coatings
US6022625A (en) Method for producing thick crack-free coatings from hydrogen silsesquioxane resin
EP1107330A2 (en) Modification of infrared reflectivity using silicon dioxide thin films derived from silsesquioxane resins
US6210749B1 (en) Thermally stable dielectric coatings
JPH10229079A (ja) 基材上にコーティングを形成する方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
SUBM Surrender of laid-open application requested