KR950000931A - 증착 처리시 물체가 수용기에 고착하는 것을 제한하는 방법 - Google Patents

증착 처리시 물체가 수용기에 고착하는 것을 제한하는 방법 Download PDF

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Abstract

물체가 플라즈마 화학 증착법에 의해 증착챔버내에서 한층으로 코팅된 후에 물체(기판)가 수용기에 고착하는 것을 제한하는 방법은, 코팅에 불리하게 영향을 주지 않고 물체에 추가층을 더하지 않는 수소, 질소, 아르곤 또는 암모니아와 같은 비활성 가스의 플라즈마에 코팅된 물체를 놓은 것을 포함한다. 코팅된 물체가 비활성 플라즈마에 놓여진후에, 물체는 수용기에서 분리된다.

Description

증착 처리기 물체가 수용기에 고착하는 것을 제한하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 따른 방법이 수행되는 플라즈마 CVD 장치의 단면도.

Claims (19)

  1. 물체가 처리챔버내에 수용기에 장착되어 있는 동안 플라즈마 처리에 의한 물체의 표면처리로 인하여 물체가 수용기에 고착하는 것을 제한하는 방법에 있어서, 물체가 처리된 후에, 물체의 처리된 표면에 화학적으로 반응하지 않고 물체의 층을 증착하지 않는 비활성 가스의 플라즈마에 물체에 놓는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 물체가 수용기에 고착하는 것을 제한하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 추후 물체가 가스의 플라즈마에 놓인후 물체에 수용기에서 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 물체가 수용기에 고착하는 것을 제한하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 가스는 수소, 질소, 아르곤 및 암모니아로 구성된 그룹에서 선택되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 물체가 수용기에 고착하는 것을 제한하는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 가스의 플라즈마는 수용기에서 떨어져 있는 전극 면적의 0.03 및 0.14watt/㎠배 사시의 rf 파워에 가스를 놓음으로써 형성되며 상기 전극에 플라즈마를 형성하도록 전압이 가해지는 것을 특징으로 하는 물체가 수용기에 고착하는 것을 제한하는 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 증착챔버에서 0.2 내지 3.5Torr인 압력이 제공되는 것을 특징으로 하는 물체가 수용기에 고착하는 것을 제한하는 벙법.
  6. 제 5 항에 있어서, 물체는 약 2 내지 5초 사이의 주기동안 가스의 플라즈마에 놓여지는 것을 특징으로 하는 물체가 수용기에 고착하는 것을 제한하는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 추후 물체가 수용기에서 분리되고 있는 동안 가스의 플라즈마에 물체가 계속해서 놓여있는 것을 특징으로 하는 물체가 수용기에 고착하는 것을 제한하는 방법.
  8. 제 2 항에 있어서, 물체가 처리가스의 플라즈마에 놓여있으므로써 처리되는 것을 특징으로 하는 물체가 수용기에 고착하는 것을 제한하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 처리가스가 가스로 변환될 때 필수적으로 연속적인 플라즈마가 유지되는 것을 특징으로 하는 물체가 수용기에 고착하는 것을 제한하는 방법.
  10. 물체가 처리하는 방법에 있어서, 수용기에서 떨어져 있는 전극을 가지는 증착챔버내의 수용기에 물체를 놓는 단계; 증착가스가 챔버속으로 흘러들어가는 단계; 증착가스를 반응케하여 물체의 표면에 층을 증착하기 위하여, 증착가스에서 플라즈마를 발생시키는 rf 파워로 전극 및 수용기를 가로질러 전압을 가하는 단계; 증착가스의 흐름을 중단하는 단계; 물체의 층 또는 물체와 반응하지 않고 또다른 층을 더하지 않는 제 2 가스를 챔버내로 흐르게 하는 단계; 물체에 가해지는 제 2 가스의 플라즈마를 발생시키기 위하여 rf 파워를 제 2 가스에 가하는 단계; 물체를 수용기에서 분리하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 물체를 처리하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 제 2 가스가 수소, 질소, 아르곤 및 암모니아로 구성된 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 물체를 처리하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 제 2 가스내에 플라즈마는 증착가스의 플라즈마를 형성하는데 사용되는 파워보다 적은 파워에서 형성되는 것을 특징으로 하는 물체를 처리하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 플라즈마를 형성하기 위해 전압이 가해지는 전극면적의 0.03 내지 0.14watts/㎠배의 rf 파워에 제 2 가스가 놓여있는 것을 특징으로 하는 물체를 처리하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 증착챔버내에서 0.2 내지 3.5Torr 사이인 압력이 제공되는 것을 특징으로 하는 물체를 처리하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 물체는 2 내지 15초의 주기동안 제 2 가스의 플라즈마에 놓여있는 것을 특징으로 하는 물체를 처리하는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 물체를 수용기에서 분리하기에 앞서 한 주기동안 제 2 가스의 플라즈마에 물체가 놓여있는 것을 특징으로 하는 물체를 처리하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 추후 물체가 수용기에서 분리되고 있는 동안 제 2 가스의 플라즈마에 계속해서 놓여있는 것을 특징으로 하는 물체를 처리하는 방법.
  18. 제10항에 있어서, 가스가 증착가스에서 제 2 가스로 변화됨에 따라 플라즈마가 사실상 연속해서 유지되는 것을 특징으로 하는 물체를 처리하는 방법.
  19. 제10항에 있어서, 증착가스가 가스로 변화될 때 플라즈마가 필수적으로 연속해서 유지되는 것을 특징으로 하는 물체를 처리하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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