JP2022017022A - 光加熱装置 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 86
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 120
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 67
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 10
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B1/00—Details of electric heating devices
- H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
- H05B1/0227—Applications
- H05B1/023—Industrial applications
- H05B1/0233—Industrial applications for semiconductors manufacturing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/0033—Heating devices using lamps
- H05B3/0038—Heating devices using lamps for industrial applications
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Toxicology (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Control Of Resistance Heating (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板を加熱するための光加熱装置であって、基板を収容するチャンバと、チャンバ内において、基板を支持する支持部材と、支持部材によって支持された基板の第一主面と、対向するように配置されたフラッシュランプと、支持部材によって支持された基板とフラッシュランプとによって挟まれた閃光照射空間の外側から、基板の第一主面、又は第一主面とは反対側の第二主面に向かって光を出射する複数のLED素子と、フラッシュランプと複数のLED素子との離間方向における間であって、かつ、閃光照射空間の外側に、フラッシュランプから出射されて、複数のLED素子に向かって進行する光を遮光する遮光部材とを備える。
【選択図】 図1A
Description
基板を加熱するための光加熱装置であって、
前記基板を収容するチャンバと、
前記チャンバ内において、前記基板を支持する支持部材と、
前記支持部材によって支持された前記基板の第一主面と対向するように配置されたフラッシュランプと、
前記支持部材によって支持された前記基板と前記フラッシュランプとによって挟まれた閃光照射空間の外側から、前記基板の前記第一主面、又は前記第一主面とは反対側の第二主面に向かって光を出射する複数のLED素子と、
前記フラッシュランプと前記複数のLED素子との離間方向における間であって、かつ、前記閃光照射空間の外側に、前記フラッシュランプから出射されて、前記複数のLED素子に向かって進行する光を遮光する遮光部材とを備えることを特徴とする。
前記遮光部材が、表面に誘電体多層膜が形成されたガラス材であっても構わない。
前記複数のLED素子は、前記基板の前記第二主面に向かって光を出射するように配置され、
前記遮光部材は、前記支持部材に支持された前記基板と前記LED素子との間に配置されていても構わない。
前記複数のLED素子は、前記基板の前記第二主面に向かって光を出射するように配置され、
前記遮光部材は、前記支持部材によって支持された前記基板の側面と前記チャンバの内壁面とを連絡するように配置されていても構わない。
前記複数のLED素子は、前記基板の前記第二主面に向かって光を出射するように配置され、
前記遮光部材は、前記支持部材によって支持された前記基板と前記複数のLED素子との間に配置された、開閉動作が可能な部材であって、開閉することで、光を通過させる状態と遮断する状態とを切り替えるように構成されており、
前記フラッシュランプの点灯前に、前記遮光部材が閉じるように制御する開閉制御部を備えていても構わない。
前記複数のLED素子は、前記フラッシュランプに対して、前記支持部材によって支持された前記基板とは反対側に配置されており、
前記遮光部材は、前記フラッシュランプから出射されて、前記LED素子に向かって進行する光を、前記基板側に向かうように反射させるリフレクタであっても構わない。
図1Aは、光加熱装置1の一実施形態の構成を模式的に示す側面断面図であり、図2は、図1Aの光加熱装置1を、後述されるリフレクタ15を取り除いた状態で-Z方向に見たときの図面である。図1Aに示すように、第一実施形態の光加熱装置1は、半導体基板W1が収容されるチャンバ10と、複数のフラッシュランプ11と、複数のLED素子12と、支持部材13と、遮光部材14と、リフレクタ15とを備える。
本発明の光加熱装置1の第二実施形態の構成につき、第一実施形態と異なる箇所を中心に説明する。
本発明の光加熱装置1の第三実施形態の構成につき、第一実施形態及び第二実施形態と異なる箇所を中心に説明する。
本発明の光加熱装置1の第四実施形態の構成につき、第一実施形態、第二実施形態及び第三実施形態と異なる箇所を中心に説明する。
以下、別実施形態につき説明する。
10 : チャンバ
10a : 内壁面
10c : 透光窓
11 : フラッシュランプ
12 : LED素子
12a : LED基板
13 : 支持部材
13a : 突起
14 : 遮光部材
14a : 収容部
15 : リフレクタ
40 : 制御部
40a : 点灯制御部
40b : 開閉制御部
100 : 光加熱装置
101 : チャンバ
102 : フラッシュランプ
103 : ハロゲンランプ
104 : 透光窓
105 : 支持部材
W1 : 半導体基板
W1a : 第一主面
W1b : 第二主面
Claims (6)
- 基板を加熱するための光加熱装置であって、
前記基板を収容するチャンバと、
前記チャンバ内において、前記基板を支持する支持部材と、
前記支持部材によって支持された前記基板の第一主面と対向するように配置されたフラッシュランプと、
前記支持部材によって支持された前記基板と前記フラッシュランプとによって挟まれた閃光照射空間の外側から、前記基板の前記第一主面、又は前記第一主面とは反対側の第二主面に向かって光を出射する複数のLED素子と、
前記フラッシュランプと前記複数のLED素子との離間方向における間であって、かつ、前記閃光照射空間の外側に、前記フラッシュランプから出射されて、前記複数のLED素子に向かって進行する光を遮光する遮光部材とを備えることを特徴とする光加熱装置。 - 前記遮光部材が、表面に誘電体多層膜が形成されたガラス材であることを特徴とする請求項1に記載の光加熱装置。
- 前記複数のLED素子は、前記基板の前記第二主面に向かって光を出射するように配置され、
前記遮光部材は、前記支持部材に支持された前記基板と前記LED素子との間に配置されていることを特徴とする請求項2に記載の光加熱装置。 - 前記複数のLED素子は、前記基板の前記第二主面に向かって光を出射するように配置され、
前記遮光部材は、前記支持部材によって支持された前記基板の側面と前記チャンバの内壁面とを連絡するように配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の光加熱装置。 - 前記複数のLED素子は、前記基板の前記第二主面に向かって光を出射するように配置され、
前記遮光部材は、前記支持部材によって支持された前記基板と前記複数のLED素子との間に配置された、開閉動作が可能な部材であって、開閉することで、光を通過させる状態と遮断する状態とを切り替えるように構成されており、
前記フラッシュランプの点灯前に、前記遮光部材が閉じるように制御する開閉制御部を備えることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の光加熱装置。 - 前記複数のLED素子は、前記フラッシュランプに対して、前記支持部材によって支持された前記基板とは反対側に配置されており、
前記遮光部材は、前記フラッシュランプから出射されて、前記LED素子に向かって進行する光を、前記基板側に向かうように反射させるリフレクタであることを特徴とする請求項1又は2に記載の光加熱装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020120076A JP2022017022A (ja) | 2020-07-13 | 2020-07-13 | 光加熱装置 |
TW110116703A TW202205387A (zh) | 2020-07-13 | 2021-05-10 | 光加熱裝置 |
US17/361,552 US20220013377A1 (en) | 2020-07-13 | 2021-06-29 | Optical heating device |
KR1020210085417A KR20220008221A (ko) | 2020-07-13 | 2021-06-30 | 광 가열 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020120076A JP2022017022A (ja) | 2020-07-13 | 2020-07-13 | 光加熱装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022017022A true JP2022017022A (ja) | 2022-01-25 |
Family
ID=79173828
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020120076A Pending JP2022017022A (ja) | 2020-07-13 | 2020-07-13 | 光加熱装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220013377A1 (ja) |
JP (1) | JP2022017022A (ja) |
KR (1) | KR20220008221A (ja) |
TW (1) | TW202205387A (ja) |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7102141B2 (en) * | 2004-09-28 | 2006-09-05 | Intel Corporation | Flash lamp annealing apparatus to generate electromagnetic radiation having selective wavelengths |
JP4862280B2 (ja) | 2005-05-18 | 2012-01-25 | ウシオ電機株式会社 | 半導体ウエハ急速加熱装置 |
JP5291965B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-09-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
US20100258729A1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-10-14 | Niles Audio Corporation | Infrared Repeater System |
US8404499B2 (en) * | 2009-04-20 | 2013-03-26 | Applied Materials, Inc. | LED substrate processing |
JP5507274B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2014-05-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理方法および熱処理装置 |
TWI435391B (zh) * | 2010-09-16 | 2014-04-21 | Dainippon Screen Mfg | 閃光熱處理裝置 |
TWI467660B (zh) * | 2011-03-14 | 2015-01-01 | Screen Holdings Co Ltd | Heat treatment method and heat treatment device |
TWI566300B (zh) * | 2011-03-23 | 2017-01-11 | 斯克林集團公司 | 熱處理方法及熱處理裝置 |
JP5855353B2 (ja) * | 2011-05-13 | 2016-02-09 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
JP5951241B2 (ja) * | 2011-12-07 | 2016-07-13 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
US9330949B2 (en) * | 2012-03-27 | 2016-05-03 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Heat treatment apparatus for heating substrate by irradiating substrate with flash of light |
JP5955658B2 (ja) * | 2012-06-15 | 2016-07-20 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP6472247B2 (ja) * | 2015-01-07 | 2019-02-20 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
US11089657B2 (en) * | 2015-03-06 | 2021-08-10 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Light-irradiation heat treatment apparatus |
JP6539578B2 (ja) * | 2015-12-22 | 2019-07-03 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
JP6622617B2 (ja) * | 2016-02-18 | 2019-12-18 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
JP6587955B2 (ja) * | 2016-02-24 | 2019-10-09 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
JP6719993B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2020-07-08 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP6799960B2 (ja) * | 2016-07-25 | 2020-12-16 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP6847610B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2021-03-24 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
JP6841666B2 (ja) * | 2017-01-13 | 2021-03-10 | 株式会社Screenホールディングス | 結晶構造制御方法および熱処理方法 |
JP7042115B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2022-03-25 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
JP7283901B2 (ja) * | 2018-12-27 | 2023-05-30 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP7278111B2 (ja) * | 2019-03-08 | 2023-05-19 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP7294858B2 (ja) * | 2019-04-09 | 2023-06-20 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP7319894B2 (ja) * | 2019-11-18 | 2023-08-02 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
JP2021190552A (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-13 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
-
2020
- 2020-07-13 JP JP2020120076A patent/JP2022017022A/ja active Pending
-
2021
- 2021-05-10 TW TW110116703A patent/TW202205387A/zh unknown
- 2021-06-29 US US17/361,552 patent/US20220013377A1/en active Pending
- 2021-06-30 KR KR1020210085417A patent/KR20220008221A/ko unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220013377A1 (en) | 2022-01-13 |
TW202205387A (zh) | 2022-02-01 |
KR20220008221A (ko) | 2022-01-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230324 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231130 |
|
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