KR950034495A - 반도체 장치 제조를 위한 고 수율 광 경화 공정 - Google Patents

반도체 장치 제조를 위한 고 수율 광 경화 공정 Download PDF

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장 황 밍
엠. 모슬레이 메르다드
제이. 데이비스 세실
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Abstract

본 발명은 반도체 장치 및 이를 위한 시스템에서 낮은 k 유전 물질을 경화하는 방법이다. 이 방법은 금속 상호접속선을 증착하는 단계, 낮은 K 유전 물질층을 상기 선위에 증착하는 단계, 및 낮은 k 유전 물질은 10분 미만동안 가열 램프로 광학적으로 경화하는 단계를 포함하고, 상기 가열 램프는 파장에 있어 약 1미크론 내지 3.6미크론의 적외선 스펙트럼 범위의 광 복사 에너지를 제공한다. 이 가열 램프는 텅스텐 할로겐 램프이다.

Description

반도체 장치 제조를 위한 고 수율 광 경화 공정
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1-5도는 양호한 실시예의 서로 다른 단계들하에서의 반도체 장치의 단면도.

Claims (16)

  1. 반도체 장치의 물질 층을 경화하는 방법에 있어서, a. 반도체층을 증착하는 단계, b. 낮은 k 유전 물질층을 상기 반도체층 위에 증착하는 단계, 및 c. 상기 낮은k 유전 물질층을 10분 미만 동안 가열 램프로 경화하는 단계를 포함하여, 상기 램프는 상기 낮은 k 유전 물질층에 모든 요구된 경화를 실질적으로 제공하고 상기 반도체층은 상기 낮은 k 유전 물질보다 실질적으로 낮은 온도를 갖는 것을 특징으로하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 낮은 k 물질은 폴리메릭 스핀 온 글래스인 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 낮은 k 물질은 폴리이미드이고, 상기 경화 시간은 5분 미만인 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 낮은 k 물질은 유기 화합물로 구성된 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 경화는 상기 램프에 의해 제공되는 복사 에너지에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 방법은 단일 웨이퍼 처리를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 방법은 조립 라인 공정의 단일 웨이퍼 처리를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 낮은 k 물질의 상기 경화는 텅스텐 할로겐 램프에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 경화는 파장에 있어 약 1미크론 내지 3.5미크론의 적외선 스펙트럼 범위의 광 복사 에너지를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 방법은 상기 경화 전에 상기 낮은 k 유전 물질위에 보호층을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 방법은 상기 경화 전에 상기 낮은 k 물질위에 제2의 낮은 k 유전 물질을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 반도체 장치에서 낮은 k 유전 물질층을 경화하는 방법에 있어서, a. 금속 상호접속선들을 증착하는 단계, b. 낮은 k 유전 물질층을 상기 상호접속선들 위에 증착하는 단계, 및 c. 상기 낮은 k 유전 물질을 10분 미만 동안 가열 램프로 광학적으로 경화하는 단계를 포함하고, 상기 가열 램프는 파장에 있어 약1미크론 내지 3.6미크론의 적외선 스펙트럼 범위의 광 복사 에너지를 제공하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 낮은 k 물질의 상기 경화는 텅스텐 할로겐 램프에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 유전 물질을 경화하는 시스템에 있어서, a. 유전 물질을 증착하는 수단, 및 b. 상기 유전 물질을 경화하는 가열 램프를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 가열 램프는 파장에 있어 약 1미크론 내지 3.5미크론의 적외선 스펙트럼 범위의 광복사 에너지를 제공하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 가열 램프는 텅스텐 할로겐 램프를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950009182A 1994-04-20 1995-04-19 반도체 장치 제조를 위한 고 수율 광 경화 공정 KR950034495A (ko)

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