KR100870777B1 - 광 소스, 선택적 광 발생기, 전자기 방사선 생성 시스템 및방법 - Google Patents

광 소스, 선택적 광 발생기, 전자기 방사선 생성 시스템 및방법 Download PDF

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Abstract

정의된 범위의 파장보다 크고/거나 작은 파장을 갖는 전자기 방사선을 생성하는 플래시 램프 장치가 개시된다.

Description

광 소스, 선택적 광 발생기, 전자기 방사선 생성 시스템 및 방법{FLASH LAMP ANNEALING APPARATUS TO GENERATE ELECTROMAGNETIC RADIATION HAVING SELECTIVE WAVELENGTHS}
본 발명의 실시예는, 제한적인 것은 아니지만, 전자 디바이스에 관한 것으로서, 특히, 전자 디바이스 제조의 분야에 관한 것이다.
현 기술 상태의 전자 디바이스 제조에서, 반도체 디바이스의 제조 동안 및 반도체 제조 프로세스의 개발 동안, 플래시 램프 어닐링(flash lamp annealing; FLA)이라고 불리는 프로세스가 때때로 이용된다. FLA는 예를 들면, 트랜지스터와 같은 전자 디바이스의 도핑 영역에서의 이온 주입된 도펀트를 활성화시키는 것을 포함하는 몇 가지의 목적을 달성하기 위해 이용될 수 있다. FLA에 대한 다른 이유로는, 예를 들면, 재결정화(recrystallization), 리플로우 동작(reflow operation), SOG(spin on glass) 어닐링, 규화물화(silicidation), 낮은-k/높은-k 유전체 어닐링 및 결함(defect) 어닐링이 포함될 수 있다.
플래시 램프 어닐링에서, 전형적으로, 웨이퍼 또는 다이 기판과 같은 기판 은, 전자기 스펙트럼의 일부에 걸친 파장을 갖는 방사선으로 이루어지는 강한 전자기 방사선에 노출된다. 예를 들어, 하나의 FLA 프로세스에서, 기판을 노출시키는데 이용된 전자기 방사선은, 전자기 스펙트럼의 자외선 영역(즉, 10 내지 400 ㎚)에 대응하는 파장을 갖는 방사선을 포함할 수 있다. 그러한 전자기 방사선은 가시광 스펙트럼(즉, 400 내지 750 ㎚) 및 심지어 적외선 스펙트럼(즉, 750 ㎚ 내지 100 미크론)을 더 포함할 수 있다. 설명을 위한 목적으로, 그러한 전자기 방사선을 "광역 스펙트럼(broad-spectrum)" 방사선이라고 지칭할 것이다.
전형적으로, 플래시 램프 어닐링 프로세스 동안 노출되는 기판은, 수 마이크로초 내지 수 백 밀리초 범위의 지속 기간 동안 전자기 방사선에 노출된다. 예를 들어, 플래시 램프 어닐링의 하나의 응용은, 실리콘 기판을 어닐링하는 것일 수 있으며, 기판은 적어도 0.015 J/㎠의 전력 레벨에서 10 밀리초 미만의 시간 동안 강한 전자기 방사선에 노출될 수 있다.
본 발명은 첨부 도면에서, 제한을 위해서가 아닌, 예시적인 실시예로써 도시되며, 유사한 참조 번호는 유사한 요소를 나타낸다.
도 1은 예시적인 CMOS 트랜지스터를 도시한다.
도 2a는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른, 선택적 파장을 갖는 전자기 방사선을 생성하는 선택적 광 발생기를 포함하는 시스템을 도시한다.
도 2b는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른, 선택적 파장을 갖는 전자기 방사선 을 생성하는 선택적 광 발생기를 포함하는 시스템을 도시한다.
도 3은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른, 선택적 파장을 갖는 전자기 방사선을 생성하는 광 소스를 도시한다.
이하의 설명에서는, 설명을 위한 목적으로, 본 발명의 개시된 실시예들에 대한 완전한 이해를 제공하기 위해, 다양한 세부 사항들이 개시된다. 그러나, 당업자라면, 이들 특정한 세부 사항은 본 발명의 개시된 실시예들을 실시하기 위해 요구되는 것은 아님을 명백히 알 것이다. 다른 경우, 본 발명의 개시된 실시예들을 불명료하게 하지 않도록, 잘 알려진 전기 구조물 및 회로는 블록도 형태로 도시된다.
본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 기판을 선택적 파장의 전자기 방사선에 노출시키는 방법 및 장치가 제공된다. 그러한 실시예의 경우, 다른 것들 중에서, 기판에 방사하기 위해 선택적 파장을 갖는 전자기 방사선을 생성하는 선택적 광 발생기로 이루어지는 장치를 이용하여, FLA 프로세스가 수행될 수 있다. 다양한 실시예에서, 노출/방사되는 기판은, 상이한 전자기 방사선 흡수 속성을 갖는 복수의 구성요소로 이루어질 수 있다. 이러한 기판을, 선택적 파장을 갖는 전자기 방사선에 노출시킴으로써, 각각의 구성요소의 가열이 개별적으로 최적화될 수 있다. 몇몇 경우에, 최적도(optimum)는 각각의 구성요소를 통한 균일한 가열에 대응한다. 다른 경우, 선택된 구성요소 또는 구성요소들이, 다른 구성요소들에 비해 상승된 온도로, 선택적으로 가열될 수 있다.
다양한 실시예에서, 노출/방사되는 기판은, 다른 기판 구성요소보다 높은 비율로 특정 파장 또는 파장의 범위의 전자기 방사선을 흡수하는 경향이 있는 하나 이상의 제 1 기판 구성요소를 포함할 수 있는 웨이퍼 또는 다이 기판일 수 있다. 다른 실시예에서, 제 1 기판 구성요소는 다른 기판 구성요소보다 높은 비율로 특정 파장 또는 파장의 범위의 전자기 방사선을 반사하는 경향이 있을 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제 1 기판 구성요소는, 특히 그것이 특정 파장의 전자기 방사선에 관련됨에 따라, 비교적 높은 흡수 계수값을 가질 수 있는 질화물막일 수 있다. 이들 실시예의 경우, 기판은 SRAM(static random access memory) 및 논리 회로 부분들을 포함할 수 있으며, 그러한 부분들 각각은 상이한 농도 또는 밀도의 질화물 스페이서를 갖는다.
기판의 최적의 가열을 보장하기 위해, 기판은 선택적 파장을 갖는 전자기 방사선으로 이루어지는 전자기 방사선에 노출될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 선택적 파장은 정의된 범위의 파장보다 크고/거나 작을 수 있으며, 정의된 범위의 파장은 다른 기판 구성요소보다 높은 비율로 제 1 기판 구성요소에 의해 흡수 또는 반사되는 경향이 있는 전자기 방사선의 파장에 대응하는 파장이다.
다양한 실시예에 따르면, 선택적 파장을 갖는 전자기 방사선으로 기판을 플래시 어닐링 또는 플래시 노출시키는데 이용될 수 있는 선택적 광 발생기가 제공된다. 이들 실시예의 경우, 선택적 광 발생기는 전술한 정의된 범위의 파장보다 크거나 작은 파장을 갖는 전자기 방사선을 포함하는 전자기 방사선을 생성할 수 있다.
다양한 실시예에서, 선택적 광 발생기는 하나 이상의 광 소스와, 그러한 하나 이상의 광 소스와 노출될 기판 사이에 위치된 하나 이상의 필터를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 하나 이상의 광 소스는 하나 이상의 플래시 램프일 수 있으며, 필터는 하나 이상의 플래시 램프를 둘러싸는 플래시 램프 전구 그 자체 또는 재킷(jacket) 또는 외장(sheath)내에 통합될 수 있다. 이들 실시예의 경우, 플래시 램프는 플라즈마 램프일 수 있으며, 필터링 재킷은 세륨(cerium) 산화물 도핑 재킷일 수 있다. 플래시 램프는 광역 스펙트럼 방사선을 생성할 수 있고, 플래시 램프의 재킷은 바람직하지 않은 파장(예를 들면, 다른 기판 구성요소보다 높은 비율로 제 1 기판 구성요소에 의해 흡수 또는 반사되는 경향이 있는 전자기 방사선의 파장에 대응하는 파장)을 갖는 전자기 방사선을 필터링하는데 이용될 수 있다.
다른 실시예에서, 선택적 광 발생기는 하나 이상의 광 소스에 대해 완전히 외부적인 필터를 포함할 수 있다. 이들 실시예의 경우, 하나 이상의 광 소스는, 실질적으로 투명하고 전자기 방사선을 필터링하지 않는 재킷을 갖는 플래시 램프일 수 있다. 하나 이상의 광 소스는, 예를 들면, 광역 스펙트럼 방사선을 생성할 수 있으며, 외부의 필터는 하나 이상의 광 소스에 의해 생성되는 광역 스펙트럼 방사선으로부터, 정의된 범위의 파장을 갖는 전자기 방사선을 필터링할 수 있다.
대안적인 실시예에서, 선택적 광 발생기는 필터를 이용하지 않고서 선택적 파장의 전자기 방사선을 생성하는 하나 이상의 광 소스를 포함할 수 있다. 이들 실시예의 경우, 하나 이상의 광 소스는 특정 파장의 전자기 방사선을 생성할 수 있으며, 선택적 파장의 전자기 방사선을 생성하기 위해 필터링 기법에 의존하지 않을 수 있다. 그러한 광 소스의 예로는, 제 1 기판 구성요소에 의해 보다 효율적으로 흡수 또는 반사되는 파장의 범위보다 크거나 작은 특정 파장(들)에서 동작하도록 선택된 하나 또는 다수의 레이저가 포함된다. 이들 파장은 균일하거나 균일하지 않을 수 있는 웨이퍼상에 최적의 바람직한 온도 분포를 달성하도록 선택될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 선택적 광 발생기는, 웨이퍼 기판과 같은 기판을, 선택적 파장을 갖는 전자기 방사선에 노출시키는 플래시 램프 어닐링 시스템의 일부일 수 있다. 이들 실시예의 경우, 시스템은 전자 디바이스를 제조하는 시스템일 수 있으며, 노출되는 기판을 수용하기 위한 챔버를 포함할 수 있다. 시스템은 노출되는 기판을 사전에 가열하기 위한 가열 소자를 더 포함할 수 있다.
다양한 실시예에서, 위에서 기술된 신규한 방법 및 장치는, 예를 들면, 핫스폿(hotspot)을 기판상에 형성시에 그것의 크기를 조정하거나 또는 역으로 하기 위해, 웨이퍼 또는 다이 기판과 같은 기판의 플래시 램프 어닐링 프로세스 동안에 이용될 수 있다. 온도 분포는 해당 국부 영역에 대한 최적의 수율/성능 트레이드오프에 의해 결정될 수 있다. 기판상의 핫스폿은 플래시 어닐링 프로세스 동안에 개발될 수 있는데, 그 이유는, 기판의 몇몇 부분이 다른 부분보다 높은 비율로 또는 보다 효율적으로 전자기 방사선을 흡수할 수 있기 때문이다. 이것은 기판의 몇몇 부분이, 적어도 그것이 특정 파장의 전자기 방사선과 관련됨에 따라, 비교적 높은 흡수 계수값 또는 비교적 높은 반사율값을 갖는 기판 구성요소 또는 보다 높은 밀도의 기판 구성요소를 포함할 수 있다는 사실에 기인한 것일 수 있다.
예를 들어, 몇몇 실시예에서, 플래시 어닐링되는 기판은, 트랜지스터, 캐패시터, 저항기 등과 같은 다양한 전자 디바이스를 포함하는 다이 또는 웨이퍼 기판일 수 있다. 이들 디바이스는 고유의 전자기 방사선 흡수 특성을 가질 수 있는 다양한 구성요소 또는 물질로 더 제조될 수 있다. 예를 들어, 이들 구성요소 중 일부는 비교적 높은 흡수 계수값을 가질 수 있으며, 그것은 이들 구성요소가 다른 기판 구성요소보다 효율적이고 또는 더 높은 비율로 특정 파장을 갖는 전자기 방사선을 흡수하는 경향이 있을 수 있다는 것을 의미한다. 따라서, 이들 구성요소의 보다 큰 농도를 갖는 다이 또는 웨이퍼의 부분들은, 예를 들면, 플래시 램프 어닐링 프로세스 동안 광역 스펙트럼 방사선에 노출되는 경우, 다른 부분들보다 빠르게 가열되는 경향이 있다. 그 결과, 플래시 어닐링되는 기판에서의 이들 구성요소의 높은 흡수율 및 이들 구성요소의 고르지 않은 분포는, 예를 들면, 플래시 어닐링 프로세스 동안 "핫스폿" 형성을 초래할 수 있다. 한편, 다른 구성요소가 비교적 높은 저항율을 가질 수 있으며, 이것은 그러한 구성요소가 다른 기판 구성요소보다 효율적으로 또는 더 높은 비율로 특정 파장을 갖는 전자기 방사선을 반사하는 경향이 있음을 의미한다. 따라서, 이들 구성요소의 보다 큰 농도를 갖는 다이 또는 웨이퍼의 부분들은, 예를 들면, 플래시 램프 어닐링 프로세스 동안 광역 스펙트럼 방사선에 노출되는 경우, 다른 부분들보다 느리게 가열되는 경향이 있다. 그 결과, 플래시 어닐링되는 기판에서의 이들 구성요소의 높은 저항율 및 이들 구성요소의 고르지 않은 분포는, 예를 들면, 플래시 어닐링 프로세스 동안 "콜드스폿(coldspot)" 형성을 초래할 수 있다.
예컨대, 몇몇 실시예에서, 기판은 SOC(system on chip) 다이를 형성하는데 이용된 웨이퍼일 수 있다. 이들 실시예의 경우, 최종적으로 웨이퍼로부터 형성될 수 있는 각각의 SOC 다이는 상이한 기능들에 전용되는 개별적인 섹션 또는 영역으로 분할될 수 있다. 예를 들어, SOC 다이의 한 부분은 SRAM에 전용될 수 있고, 다른 부분은 논리 회로에 전용될 수 있다. 그러한 다이가 그러한 방식으로 분할되는 경우, SRAM에 전용된 부분은 논리 회로 부분보다 밀집되게 CMOS(complementary semiconductor metal oxide) 트랜지스터가 위치될 수 있다. 상이한 유형의 회로들이 단일의 칩상에 존재하는 경우, 균일한 온도는 최적의 온도 프로파일일 필요는 없다. 각각의 분리된 회로 소자는 최적화될 수 있는 수율/성능 트레이드오프를 갖는다. 이러한 최적도는 모든 회로에 대해 동일하지 않다. 이것은 파장/반사율 엔지니어링이, 전체 칩 성능을 최적화하는데 이용될 수 있는 새로운 변수를 나타내는 이유이다.
도 1은 몇몇 실시예에 따른, 전술한 웨이퍼 또는 다이 기판과 같은 기판에 위치될 수 있는 예시적인 CMOS 트랜지스터 디바이스를 도시한다. 이러한 실시예의 경우, 트랜지스터(100)는 드레인(102), 소스(104) 및 폴리실리콘 게이트(106)를 포함한다. 트랜지스터(100)는 게이트(106)에 인접한 얇은 산화물층(108)을 더 포함할 수 있다. 트랜지스터(100)의 제조 프로세스 동안 드레인(102) 및 소스(104)와 관련된 상이한 도핑 영역들을 형성하기 위해, 질화물 스페이서(110)가 게이트(106)에 인접하여 형성된다. 이들 질화물 스페이서(110)는 실리콘 질화물과 같은 질화물 물질로 제조될 수 있다.
스페이서(110)를 포함하는 질화물 물질은 비교적 높은 흡수 계수값을 가질 수 있으며, 다른 기판 구성요소 또는 물질보다 높은 비율로, 정의된 범위의 파장을 갖는 전자기 방사선을 흡수하는 경향이 있을 수 있다. 예를 들어, 실리콘 질화물로 이루어지는 질화물 스페이서는 광 스펙트럼의 자외선 영역(즉, 10㎚ 내지 400 ㎚)에서의 전자기 방사선을 흡수하는 경향이 있을 수 있다. 특히, 이들 질화물 스페이서는 약 200 ㎚ 내지 약 350 ㎚ 사이의 파장을 갖는 전자기 방사선에 대해 특별한 친화력(affinity)을 가질 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 선택적 파장의 전자기 방사선을 생성하는 선택적 광 발생기가 제공된다. 그러한 실시예의 경우, 선택적 광 발생기는 기판의 플래시 램프 어닐링 프로세스에서 이용될 수 있으며, 정의된 범위의 파장보다 크고/거나 작은 파장을 갖는 전자기 방사선을 생성할 수 있다. 다양한 실시예에서, 정의된 범위의 파장은 다른 기판 구성요소에 의해서보다는 제 1 기판 구성요소(예를 들면, 질화물 스페이서)에 의해 보다 높은 비율로 흡수되는 경향이 있는 전자기 방사선의 파장에 대응할 수 있다.
도 2a는 몇몇 실시예에 따른, 플래시 램프 어닐링 프로세스를 위해 이용될 수 있는 시스템을 도시한다. 그러한 실시예의 경우, 시스템(200)은 다수의 가열 램프(204)를 포함하는 프리플래시(pre-flash) 가열 소자(202)를 포함한다. 그러나, 다른 실시예에서, 프리플래시 가열 소자(202)는 가열 램프(204)와는 다른 고온 판(hot plate) 또는 다른 유형의 가열 장치로 이루어질 수 있다. 가열 소자(202) 위에는, 예를 들면, 플래시 어닐링 프로세스 동안 기판(208)을 유지하는데 이용될 수 있는 기판 유지 챔버(206)가 위치된다. 예를 들어, 기판(208)은 반도체 다이 또는 웨이퍼 기판일 수 있다. 기판(208) 위에는 선택적 광 발생기(210)가 위치된다. 이들 실시예의 경우, 선택적 광 발생기(210)는 복수의 광 소스(212) 및 하나의 반사기(214)로 이루어질 수 있다.
다양한 실시예에서, 광 소스(212)는 선택적 파장을 갖는 전자기 방사선을 생성할 수 있다. 이들 실시예의 경우, 생성된 전자기 방사선은 정의된 범위의 파장보다 크고/거나 작을 수 있는 선택적 파장을 갖는 전자기 방사선을 포함할 수 있으며, 정의된 범위의 파장은 다른 기판 구성요소에 의해서보다는 제 1 기판 구성요소에 의해 보다 높은 비율로 흡수 또는 반사되는 경향이 있는 전자기 방사선의 파장에 대응한다. 광 소스(212)는 (이하에 보다 상세히 기술될) 광 필터링 재킷을 갖는 플래시 램프, 레이저 및/또는 LED(light emitting diode)와 같은 고체 상태 장치일 수 있다.
가열 램프(204)는 텅스텐 할로겐 램프일 수 있다. 그러한 실시예의 경우, 가열 소자(202)는 기판(208)을 플래시 어닐링하기 전에, 기판(208)의 온도를 사전정의된 온도로 상승시키는데 이용될 수 있다.
기판(208)은 상이한 흡수 계수를 갖는 복수의 기판 구성요소를 포함하는 다이 또는 웨이퍼 기판일 수 있다. 다양한 실시예에서, 기판(208)은 다른 기판 구성요소보다 높은 비율로, 정의된 범위의 파장을 갖는 전자기 방사선을 흡수 또는 반사하는 적어도 제 1 기판 구성요소로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제 1 기판 구성요소는, 비교적 높은 비율로, 약 200 ㎚ 내지 약 350 ㎚ 사이의 파장을 갖는 전자기 방사선을 흡수하는 물질로 이루어지는 질화물 스페이서일 수 있다.
다양한 실시예에서, 시스템(200)은 플래시 램프 어닐링 프로세스를 위해 이용될 수 있다. 이들 실시예의 경우, 플래시 어닐링될 기판(208)은, 예를 들면, 전술한 바와 같은 가열 소자(202)를 이용하여 처음에 사전가열될 수 있다. 기판(208)이 사전정의된 온도에 도달하면, 선택적 광 발생기(210)는 선택적 파장의 전자기 방사선을 생성할 수 있다. 다양한 실시예에서, 선택적 파장은 정의된 범위의 파장보다 크고/거나 작은 파장을 포함할 수 있다. 기판(208)은 약 10 밀리초 내지 약 10 마이크로초의 기간 동안 선택적 파장의 전자기 방사선에 노출될 수 있다. 다양한 실시예에서, 그러한 노출의 결과로서, 기판(208)의 온도가 상승될 수 있다. 일례에서, 실리콘 기판은, 그의 시작 온도와 약 1410 ℃에서의 실리콘의 용융점 사이의 임의의 온도로 가열될 수 있다.
도 2b는 몇몇 실시예에 따른, 플래시 램프 어닐링 프로세스를 위해 이용될 수 있는 다른 시스템을 도시한다. 이들 실시예의 경우, 시스템(220)은 도 2a의 시스템(200)과 유사하다. 그러나, 이전의 시스템(200)과는 달리, 이러한 시스템(220)에서의 광 소스(212)는 선택적 파장을 갖는 전자기 방사선을 생성하지 않으며, 그 대신에, 예를 들면, 광역 스펙트럼 방사선을 생성할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 광역 스펙트럼 방사선은 약 200 내지 약 800 ㎚ 사이의 파장을 갖는 전자기 방사선을 포함한다. 더욱이, 도 2a의 시스템(200)과는 달리, 이 경우, 선택적 광 발생기(210)는 광 소스(212)와 플래시 어닐링되는 기판(208) 사이에 배치되는 광학 필터(222)를 더 포함할 수 있다. 이들 실시예의 경우, 광학 필터(222)는 광 소스(212)에 의해 생성된 광역 스펙트럼 방사선으로부터 바람직하지 않은 전자기 방사선(예를 들면, 질화물 스페이서에 의해 흡수되는 정의된 범위의 파장을 갖는 전자기 방사선)을 필터링하는데 이용될 수 있다.
도 3은 몇몇 실시예에 따른, 도 2a의 광 소스들 중 하나를 보다 상세히 도시한다. 그러한 실시예의 경우, 광 소스(300)는 광 필터링 재킷을 갖는 플라즈마 램프와 같은 플래시 램프이다. 광 소스(300)는 음극(304), 양극(306) 및 가스(308)를 둘러싸는 재킷(302)을 포함한다. 재킷(302)은 수정(quartz) 또는 융합 실리카 물질로 이루어질 수 있으며, 완전히 봉인된 공간내에 가스(308)를 포함할 수 있다. 다양한 실시예에서, 가스(308)는 플라즈마를 생성하는데 이용되는 임의의 가스일 수 있다.
그러한 실시예의 경우, 광 소스(300)는 선택적 파장을 갖는 전자기 방사선을 생성할 수 있다. 재킷(302)은 정의된 범위의 파장을 갖는 전자기 방사선을 필터링하는 광학 필터로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 가스(308)가 크세논(xenon)인 경우, 에너지가 공급될 때 플라즈마로 변화되는 가스(308)에 의해 방사된 전자기 방사선은 약 200 내지 약 800 ㎚ 사이의 파장을 갖는 방사선으로 이루어질 수 있다. 이들 실시예에서, 재킷(302)은 약 200 내지 약 350 ㎚ 사이의 파장을 갖는 전자기 방사선을 필터링하는 광학 필터로서 작용할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 그러한 필터링을 달성하기 위해, 재킷(302)은 도핑된 수정 물질로 이루어질 수 있다. 이들 실시예의 경우, 도핑된 수정 물질은 세륨 산화물 도핑된 클리어 융합 수정 물질일 수 있다. 그러나, 다른 실시예에서, 필터링은 붕규산염 유리(Pyrex®)로 제조될 수 있는 재킷을 이용하여 수행될 수 있다.
다른 실시예에서, 광 소스(212)(및/또는 선택적 광 발생기(210))는 필터링 구성요소를 이용하지 않고서, 선택적 파장의 전자기 방사선을 생성할 수 있다. 이들 실시예의 경우, 광 소스(212)는 특정 파장 또는 파장의 범위의 전자기 방사선을 생성하는 레이저 또는 레이저의 그룹일 수 있다.
본 명세서에서는 특정 실시예들이 예시 및 기술되었지만, 당업자라면, 동일한 목적을 달성하기 위해 만들어진 임의의 구성으로, 도시된 특정 실시예를 대체할 수 있음을 이해할 것이다. 이러한 응용은 본 발명의 실시예의 임의의 변형 또는 변화를 커버하는 것이다. 따라서, 본 발명의 실시예는 특허 청구 범위에 의해서만 제한되는 것으로 명백히 의도된다.

Claims (28)

  1. 기판을 수용하는 챔버와,
    상기 기판에 방사하기 위한 전자기 방사선을 생성하는 하나 이상의 광 소스를 포함하는 선택적 광 발생기를 포함하되,
    정의된 범위의 파장을 갖는 전자기 방사선이 제외된 상기 전자기 방사선은 상기 정의된 범위의 파장보다 크거나 작은 파장을 갖고, 상기 제외된 전자기 방사선은 상기 기판의 다른 부분보다 상기 기판의 일부분에 의해 더 높은 비율로 흡수 또는 반사되는 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 광 소스는 상기 정의된 파장 범위 내의 파장을 갖는 전자기 방사선을 포함하는 광역 스펙트럼 방사선을 생성하는 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 선택적 광 발생기는 상기 하나 이상의 광소스와 방사되는 상기 기판 사이에 배치되어 상기 광역 스펙트럼 방사선으로부터, 상기 정의된 범위의 파장 내의 파장을 갖는 전자기 방사선을 필터링하는 필터를 더 포함하는 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 광 소스는 플라즈마 램프를 포함하는 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 플라즈마 램프는 상기 재킷은 상기 정의된 범위의 파장내의 파장을 갖는 전자기 방사선을 필터링하는 필터로 동작하는 재킷을 포함하는 시스템.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 재킷은 세륨 산화물 도핑 수정(cerium oxide doped quartz)을 포함하는 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 정의된 범위의 파장은 200 내지 350 ㎚인 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버는 웨이퍼 기판을 수용하는 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버는 복수의 구성요소를 통합하는 반도체 디바이스를 갖는 기판을 수용하는 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버는 다른 기판 구성요소보다 높은 비율로, 상기 정의된 범위의 파장내의 파장을 갖는 전자기 방사선을 흡수 또는 반사하는 제 1 기판 구성요소를 갖는 기판을 수용하는 시스템.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 구성요소는 질화물 스페이서를 포함하는 시스템.
  12. 광 전구에 있어서,
    에너지가 공급될 때 전자기 방사선 생성 플라즈마(electromagnetic radiation generating plasma)를 형성하는 가스와,
    상기 가스를 둘러싸며, 상기 기판의 다른 부분보다 상기 전구에 의해 방사되는 상기 기판의 일부분에 의해 보다 효율적으로 흡수 또는 반사되는 정의된 범위의 파장내의 파장을 갖는 전자기 방사선을 필터링하는 재킷을 포함하는 광 소스.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 재킷은 세륨 산화물 도핑 수정을 포함하는 광 전구.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 정의된 범위의 파장은 200 내지 350 ㎚인 광 전구.
  15. 삭제
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 기판 구성요소는 질화물 스페이서, 및 상기 기판 구성요소의 가변하는 밀도를 갖는 영역을 갖는 기판으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 기판 구성요소인 광 전구.
  17. 선택적 광 발생기에 있어서,
    전자기 방사선을 생성하는 광 소스와,
    상기 광 소스에 의해 생성된 상기 전자기 방사선으로부터, 정의된 파장 범위 내의 파장을 갖는 전자기 방사선을 필터링하여 필터링된 방사선을 생성하는 필터를 포함하되,
    상기 정의된 범위 내의 파장을 갖는 상기 필터링된 전자기 방사선은 상기 기판의 다른 부분보다 상기 선택적 광 발생기에 의해 방사되는 상기 기판의 일부분에 의해 더 높은 비율로 흡수 또는 반사되는 파장을 갖는 전자기 방사선인 선택적 광 발생기.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 필터는 200 ㎚ 내지 350 ㎚ 사이의 파장을 갖는 전자기 방사선을 필터링하는 선택적 광 발생기.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 광 소스는 상기 정의된 범위의 파장을 포함하는 전자기 방사선을 생성하는 선택적 광 발생기.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 광 소스는 플라즈마 램프를 포함하는 선택적 광 발생기.
  21. 삭제
  22. 기판을 제공하는 단계와,
    상기 기판을 정의된 범위 내의 파장을 갖는 전자기 방사선이 제외되고 상기 정의된 범위의 파장보다 크거나 작은 파장을 갖는, 전자기 방사선에 노출시키는 단계를 포함하되,
    상기 제외된 전자기 방사선은 상기 기판의 다른 부분보다 상기 기판의 일부분에 의해 더 높은 비율로 흡수 또는 반사되는 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    가스에 에너지를 공급하여 전자기 방사선 생성 플라즈마를 형성하는 단계를 더 포함하는 방법.
  24. 제 22 항에 있어서,
    상기 기판을 제공하는 단계는, 질화물 스페이서를 갖는 기판을 제공하는 단계를 포함하는 방법.
  25. 제 22 항에 있어서,
    상기 기판을 제공하는 단계는, 반도체 디바이스 또는 가변하는 밀도를 갖는 기판을 제공하는 단계를 포함하는 방법.
  26. 제 22 항에 있어서,
    상기 정의된 범위의 파장은 200 내지 350 ㎚인 방법.
  27. 제 22 항에 있어서,
    상기 노출시키는 단계는,
    상기 정의된 범위의 파장 내의 파장을 갖는 적어도 전자기 방사선을 포함하는 광역 스펙트럼 방사선을 생성하는 단계와,
    상기 광역 스펙트럼 방사선으로부터, 상기 정의된 파장 범위 내의 파장을 갖는 전자기 방사선을 필터링하여 필터링된 방사선을 생성하는 단계와,
    상기 기판을 상기 필터링된 방사선에 노출시키는 단계를 포함하는 방법.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 광역 스펙트럼 방사선은 200 내지 800 ㎚의 파장을 갖는 전자기 방사선을 포함하는 방법.
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